Memoria RAM es un sistema de almacenamiento de datos.

RAM significa Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio, y esta nomenclatura se debe al hecho de que el sistema accede a datos almacenados de forma no secuencial, a diferencia de otros tipos de memoria. La memoria RAM es voltil, esto quiere decir que no graba de modo permanente los datos contenidos. Cuando la alimentacin del sistema es cortada, todo lo que estaba en la memoria se pierde. El sistema es bastante til para el procesamiento de datos, ya que proporciona espacio para informaciones cruciales, que pueden ser accedidas de forma casi inmediata, a diferencia de otras formas de almacenamiento, como discos duro, CDs o DVDs. El sistema operativo, as como aplicaciones de datos en uso son almacenados en la memoria RAM, permitiendo que el procesador trabaje estas informaciones rpidamente. Para la ejecucin de juegos, por ejemplo, una buena cantidad de memoria RAM de alta calidad es esencial, ya que en este tipo de aplicacin los archivos son accedidos a todo momento, para que sean cargados texturas, modelos, animaciones y otros tipos de datos exhibidos continuamente. Si el procesador depende de acceso al disco duro o a otro tipo de almacenamiento, la velocidad y agilidad caractersticas de un juego pueden ser comprometidas. Vale la pena destacar que no todos los tipos de memoria RAM proporcionan el mismo nivel de desempeo. Existen diversos modelos con frecuencias diferentes y capacidades de transferencia de datos cada vez mayores. Verifica debajo una comparacin entre tres modelos de RAM con frecuencia de clock de 200Mhz, y nota como el desempeo se duplica con cada versin del hardware.

La memoria RAM es indispensable para cualquier tipo de usuario, desde aquellos que tienen inters en juegos hasta los que utilizan procesadores de texto ms pesados. El

acceso de datos directamente en el disco duro no trae agilidad, la cual es necesaria en la mayor parte de las aplicaciones utilizadas actualmente, y el hecho de que una memoria no es un componente caro garantiza que todo usuario debe intentar mantener su sistema actualizado en este aspecto.
MEMORIA ROM
La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite solo la lectura de la informacin y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energa. Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente para contener elfirmware (programa que est estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnsticos. En su sentido ms estricto, se refiere solo a mscara ROM -en ingls, MROM- (el ms antiguo tipo de estado slido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma permanente, y por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM ms modernas, como EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias veces, an siendo descritos como "memoria de solo lectura" (ROM). La razn de que se las contine llamando as es que el proceso de reprogramacin en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son ms flexibles y econmicos, por lo cual las antiguas mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir de 2007. La memoria flash es una tecnologa de almacenamiento derivada de la memoria EEPROM que permite la lecto-escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa empleada en los dispositivos pendrive. Econmicamente hablando, el precio en el mercado cumple la ley de moore. En el ao 2011, el coste por MB en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, adems los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash. Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y por completo silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado. Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado.

Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s 1s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en ORNAND. Los sistemas de archivos para estas memorias estn en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar ademsNAND o YAFFS, ya en su segunda versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraible. Otra caracterstica ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C hasta los 85 C. Las aplicaciones ms habituales son: El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM, grabacin de voz y, sobre todo como reproductores porttiles de MP3 y otros formatos de audio. Las PC Card Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografa digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.

Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayora de las multinacionales dedicadas a la produccin de hardware. [editar]Funcionalidades Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multinivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional localizado o entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo los electrones que almacenan la informacin. [editar]Memoria

flash de tipo NOR

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos

de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente. Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido. [editar]Memorias

flash de tipo NAND

Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND. [editar]Comparacin

de memorias flash basadas en NOR y NAND

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados. La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte).

La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 ms por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo. [editar]Tarjetero

flash

Un tarjetero flash es un perifrico que lee o escribe en memoria flash. Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante puerto USB), marcos digitales, lectores de DVD y otros dispositivos, suelen leer varios tipos de tarjetas. [editar]Sistemas

de archivos para memorias flash

Disear un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos (NOR y NAND) son tipos de memoria flash, tienen caractersticas muy diferentes entre s a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR. Un ejemplo podra ser un recolector de basura. Esta herramienta est condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de NOR es muy lento y, adems, un recolector de basura NOR requiere una complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseo del sistema de archivos. Comparndolo con los sistemas NAND, que borran mucho ms rpidamente, estas limitaciones no tienen sentido. Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques errneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR que garantizan la integridad. El tamao que deben manejar unos y otros sistemas tambin difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se deber disear estos sistemas en funcin de la orientacin que se le quiera dar al sistema. Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organizacin interna de las memorias flash son JFFS (Journaling Flash File System) y YAFFS (Yet Another Flash File System),ExFAT es la opcin de Microsoft. [editar]Antecedentes

de la memoria flash

Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria principal

y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto. Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura/escritura. Memorias de slo lectura. ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes de forma masiva. PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es electrnico. Se puede grabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM. Memorias de sobre todo lectura. EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es completo y a travs de la exposicin a rayos ultravioletas (de esto que suelen tener una pequea ventanita en el chip). EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM. Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y densa. Memorias de Lectura/Escritura (RAM) DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM. SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras. [editar]Historia

de la memoria flash

La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el avance del resto de las tecnologas a las que presta sus servicios como routers, mdems, BIOS de los PC, wireless, etc. FueFujio Masuoka en 1984, quien invent este tipo de memoria como evolucin de las EEPROM existentes por aquel entonces. Intel intent atribuirse la creacin de esta sin xito, aunque si comercializ la primera memoria flash de uso comn. Entre los aos 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria que conocemos hoy, como la SmartMedia o la CompactFlash. La tecnologa pronto plante aplicaciones en otros campos. En 1998, la compaa Rio comercializ el primer Walkman sin piezas mviles

