COMPOSANTS

SEMI-CONDUCTEURS
de PUISSANCE















DUT GEii1 2
me
anne Module MC-ET2

1
SOMMAIRE



1. Introduction............................................................................................................2

2. Les diodes de puissance .........................................................................................2
2.1. Caractristiques statiques ........................................................................2
2.2. Comportement dynamique ......................................................................3
2.3. Ordres de grandeurs des diodes PIN rapides...........................................5
2.4. Les diodes shottky...................................................................................5
2.5. Les diodes en carbure de silicium...........................................................5
2.6. Caractristiques constructeur ..................................................................6

3. Le transistor MOSFET.........................................................................................11
3.1. Prsentation...........................................................................................11
3.2. Caractristiques statiques ......................................................................12
3.3. Comportement dynamique ....................................................................13
3.4. Commande de grille ..............................................................................14
3.5. Caractristiques constructeur ................................................................14

4. Le transistor IGBT ...............................................................................................22
4.1. Prsentation...........................................................................................22
4.2. Caractristiques statiques ......................................................................22
4.3. Comportement dynamique ....................................................................23
4.4. Caractristiques constructeur ................................................................24

5. Analyse des phnomnes de commutation ..........................................................33
5.1. La cellule de commutation ....................................................................33
5.2. Commutation la fermeture..................................................................35
5.3. Commutation l'ouverture....................................................................36
5.4. Rduction des pertes par commutation .................................................37

6. Refroidissement des semi-conducteurs................................................................38
6.1. Rsistance thermique.............................................................................38
6.2. Impdance thermique ............................................................................40
6.3. Proprits des matriaux employs .......................................................41

7. Bibliographie........................................................................................................41

2
1. Introduction
Les composants semi-conducteurs de puissance sont des lments essentiels pour la conversion
dnergie statique dnergie. Bass essentiellement sur le silicium, ils permettent le dcoupage et
sont employs en commutation :
- soit ltat bloqu (idalement un interrupteur ouvert) o ils doivent supporter une tension
leve (celle de la source, voire une tension suprieure),
- soit ltat passant, satur, (idalement un interrupteur ferm) o ils doivent admettre un
courant important sans occasionner une chute de tension trop importante.

Ce polycopi dcrit simplement les principales caractristiques externes des composants utiliss
dans les convertisseurs. Nous nous limiterons au trois principaux employs en haute frquence : la
diode, le transistor MOSFET et le transistor IGBT. Par ailleurs, nous analyserons les phnomnes
de commutation et les pertes associes ainsi que le refroidissement de ces semi-conducteurs.

On peut classer ces composants semi-conducteurs en deux grandes catgories :
Les composants jonction bipolaire permettant l'obtention de chutes de tension en conduction
faibles mais prsentant des charges stockes qui ralentissent les commutations,
Les composants effet de champ qui, inversement, ne stockent pas de charges et sont donc trs
rapides, mais prsentent des chutes de tension en conduction leves.
2. Les diodes de puissance
2.1. Caractristiques statiques
La structure de principe et les caractristiques statiques d'une diode jonction PIN apparaissent
figure 1. Cette structure est baptise "P/I/N" du fait de l'empilement P
+
/N
-
/N
+
. La zone N
-
,
faiblement dope, est assimile une zone "I" comme intrinsque. C'est cette zone qui assure
l'essentiel de la tenue en tension. En basse tension, il existe les diodes SCHOTTKY constitues
dune jonction mtal semi-conducteur.



Figure 1 : Structure et caractristiques statiques d'une diode jonction PIN

Si l'on s'en tient une prsentation purement externe, le quadrant correspond la zone de
polarisation directe de la diode et donc, un tat quivalent d'interrupteur ferm.
N +
N -
P +
A
K
v
D

i
D

i
D

V
DO

-V
RRM


-I
RM

1
3
v
D


3
Dans cette zone, les principales grandeurs caractristiques sont :
la tension de seuil VDO,
la rsistance dynamique RDO,
le courant efficace IDeff,
le courant moyen IDmoy.
Les deux premiers lments sont propres la diode et permettent d'valuer les pertes moyennes en
conduction :
PDcond = VDO IDmoy + RDO IDeff

Le comportement en polarisation inverse (tat ouvert) est dcrit par la caractristique du quadrant
Le paramtre essentiel ici est la tension inverse VRRM que peut supporter la diode. Le courant de
fuite IRM correspondant, gnralement faible, entrane des pertes ngligeables devant les pertes en
conduction et en commutation.
2.2. Comportement dynamique
Mise en conduction de la diode
Lors de la mise en conduction, il apparat une surtension directe, nomme V
FP
, provoque par une
rsistance dynamique importante. Cette surtension est fonction du gradient de courant appliqu la
diode (figure 2). Les pertes lies ce phnomne sont gnralement ngliges.