aprovechando el modo de funcionamiento de SmartMedia. Era el sueo de todo deportista que hubiera sufrido los saltos de un discman en el bolsillo. En 1994 SanDisk comenz a comercializar tarjetas de memoria (CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolucin ha llegado a pequeos dispositivos de mano de la electrnica de consumo como reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consolas, capacidad de almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a redes inalmbricas y un largo etctera, incluso llegando a la aeronutica espacial. El espectro es grande. En informtica, un disco duro o disco rgido (en ingls Hard Disk Drive, HDD) es un dispositivo de almacenamiento de datos no voltil que emplea un sistema de grabacin magntica para almacenar datos digitales. Se compone de uno o ms platos o discos rgidos, unidos por un mismo eje que gira a gran velocidad dentro de una caja metlica sellada. Sobre cada plato, y en cada una de sus caras, se sita un cabezal de lectura/escritura que flota sobre una delgada lmina de aire generada por la rotacin de los discos. El primer disco duro fue inventado por IBM en 1956. A lo largo de los aos, los discos duros han disminuido su precio al mismo tiempo que han multiplicado su capacidad, siendo la principal opcin 1 de almacenamiento secundario para PC desde su aparicin en los aos 60. Los discos duros han mantenido su posicin dominante gracias a los constantes incrementos en la densidad de 1 grabacin, que se ha mantenido a la par de las necesidades de almacenamiento secundario. Los tamaos tambin han variado mucho, desde los primeros discos IBM hasta los formatos estandarizados actualmente: 3,5" los modelos para PC yservidores, 2,5" los modelos para dispositivos porttiles. Todos se comunican con la computadora a travs del controlador de disco, empleando una interfazestandarizado. Los ms comunes hoy da son IDE (tambin llamado ATA o PATA), SCSI (generalmente usado en servidores y estaciones de trabajo), Serial ATA y FC (empleado exclusivamente en servidores). Para poder utilizar un disco duro, un sistema operativo debe aplicar un formato de bajo nivel que defina una o ms particiones. La operacin de formateo requiere el uso de una fraccin del espacio disponible en el disco, que depender del formato empleado. Adems, los fabricantes de discos duros, SSD y tarjetas flash miden la capacidad de los mismos usando prefijos SI, que emplean mltiplos de potencias de 1000 segn la normativa IEC, en lugar de losprefijos binarios clsicos de DISCO DURO

la IEEE, que emplean mltiplos de potencias de 1024, y son los usados mayoritariamente por los sistemas operativos. Esto provoca que en algunos sistemas operativos sea representado como mltiplos 1024 o como 1000, y por tanto existan ligeros errores, por ejemplo un Disco duro de 500 GB, en algunos sistemas operativos sea representado como 465 GiB (Segn la IEC Gibibyte, o Gigabyte binario, que son 1024 Mebibytes) y en otros como 500 GB. Existe otro tipo de almacenamiento que recibe el nombre de Unidades de estado slido; aunque tienen el mismo uso y emplean las mismas interfaces, no estn formadas por discos mecnicos, sino por memorias de circuitos integrados para almacenar la informacin. El uso de esta clase de dispositivos anteriormente se limitaba a las supercomputadoras, por su elevado precio, aunque hoy en da ya son muchsimo ms asequibles para el mercado domstico

Al principio los discos duros eran extrables, sin embargo, hoy en da tpicamente vienen todos sellados (a excepcin de un hueco de ventilacin para filtrar e igualar la presin del aire). El primer disco duro, aparecido en 1956, fue el IBM 350 modelo 1, presentado con la computadora Ramac I: pesaba una tonelada y su capacidad era de 5 MB. Ms grande que una nevera actual, este disco duro trabajaba todava con vlvulas de vaco y requera una consola separada para su manejo. Su gran mrito consista en el que el tiempo requerido para el acceso era relativamente constante entre algunas posiciones de memoria, a diferencia de las cintas magnticas, donde para encontrar una informacin dada, era necesario enrollar y desenrollar los carretes hasta encontrar el dato buscado, teniendo muy diferentes tiempos de acceso para cada posicin. La tecnologa inicial aplicada a los discos duros era relativamente simple. Consista en recubrir con material magntico un disco de metal que era formateado en pistas concntricas, que luego eran divididas en sectores. El cabezal magntico codificaba informacin al magnetizar diminutas secciones del disco duro, empleando un cdigo binario de ceros y unos. Los bits o dgitos binarios as grabados pueden permanecer intactos aos. Originalmente, cada bit tena una disposicin horizontal en la superficie magntica del disco, pero luego se descubri cmo registrar la informacin de una manera ms compacta. El mrito del francs Albert Fert y al alemn Peter Grnberg (ambos premio Nobel de Fsica por sus contribuciones en el campo del almacenamiento magntico) fue el descubrimiento del fenmeno conocido como magnetorresistencia gigante, que permiti construir cabezales de lectura y grabacin ms sensibles, y compactar ms los bits en la superficie del disco duro. De estos descubrimientos, realizados en forma independiente por estos investigadores, se desprendi un crecimiento espectacular en la capacidad de almacenamiento en los discos duros, que se elev un 60% anual en la dcada de 1990. En 1992, los discos duros de 3,5 pulgadas alojaban 250 Megabytes, mientras que 10 aos despus haban superado 40 Gigabytes (40000 Megabytes). En la actualidad, ya contamos en el uso cotidiano con discos duros de ms de 3 terabytes (TB), (3000000 Megabytes) En 2005 los primeros telfonos mviles que incluan discos duros fueron presentados por Samsung y Nokia, aunque no tuvieron mucho xito ya que las memorias flash los acabaron desplazando, sobre todo por asuntos de fragilidad.

Caractersticas de un disco duro

Las caractersticas que se deben tener en cuenta en un disco duro son: Tiempo medio de acceso: Tiempo medio que tarda la aguja en situarse en la pista y el sector deseado; es la suma del Tiempo medio de bsqueda (situarse en la pista), Tiempo de lectura/escritura y la Latencia media (situarse en el sector). Tiempo medio de bsqueda: Tiempo medio que tarda la aguja en situarse en la pista deseada; es la mitad del tiempo empleado por la aguja en ir desde la pista ms perifrica hasta la ms central del disco.

Tiempo de lectura/escritura: Tiempo medio que tarda el disco en leer o escribir nueva informacin: Depende de la cantidad de informacin que se quiere leer o escribir, el tamao de bloque, el nmero de cabezales, el tiempo por vuelta y la cantidad de sectores por pista. Latencia media: Tiempo medio que tarda la aguja en situarse en el sector deseado; es la mitad del tiempo empleado en una rotacin completa del disco. Velocidad de rotacin: Revoluciones por minuto de los platos. A mayor velocidad de rotacin, menor latencia media. Tasa de transferencia: Velocidad a la que puede transferir la informacin a la computadora una vez la aguja est situada en la pista y sector correctos. Puede ser velocidad sostenida o de pico.

Otras caractersticas son: Cach de pista: Es una memoria tipo Flash dentro del disco duro. Interfaz: Medio de comunicacin entre el disco duro y la computadora. Puede ser IDE/ATA, SCSI, SATA, USB, Firewire, Serial Attached SCSI Landz: Zona sobre las que aparcan las cabezas una vez se apaga la computadora.

[editar]Estructura

fsica

Componentes de un disco duro. De izquierda a derecha, fila superior: tapa, carcasa, plato, eje; fila inferior: espuma aislante, circuito impreso de control, cabezal de lectura / escritura, actuador e imn, tornillos.

Interior de un disco duro; se aprecia la superficie de un plato y el cabezal de lectura/escritura retrado, a la izquierda.

Dentro de un disco duro hay uno o varios discos (de aluminio o cristal) concntricos llamados platos (normalmente entre 2 y 4, aunque pueden ser hasta 6 7 segn el modelo), y que giran todos a la vez sobre el mismo eje, al que estn unidos. El cabezal (dispositivo de lectura y escritura) est formado por un conjunto de brazos paralelos a los platos, alineados verticalmente y que tambin se desplazan de forma simultnea, en cuya punta estn las cabezas de lectura/escritura. Por norma general hay una cabeza de lectura/escritura para cada superficie de cada plato. Los cabezales pueden moverse hacia el interior o el exterior de los platos, lo cual combinado con la rotacin de los mismos permite que los cabezales puedan alcanzar cualquier posicin de la superficie de los platos.. Cada plato posee dos caras, y es necesaria una cabeza de lectura/escritura para cada cara. Si se observa el esquema Cilindro-Cabeza-Sector de ms abajo, a primera vista se ven 4 brazos, uno para cada plato. En realidad, cada uno de los brazos es doble, y contiene 2 cabezas: una para leer la cara superior del plato, y otra para leer la cara inferior. Por tanto, hay 8 cabezas para leer 4 platos, aunque por cuestiones comerciales, no siempre se usan todas las caras de los discos y existen discos duros con un nmero impar de cabezas, o con cabezas deshabilitadas. Las cabezas de lectura/escritura nunca tocan el disco, sino que pasan muy cerca (hasta a 3 nanmetros), debido a una finsima pelcula de aire que se forma entre stas y los platos cuando stos giran (algunos discos incluyen un sistema que impide que los cabezales pasen por encima de los platos hasta que alcancen una velocidad de giro que garantice la formacin de esta pelcula). Si alguna de las cabezas llega a tocar una superficie de un plato, causara muchos daos en l, rayndolo gravemente, debido a lo rpido que giran los platos (uno de 7.200 revoluciones por minuto se mueve a 129 km/h en el borde de un disco de 3,5 pulgadas). [editar]Direccionamiento

Cilindro, Cabeza y Sector

Pista (A), Sector (B), Sector de una pista (C), Clster (D)

Hay varios conceptos para referirse a zonas del disco: Plato: cada uno de los discos que hay dentro del disco duro. Cara: cada uno de los dos lados de un plato. Cabeza: nmero de cabezales. Pistas: una circunferencia dentro de una cara; la pista 0 est en el borde exterior. Cilindro: conjunto de varias pistas; son todas las circunferencias que estn alineadas verticalmente (una de cada cara). Sector : cada una de las divisiones de una pista. El tamao del sector no es fijo, siendo el estndar actual 512 bytes, aunque prximamente sern 4KiB. Antiguamente el nmero de sectores por pista era fijo, lo cual desaprovechaba el espacio significativamente, ya que en las pistas exteriores pueden almacenarse ms sectores que en las interiores. As, apareci la tecnologa ZBR (grabacin de bits por zonas) que aumenta el nmero de sectores en las pistas exteriores, y utiliza ms eficientemente el disco duro.

El primer sistema de direccionamiento que se us fue el CHS (cilindro-cabeza-sector), ya que con estos tres valores se puede situar un dato cualquiera del disco. Ms adelante se cre otro sistema ms sencillo: LBA (direccionamiento lgico de bloques), que consiste en dividir el disco entero en sectores y asignar a cada uno un nico nmero. ste es el que actualmente se usa. [editar]Tipos

de conexin

Si hablamos de disco duro podemos citar los distintos tipos de conexin que poseen los mismos con la placa base, es decir pueden ser SATA, IDE,SCSI o SAS: IDE: Integrated Device Electronics ("Dispositivo electrnico integrado") o ATA (Advanced Technology Attachment), controla los dispositivos de almacenamiento masivo de datos, como los discos duros y ATAPI (Advanced Technology Attachment Packet Interface) Hasta aproximadamente el 2004, el estndar principal por su versatilidad y asequibilidad. Son planos, anchos y alargados.