Figure 2 : Surtension lors de la mise en conduction

Blocage de la diode
La phase de blocage de la diode a des consquences importantes sur la commutation et sur les
pertes, que ce soit sur la diode elle-mme ou bien sur le transistor voisin.
Par principe, la conduction d'un courant par une diode PIN entrane l'existence d'une charge stocke,
essentiellement dans la zone faiblement dope (couche N
-
). La phase de blocage entrane
l'vacuation de ces charge stockes, ce qui se traduit par la prsence dun courant ngatif pendant un
court instant, appel t
RR
. Il sagit du phnomne de recouvrement inverse.

La figure 3 prsente ce phnomne de faon simplifie. Le paramtre important est la charge
vacue, reprsente par laire du courant lorsquil est ngatif. Cette charge, nomme Q
RR
, gnre
des pertes (prsence simultane du courant et de la tension pendant le temps tb). Q
RR
dpend
essentiellement :
- de la vitesse de dcroissance du courant dans la diode (impose par le transistor),
- du courant commut,
- de la temprature.
La figure 4 montre un exemple de lvolution de ce paramtre pour une diode 600V-30A rapide
(STTH 12R06 STMicroelectronics).

4


Figure 3 : Recouvrement de la diode lors de son blocage


Figure 4 : Charge recouvre en fonction de la vitesse de dcroissance du courant

Les pertes par commutation entranes par ce recouvrement sont proportionnelles la frquence de
commutation et peuvent sexprimer, en premire approximation, par :

P
COMMUTATION
= E.Q
RR
.F

Avec E la tension dalimentation et F la frquence de dcoupage. Les phnomnes de commutation
seront dtaills dans le chapitre 5.

5
2.3. Ordres de grandeurs des diodes PIN rapides
La conception de tout composant semi-conducteur rsulte d'un compromis portant sur les trois
points fondamentaux que sont la tenue en tension l'tat bloqu, la chute de tension l'tat passant
et la rapidit. Le tableau ci-dessous donne trois exemples de diodes de mme calibre en courant
mais pour trois niveaux de tension :

VRRM VF t
RR
I
RR
Q
RR

200V 0,8V 45ns 7,5A 175nC
600V 1,1V 125ns 12,5A 1C
1200V 1,35V 320ns 25A 4C
Paramtres de mesure : TJ = 125C, Id = 30A, (di/dt)r = 200A/s
(Caractristiques de diodes ST Microelectronics, srie STTH)

Figure 5 : Caractristiques compares de quelques diodes PIN ultra-rapides

On constate bien la dgradation des performances en fonction de la tenue en tension. Pour les diodes
haute tension, la ncessit de limiter la chute de tension l'tat passant conduit des niveaux de
charges stockes trs levs.
2.4. Les diodes shottky
Les diodes shottky ne font pas intervenir de mcanisme bipolaire avec l'emploi de jonctions
mtal/semi-conducteur (figure 6). Le phnomne de recouvrement y est absent, rduisant ainsi les
pertes par commutation.
Du fait du fonctionnement par effet de champ, l'obtention de
faibles niveaux de chute de tension l'tat passant impose
l'existence d'une couche N
-
de faible paisseur, ce qui ddie
ce type de composant aux applications basse tension,
tendance renforce par le fort niveau de courant de fuite
qu'induit le principe. Nous pouvons prciser ici quelques
ordres de grandeur des caractristiques de telles diodes :
0,3V VF 0,6V
IDmoy qqes 100A
VRRM 100V
2.5. Les diodes en carbure de silicium
Le carbure de silicium (SiC) est un nouveau matriau employ pour les composants de puissance,
actuellement mature pour des diodes shottky 600V. Le carbure de silicium possde un champ de
claquage dix fois suprieur celui du silicium, une bonne conductivit thermique et conserve de
bonnes proprits en haute temprature. Ainsi, des diodes shottky ont pu tre conues en haute
tension avec des performances en conduction quivalentes aux diodes PIN et sans phnomne de
recouvrement. La figure 7 montre des relevs de commutation de telles diodes.

N+
N-
A
K
vD
iD METAL


Figure 6 : Structure d'une diode
shottky

6

Diode Shottky SiC Diode PIN Silicium
Figure 7 : Caractristiques compares lors de la commutation l'ouverture de diodes SiC
et de diodes classiques silicium
2.6. Caractristiques constructeur
Les pages suivantes montrent un exemple de caractristiques d'une diode rapide 12A moyen 600V
de chez ST Microelectronics.










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8



9



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11
3. Le transistor MOSFET
3.1. Prsentation
Le transistor MOSFET (Metal-Oxyde-Semiconductor-Field-Effect-Transistor) est un composant
fonctionnant par effet de champ. Dans le domaine de la conversion d'nergie, il utilise une
technologie verticale (figure 8) contrairement la microlectronique o est employ la technologie
horizontale.