SCSI: Son interfaces preparadas para discos duros de gran capacidad de almacenamiento y velocidad de rotacin. Se presentan bajo tres especificaciones: SCSI Estndar (Standard SCSI), SCSI Rpido (Fast SCSI) y SCSI Ancho-Rpido (Fast-Wide SCSI). Su tiempo medio de acceso puede llegar a 7 milisegundos y su velocidad de transmisin secuencial de informacin puede alcanzar tericamente los 5 Mbps en los discos SCSI Estndares, los 10 Mbps en los discos SCSI Rpidos y los 20 Mbps en los discos SCSI Anchos-Rpidos (SCSI-2). Un controlador SCSI puede manejar hasta 7 discos duros SCSI (o 7 perifricos SCSI) con conexin tipo margarita (daisy-chain). A diferencia de los discos IDE, pueden trabajar asincrnicamente con relacin al microprocesador, lo que posibilita una mayor velocidad de transferencia. SATA (Serial ATA): El ms novedoso de los estndares de conexin, utiliza un bus serie para la transmisin de datos. Notablemente ms rpido y eficiente que IDE. Existen tres versiones, SATA 1 con velocidad de transferencia de hasta 150 MB/s (hoy da descatalogado), SATA 2 de hasta 300 MB/s, el ms extendido en la actualidad; y por ltimo SATA 3 de hasta 600 MB/s el cual se est empezando a hacer hueco en el mercado. Fsicamente es mucho ms pequeo y cmodo que los IDE, adems de permitir conexin en caliente. SAS (Serial Attached SCSI): Interfaz de transferencia de datos en serie, sucesor del SCSI paralelo, aunque sigue utilizando comandos SCSI para interaccionar con los dispositivos SAS. Aumenta la velocidad y permite la conexin y desconexin en caliente. Una de las principales caractersticas es que aumenta la velocidad de transferencia al aumentar el nmero de dispositivos conectados, es decir, puede gestionar una tasa de transferencia constante para cada dispositivo conectado, adems de terminar con la limitacin de 16 dispositivos existente en SCSI, es por ello que se vaticina que la tecnologa SAS ir reemplazando a su predecesora SCSI. Adems, el conector es el mismo que en la interfaz SATA y permite utilizar estos discos duros, para aplicaciones con menos necesidad de velocidad, ahorrando costes. Por lo tanto, las unidades SATA pueden ser utilizadas por controladoras SAS pero no a la inversa, una controladora SATA no reconoce discos SAS.

[editar]Factor

de Forma

El ms temprano "factor de forma" de los discos duros, hered sus dimensiones de las disqueteras. Pueden ser montados en los mismos chasis y as los discos duros con factor de forma, pasaron a llamarse coloquialmente tipos FDD "floppy-disk drives" (en ingls). La compatibilidad del "factor de forma" continua siendo de 3 pulgadas (8,89 cm) incluso despus de haber sacado otros tipos de disquetes con unas dimensiones ms pequeas. 8 pulgadas: 241,3117,5362 mm (9,54,62414,25 pulgadas). En 1979, Shugart Associates sac el primer factor de forma compatible con los disco duros, SA1000, teniendo las mismas dimensiones y siendo compatible con la interfaz de 8 pulgadas de las disqueteras. Haba dos versiones disponibles, la de la misma altura y la de la mitad (58,7mm). 5,25 pulgadas: 146,141,4203 mm (5,751,638 pulgadas). Este factor de forma es el primero usado por los discos duros de Seagate en 1980 con el mismo tamao y altura mxima de los FDD de 5 pulgadas, por ejemplo: 82,5 mm mximo. ste es dos veces tan alto como el factor de 8 pulgadas, que comnmente se usa hoy; por ejemplo: 41,4 mm (1,64 pulgadas). La mayora de los modelos de unidades pticas (DVD/CD)

de 120 mm usan el tamao del factor de forma de media altura de 5, pero tambin para discos duros. El modelo Quantum Bigfoot es el ltimo que se us a finales de los 90'. 3,5 pulgadas: 101,625,4146 mm (415.75 pulgadas). Este factor de forma es el primero usado por los discos duros de Rodine que tienen el mismo tamao que las disqueteras de 3, 41,4 mm de altura. Hoy ha sido en gran parte remplazado por la lnea "slim" de 25,4mm (1 pulgada), o "low-profile" que es usado en la mayora de los discos duros. 2,5 pulgadas: 69,859,5-15100 mm (2,750,374-0,593,945 pulgadas). Este factor de forma se introdujo por PrairieTek en 1988 y no se corresponde con el tamao de las lectoras de disquete. Este es frecuentemente usado por los discos duros de los equipos mviles (porttiles, reproductores de msica, etc...) y en 2008 fue reemplazado por unidades de 3,5 pulgadas de la clase multiplataforma. Hoy en da la dominante de este factor de forma son las unidades para porttiles de 9,5 mm, pero las unidades de mayor capacidad tienen una altura de 12,5 mm. 1,8 pulgadas: 54871 mm. Este factor de forma se introdujo por Integral Peripherals en 1993 y se involucr con ATA-7 LIF con las dimensiones indicadas y su uso se incrementa en reproductores de audio digital y su subnotebook. La variante original posee de 2GB a 5GB y cabe en una ranura de expansin de tarjeta de ordenador personal. Son usados normalmente en iPods y discos duros basados en MP3. 1 pulgadas: 42,8536,4 mm. Este factor de forma se introdujo en 1999 por IBM y Microdrive, apto para los slots tipo 2 de compact flash, Samsung llama al mismo factor como 1,3 pulgadas. 0,85 pulgadas: 24532 mm. Toshiba anunci este factor de forma el 8 de enero de 2004 para usarse en mviles y aplicaciones similares, incluyendo SD/MMC slot compatible con disco duro optimizado para vdeo y almacenamiento para micromviles de 4G. Toshiba actualmente vende versiones de 4GB (MK4001MTD) y 8GB (MK8003MTD) 5 y tienen el Record Guinness del disco duro ms pequeo.

Los principales fabricantes suspendieron la investigacin de nuevos productos para 1 pulgada (1,3 pulgadas) y 0,85 pulgadas en 2007, debido a la cada de precios de las memorias flash, aunqueSamsung introdujo en el 2008 con el SpidPoint A1 otra unidad de 1,3 pulgadas. El nombre de "pulgada" para los factores de forma normalmente no identifica ningn producto actual (son especificadas en milmetros para los factores de forma ms recientes), pero estos indican el tamao relativo del disco, para inters de la continuidad histrica. [editar]Estructura

lgica

Dentro del disco se encuentran:

El Master Boot Record (en el sector de arranque), que contiene la tabla de particiones. Las particiones, necesarias para poder colocar los sistemas de archivos.

[editar]Funcionamiento Un disco duro suele tener:

mecnico

Platos en donde se graban los datos. Cabezal de lectura/escritura. Motor que hace girar los platos. Electroimn que mueve el cabezal. Circuito electrnico de control, que incluye: interfaz con la computadora, memoria cach. Bolsita desecante (gel de slice) para evitar la humedad. Caja, que ha de proteger de la suciedad, motivo por el cual suele traer algn filtro de aire.

MEMORIA DE FERRITA Aunque hoy en da estn en desuso, la practica totalidad de las memorias principales, desde mediados de la dcada de los 50, hasta los aos 70, se han construido con ferritas. Una muestra de su importancia es que es el escudo de las Facultades y Escuelas de Informtica se basa en un toro de ferrita. El punto de memoria es un toro o anillo de ferrita, que presenta dos direcciones de magnetizacin. Las primeras ferritas tenan un dimetro exterior de 0.3 cm y las ultimas de 0.05 cm. La conexin a los transductores se realiza mediante hilos de cobre barnizados, que pasan por el interior de las ferritas. La conexin se hacia con 2, 3 4 hilos. Evidentemente el cosido con menos hilos era ms sencillo, pero complicaba los transductores. Las propiedades fundamentales de estas memorias son las siguientes:

Memoria esttica con direccionamiento cableado, tipo RAM. No voltil, pues, si se deja de alimentar, las polarizaciones de las ferritas se mantienen invariables. De lectura destructiva. La escritura exige un borrado previo, pues solamente se puede basar del 0 al 1. Solo se considera el tiempo de ciclo( lectura + escritura)pues los accesos siempre requieren un ciclo. La velocidad de los primeros prototipos era de 20 s y se ha llegado a modelos de 275ns. La capacidad de estas memorias varia de unos pocos K a unos pocos Megas. Se construan con modelos de 4K. Valores tpicos de anchos de palabra han sido 8, 16, 32 y 36.

Tipos de Memoria RAM: 1) DRAM (Dynamic Random Access Memory) Es la memoria de acceso aleatorio dinmica. Est organizada en direcciones de memoria (Addresses) que son reemplazadas muchas veces por segundo. Es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria, ms datos se pueden tener en ella y ms aplicaciones pueden estar funcionando simultneamente, y por supuesto a mayor cantidad mayor velocidad de proceso, pues los programas no necesitan buscar los datos continuamente en el disco duro, el cual es muchsimo ms lento.

SRAM (Static Random Access Memory)

Memoria esttica de acceso aleatorio es la alternativa a la DRAM. No necesita tanta electricidad para su refresco y reemplazo de las direcciones y funciona ms rpido porque no est reemplazando constantemente las instrucciones y los valores almacenados en ella. La desventaja es su altsimo coste comparado con la DRAM. Puede almacenar y recuperar los datos rpidamente y se conoce normalmente como MEMORIA CACHE. 3) VRAM (video RAM) Memoria de propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la una RAM normal. 4) SIMM ( Single In Line Memory Module) Un tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits. 5) DIMM (Dual In Line Memory) Un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

DIP (Dual In Line Package)

Un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado.

RAM Disk
Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco. Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora es apagada.

 MEMORIA CACHE O RAM CACHE

Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada tambin a veces almacenamiento cach RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cach juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida por cach inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cach del disco para ver si los datos ya estn ah. La cach de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro. Tipos de Memoria CACHE De acuerdo con el modo de traduccin de las direcciones de memoria principal a direcciones de memoria cache, estas se clasifican en los siguientes tipos:

De correspondencia directa. De asociacin completa. De asociacin de conjuntos. De correspondencia vectorizada.

Memoria cache de correspondencia directa. Se establece una correspondencia entre el bloque K de la memoria principal y el bloque k, modulo n, de la cache, siendo n el numero de bloques de la memoria cache. Este tipo simple y econmico, por no requerir comparaciones asociativas en las bsquedas. De todas formas, en sistemas multiprocesador pueden registrarse graves contenciones en el caso de que varios bloques de memoria correspondan concurrentemente en un mismo bloque de la cache. Una direccin de memoria consta de 3 campos: Campo de etiqueta. Campo de bloque. Campo de palabra.

Memoria asociativa completa En este modelo se establece una correspondencia entre el bloque k de la memoria y el bloque j de la cache, en la que j puede tomar cualquier valor. No se produce contencin de bloques y es muy flexible, pero su implementacin es cara y muy compleja, ya que el modelo se basa completamente en la comparacin asociativa de etiquetas. Memoria cache de asociacin de conjuntos Se divide la memoria en c conjuntos de n bloques, de forma que al bloque k de memoria corresponde uno cualquiera de los bloques de la memoria del conjunto k, modulo c. La bsqueda se realiza asociativamente por el campo de etiqueta y directamente por el numero del sector. De este modo se reduce el costo frente al modelo anterior, manteniendo gran parte de su flexibilidad y velocidad. Es la Estructura ms utilizada. Memoria cache de correspondencia vectorizada El modelo divide a la memoria principal y a le cache en n bloques. La relacin se establece de cualquier sector a cualquier sector, siendo marcados los bloques no referenciados del sector como no validos. Esta estructura tambin reduce costos, minimizando el ncleo de etiquetas para la comparacin asociativa.

SDRAM (Synchronous DRAM)

DRAM sncrona, un tipo de memoria RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la siguiente se est preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnologa SDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs.

FPM (Fats Page Mode)

Memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambin es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino "fast" fu aadido cuando los ms nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms. 11) EDO (Extended Data Outpout) Un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo.

BEDO (Burst EDO)

Es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de direccin para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.

PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)

Se llama 'pipeline' a una categora de tcnicas que proporcionan un proceso simultneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubera' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutando, la computadora est decodificando la siguiente instruccin. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultneamente varios pasos de operaciones de coma flotante La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos. TAG RAM Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de memoria DRAM que hay en la memoria cach. Si el procesador encuentra una direccin en la TAG RAM, va a buscar los datos directamente a la cach, si no, va a buscarlos directamente a la memoria principal. Cuando se habla de la CACHEABLE MEMORY en las placas para Pentium con los chipsets 430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos referimos a la cantidad de TAG RAM, es decir, la cantidad de datos de memoria que se pueden almacenar en la cach. Una de las desventajas del chipset 430TX frente al chipset 430HX es que solo se pueden almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual, en ciertos casos, en las placas con este chipset se produce un descenso del rendimiento de memoria al tener instalados ms de 64 MB de memoria RAM en el equipo. Por ello, a pesar de la modernidad del diseo, en los servidores o las estaciones grficas quizs sera ms conveniente utilizar una placa base con el chipset 430HX de Intel. MEMORIA ROM Estas letras son las siglas de Read Only Memory (memoria de solo lectura) y eso es exactamente lo que es, una memoria que se graba en el proceso de fabricacin con una informacin que est ah para siempre, para lo bueno y lo malo. No podemos escribir en ella pero podemos leer cada posicin la veces que queramos. Se trata de la memoria interna de la mquina, que el procesador lee para averiguar el qu, el cundo y el cmo de una multitud de tareas diferentes; por ejemplo: lee las diversas instrucciones binarias que se necesitan cada vez que se teclea un carcter por el teclado, o cada vez que se tiene que presentar algo en pantalla. En la ROM est almacenado tambin el programa interno que nos ofrece la posibilidad de hablar con el ordenador en un lenguaje muy similar al ingls sin tener que rompernos la cabeza con el lenguaje de mquina (binario). Todas estas cosas suman tanta informacin que es muy probable que la memoria ROM de un ordenador tenga una capacidad de 8K a 16K, un nmero suficientemente grande para que este justificado asombrarse ante la cantidad de informacin necesaria para llenar tal cantidad de posiciones, especialmente cuando sabemos que los programas ROM estn escritos por expertos en ahorrar memoria. Ello sirve para poner de manifiesto la gran cantidad de cosas que pasan en el interior de un ordenador cuando ste est activo. La memoria ROM presenta algunas variaciones: las memorias PROM, EPROM y EEPROM. MEMORIA PROM Para este tipo de memoria basta decir que es un tipo de memoria ROM que se puede programar mediante un proceso especial, posteriormente a la fabricacin. PROM viene de PROGRAMABLE READ ONLY MEMORY (memoria programable de solo lectura ).Es un dispositivo de almacenamiento solo de lectura que se puede reprogramar despus de su manufactura por medio de equipo externo . Los PROM son generalmente pastillas de circuitos integrados. Caractersticas principales de rom y prom:

Solo permiten la lectura. Son de acceso aleatorio Son permanentes o no voltiles: la informacin no puede borrarse Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA EPROM La memoria EPROM ( la E viene de ERASABLE -borrable-) es una ROM que se puede borrar totalmente y luego reprogramarse, aunque en condiciones limitadas. Las EPROM son mucho ms econmicas que las PROM porque pueden reutilizarse. MEMORIA EEPROM An mejores que las EPROM son las EEPROM ( EPROM elctricamente borrables) tambin llamadas EAROM (ROM elctricamente alterables), que pueden borrarse mediante impulsos elctricos, sin necesidad de que las introduzcan en un receptculo especial para exponerlos a luz ultravioleta. Las ROM difieren de las memorias RAM en que el tiempo necesario para grabar o borrar un byte es cientos de veces mayor, a pesar de que los tiempos de lectura son muy similares. Caractersticas principales de este tipo de memorias:

Solo permiten la lectura. Son de tipo no voltil, aunque pueden borrarse. Son de acceso aleatorio. Tienen un ancho de palabra de 8 bits, con salida triestado.

MEMORIA VIRTUAL Es una manera de reducir el acceso constante a memoria por parte del procesador. Cuando se est ejecutando un programa, y especialmente si se tienen varias aplicaciones abiertas, el ordenador tiene que cargar en memoria RAM los valores e instrucciones de dicho/s programa/s. Pero, qu ocurre cuando el programa o programas que se estn ejecutando requieren ms memoria de la que tiene el equipo? En este caso, el procesador toma una parte del disco duro y la convierte en memoria RAM. Es decir, se utiliza el disco duro para almacenar direcciones de memoria, y aunque el disco duro es mucho ms lento que la memoria RAM (10-15 milisegundos para un disco duro moderno frente a 70-10 nanosegundos para la memoria actual), es mucho ms rpido tomar los datos en formato de memoria virtual desde el disco duro que desde las pistas y sectores donde se almacenan los archivos de cada programa. Los distintos modelos de memoria virtual se diferencian por sus polticas de solapamiento y por los mtodos que emplean en la organizacin de la memoria. Los mas importantes son:

Memoria Paginada Memoria Segmentada

Memoria de segmentos paginados

Todos estos sistemas encuentran como problema critico que los requerimientos de la memoria de algunos programas especficos son difciles de predecir, y por ello, la fraccin de memoria que debe asignarse a un programa es variable en cada caso. Adems, la poltica de solapamiento y comparticin debe tener en cuenta ciertas caractersticas internas de los programas que, invariablemente, determinan la construccin modular y estructurada de los mismos. Dichas caractersticas son: 1.- Localizacin Temporal: Es la tendencia de un proceso a referirse, en un futuro prximo, a elementos utilizados recientemente. Las variables y los stacks del proceso son ejemplos de elementos que ejercitan esta caracterstica. 2.- Localizacin espacial: es la tendencia que tiene los procesos a referirse a elementos prximos la espacio virtual antes recorrido. 3.- Localizacin Secuencial: tendencia de los procesos a referenciar elementos de la secuencia inmediata. Para decidir que fraccin de memoria principal ha de ser destruida o cargada en disco si ha sido modificada cuando se necesita leer otra, las reglas o criterios mas empleados son:

Regla FIFO. Se destruye la fraccin que mas tiempo lleva en la memoria principal para dejar un hueco en esta. Regla LRU. La porcin que lleva mas tiempo sin haber sido usada o actualizada. Regla LIFO. El hueco aparece en la memoria principal destruyendo o devolviendo a disco(si se ha modificado) la parte que lleva en memoria el menor tiempo. Regla LFO. Deja hueco la porcin que se ha pedido menos veces desde que comenz el proceso. Regla RAND. Se elige una porcin al azar. Regla CLOCK. Cuando se coloca un bit de uso en cada entrada de una cola FIFO y se establece un puntero que la convierte en circular. Es una aproximacin al algoritmo LRU con una cola FIFO simple.
MEMORIA PAGINADA Este mtodo organiza el espacio virtual y el fsico en bloques de tamao fijo, llamados paginas. En un momento determinado la memoria principal contendr algunos de los bloques lgicos. Como las distintas posiciones de un bloque lgico y uno fsico estn ordenadas de forma idntica, simplemente hay que traducir el numero del bloque lgico al correspondiente del bloque fsico. Los mtodos de traduccin son diversos, desde el mas bsico de correspondencia directa al mas complejo de correspondencia asociativa, donde la bsqueda se realiza mediante el contenido de una memoria asociativa que mantiene las correspondencias virtual - fsica mas recientemente utilizadas. En la practica se utiliza una tcnica mixta en la que las paginas mas recientemente empleadas se encuentran en una memoria asociativa y todas ellas en una tabla de correspondencia directa.

Mtodo de correspondencia directa: La direccin virtual consta de dos campos: un numero de pagina virtual(npv) y un desplazamiento(d), dentro de la pagina indicada. Con el numero de la pagina virtual se accede a una entrada de una tabla de paginas(TP) que proporciona la direccin fsica de la pagina y una serie de informacin complementaria. Localizada la pagina fsica, el desplazamiento(d) sirve para completar la posicin concreta dentro de ella. En el momento de arranque, cada proceso activo del sistema crea en la memoria principal una Tabla de Paginas(TP) que contiene una entrada por cada posible pagina virtual. La configuracin de las entradas de TP consta de los siguientes campos: 1.- Bit de validacin(V), que, cuando esta activado, indica que la pagina existe. Si V=0, la pagina no existe y se creara cuando haga falta. 2.- Bit de Modificacin(M), que indica si la pagina ha sido modificada en memoria. Este bit se utiliza en los algoritmos de reemplazo y actualizacin de la memoria. 3.- Cdigo de acceso autorizado a la pagina(CAA), que puede ser de lectura, escritura y/o ejecucin; son 2 bits. 4.- Direccin de la Pagina(DP), que contiene la direccin de la pagina en memoria principal o la direccin de la misma en memoria virtual o disco, segn que la pagina este activa o inactiva de acuerdo con el sealizador D. La direccin donde comienza la Tabla de Paginas(TP) esta almacenada en el Registro de Base de la Tabla de Paginas(RBTP). Para acceder, sucesivamente, a las entradas de la TP se incrementa el valor correspondiente al numero de pagina virtual(npv) al que se guarda en RBTP. Para calcular la direccin fsica en memoria se concatena DP(numero de pagina) con el desplazamiento d. Esto, si la pagina se encuentra en la memoria principal. El problema de este mtodo estriba en el que el numero de entradas a la Tabla de Paginas(TP) ha de coincidir con el numero de paginas virtuales, que es muy grande. Mtodo de correspondencia asociativa En este caso se dispone de una tabla inversa en tecnologa asociativa, esto es, con memoria tipo CAM, que se encarga ella misma de soportar el proceso de bsqueda a muy alta velocidad, suministrando el numero de pagina fsica o indicacin de que la palabra lgica direccionada no se encuentra en memoria, en cuyo caso se elimina una pagina de la memoria principal(si no se ha modificado) y se trae la nueva al hueco que deja. La memoria asociativa es aquella en la que se producen mltiples accesos de forma simultanea. En un simple acceso se pueden direccionar todas las posiciones que satisfacen un criterio de seleccin. Dado el elevado coste de las memorias asociativas, la tabla CAM suele ser incompleta, albergando el conjunto de paginas activas en un momento determinado. Si la CAM origina falta, hay que acudir a la TP para comprobar si esta en la memoria principal y, en su caso, actualizar la CAM. Si da falta la TP, hay que proceder a un cambio de pagina entre memoria principal y CAM. MEMORIA SEGMENTADA Este mtodo explota el concepto de modularidad de los programas construidos estructuralmente. Los mdulos son conjuntos de informaciones que pueden tratarse independientemente y que se relacionan mediante llamadas interprocedimientos, constituyendo programas que se denominan segmentos. La segmentacin es una tcnica que organiza el espacio virtual en bloques de tamao variable, que reciben el nombre de segmentos y que se colocan en memoria mediante algoritmos de localizacin de espacio libre.

Los elementos de un segmento se identifican mediante la direccin del segmento al que pertenecen y un desplazamiento dentro del mismo. A semejanza con el modelo anterior, existe un Registro Base de la Tabla de Segmentos(RBTS), que direcciona el comienzo de la Tabla de Segmentos(TS), de las que existe una por cada proceso activo. Cada entrada de la Tabla de Segmentos se compone de los siguientes campos: 1.- Cdigo de Acceso Autorizado(CAA), que indica el modo de acceso permitido al segmento. 2.- Campo de Longitud(L), que indica la longitud del segmento. 3.- Bit de Memoria/Disco(D), que indica si el segmento esta o no en memoria. 4.- Campo de Direccin de Segmento (DS), que contiene la direccin absoluta del segmento en memoria o la posicin del segmento en disco, segn el valor del sealizador D. Dada la naturaleza variable en cuanto a longitud de los segmentos, se precisa algn algoritmo que localice espacio libre para que resida el segmento apropiado, ya que no es corriente encontrar un bloque continuo en la memoria, para colocarlo completo. Estos algoritmos forman parte del mecanismo de interrupcin de falta de pagina y los ms relevantes son: a) De mejor ajuste: Minimiza el desperdicio, seleccionando el mejor agujero o fragmento intil en el que se puede colocar el segmento. b) De peor ajuste: Localiza el agujero que maximiza el desperdicio al colocar el segmento. c) De primer ajuste: Localiza el agujero con una direccin inicial inferior en el que se puede colocar el segmento. d) Algoritmo Buddy: Utiliza tcnicas de compactacin de memoria, fusionando espacios intiles, de forma que se configuran bloques continuos del tamao adecuado. Evidentemente los segmentos pueden ser compartidos por muchos procesos. Algunos sistemas utilizan tablas auxiliares, que apoyan la bsqueda de segmentos compartidos, como la Tabla de Segmentos Activos(TSA), que indica cuales son los segmentos activos en memoria en cada instante y la Tabla de Segmentos Conocidos(TSC), que contiene en cada entrada un nombre-segmento/numero segmento por cada segmento ya utilizado en el proceso. Uno de los procedimientos mas aceptados para la gestin de la memoria virtual es el que utilizan los minicomputadores PDP-II de Digital Equpiment Corporation. Por ej. la direccin virtual de 16 bits, se divide en un campo de 3 bits, que selecciona uno de los 8 registros basa de 12 bits existentes, y otro campo de 13 bits de desplazamiento. La direccin fsica de 18 bits se calcula sumando el registro base, los 7 bits de mas peso del desplazamiento precedidos de cinco ceros, y concatenando al resultado los 6 bits menos peso del desplazamiento. Se logra variar la longitud de los segmentos entre 64 bytes y 8 Kbytes. MEMORIA CON SEGMENTOS PAGINADOS Esta memoria combina las ventajas de los dos modelos anteriores. Cada segmento se divide en paginas, de forma que, para acceder a cualquier elemento de un segmento, el sistema acude a la Tabla de Paginas(TP) de dicho segmento. Si se aplica la tcnica asociativa, para realizar la traduccin, el tratamiento de las interrupciones de fallo en el acceso debe contemplar los siguientes aspectos:

Ausencia en el numero de pagina en la memoria asociativa, en cuyo caso se obtendr la direccin de pagina de la TP correspondiente.

 Ausencia de l numero de segmento en la memoria asociativa, supone una bsqueda en la Tabla de Segmentos activos(TSA), en el peor de los casos, en el directorio de ficheros del disco, para recuperar el segmento y/o los atributos. En sistemas multiprogramados, la activacin de un nuevo proceso que genera su propio espacio de direccin invalida las entradas anteriores de la memoria asociativa.

MICRO SD

Las tarjetas microSD o Transflash corresponden a un formato de tarjeta de memoria flash ms pequea que la MiniSD, desarrollada por SanDisk; adoptada por la Asociacin de Tarjetas 1 SD bajo el nombre de microSD en julio de 2005. Mide tan solo 15 11 1 milmetros, lo cual le da un rea de 165 mm. Esto es tres veces y media ms pequea que la miniSD, que era hasta la aparicin de las microSD el formato ms pequeo de tarjetas SD, y es alrededor de un dcimo del volumen de una tarjeta SD. Sus tasas de transferencia no son muy altas, sin embargo, empresas como SanDisk han trabajado en ello, llegando a versiones que soportan velocidades de lectura de hasta 10 Mbit/s. Debido a que su coste como poco duplica el de una Secure Digital equivalente, su uso se cie a aplicaciones donde el tamao es crtico, como lostelfonos mviles, sistemas GPS o tarjetas Flash para consolas de mano (como GameBoy Advance, Nintendo DS o Nintendo DS