Figure 8 : Structure et caractristiques statiques d'un transistor MOSFET

La figure 8 reprsente la coupe d'une cellule d'un transistor MOSFET vertical canal N et
enrichissement. La mise en parallle d'une multitude de cellules sur le mme substrat forme le
transistor. En l'absence de tension grille-source VGS, qui est la grandeur de commande, le composant
est l'tat ouvert. Lorsque l'on applique une tension positive suprieure un seuil critique
gnralement not VGSTH, un champ lectrique est cr dans l'espace grille-source, champ qui va
provoquer l'apparition d'un canal de type N dans la zone P. Le composant devient conducteur et a un
comportement rsistif (rsistance apparente note RDSON), sans effet de seuil. On retrouve ensuite
une zone linaire dans laquelle le transistor MOSFET se comporte comme un gnrateur de courant.
La grille est isole du composant par l'oxyde de silicium et la rsistance d'entre peut tre considre
comme infinie. L'nergie de commande est donc nulle en rgime statique mais il faut prendre en
compte l'effet d la capacit d'entre qui induira, en rgime de dcoupage, une puissance de
commande non nulle.
V
DS

i
D

V
DSM

I
DM

P
M

V
GS

croissant
D
N+
N-
P+
Mtallisation
de source
Anneau
N+
Oxyde
S
Grille
Canal i
D
Anneau
N+
S
D
G
i
D

V
DS

V
GS


12
3.2. Caractristiques statiques
Dans le sens direct, le transistor MOSFET est employ en interrupteur :
- l'tat passant (Vgs > Vgsth, gnralement 15V), il prsente une rsistance faible R
DSON
,
- l'tat bloqu (Vgs nulle ou ngative), il peut supporter une tension leve, sans entraner un
courant de fuite important (quelques A).
En polarisation inverse, le transistor MOS prsente de faon intrinsque une jonction PN, donc une
diode en antiparallle. Cette diode a de bonnes caractristiques en conduction mais prsente un
recouvrement inverse important.

Figure 9 : Caractristiques statiques idalises du transistor MOSFET

La caractristique importante de MOSFET est sa rsistance l'tat passant. Cette rsistance RDSON
est le sige des pertes par conduction :
Pcond = RDSON IDeff
La tenue en tension du composant influe fortement sur la valeur de cette rsistance. Une expression
approche de RDSON montre cette influence :
R = R +(K V ) +(K V ) DSON DSM
1,3
DSM
2,5
canal N
+
N
-

En basse tension (VDSM 200V), le MOSFET trouve tout son intrt avec des rsistances faibles,
par exemple 5 m pour un MOSFET 100 A 60V.
Pour des tenues en tension VDSM 500V, le transistor devient moins comptitif. Un composant
classique de cette gamme (transistor MOSFET 500V-20A) prsente une rsistance l'tat passant de
l'ordre de 0,3.
Au del (jusqu' 1000V), cette rsistance devient pnalisante. Un composant standard de la gamme
1000V prsente une rsistance de quelques Ohm pour un courant de quelques ampres.
Cette rsistance augmente avec la temprature, ce qui peut tre le sige d'un emballement
thermique. La figure 10 montre un exemple de l'volution de cette rsistance. Cette particularit
autorise la mise en parallle de transistors MOS puisque il y aura auto-quilibrage des courants.
Cette technique est couramment employe pour augmenter le calibre en courant du composant.



v
DS
i
D


13

Figure 10 : Evolution de RDSON en fonction de la temprature
(CoolMOS Infineon 17A-500V)
3.3. Comportement dynamique
Sur le plan dynamique, les capacits parasites ont une influence importante car elles ralentissent les
commutations. La figure ci-dessous prcise ces capacits internes.
D
N+
N-
P+
S
S
D
G N+
i1
i2
iG
CGD
CGS
CDS

Figure 11 : Capacits parasites d'un transistor MOSFET

La phase de fermeture d'un transistor MOSFET intgr dans une cellule de commutation (voir
chapitre 5) est montre figure 12 de faon idalise et avec un courant de grille constant pendant la
commutation. Le phnomne essentiel est li la variation importante du potentiel de drain qui
entrane un courant dans Cgd, freinant ainsi l'volution de Vgs. Ce phnomne est appel "effet
Miller" et montre qu'il y a une importante variation de la capacit quivalente vue par le gnrateur
de grille qui doit fournir le courant de charge de CGS et le courant de dcharge de CGD.
Le fonctionnement est sensiblement le mme l'ouverture. En ralit, la commande de grille est une
source de tension faible rsistance interne qui devra fournir d'importants courants transitoires lors
des commutations.
Les temps de commutation la fermeture Ton, nomm galement Tr (rise time) et l'ouverture
Toff, nomm galement Tf (fall time) sont faibles (< 100 ns), ce qui autorise un fonctionnement
haute frquence, point fort du transistor MOSFET.

14
t
t
iG
iGO
vGSTH
Ve
Is
vDS
vGS
iD


Figure 12 : Formes d'ondes idalises la fermeture

L'aire de scurit du MOSFET en commutation (ouverture et fermeture) est constitue par un
rectangle IDM, VDSM (figure 8).
3.4. Commande de grille
La commande de grille s'effectue en tension, gnralement entre 0 et 15V ou 15V pour la partie
ngative si on dsire accrotre l'immunit aux bruits. Pour les MOS basse tension, il est possible
d'abaisser la tension positive 5V. La figure 13 montre un schma standard de commande
rapproche o la source de tension est cre par le push-pull transistors bipolaires, la rsistance
interne pouvant tre ajuste par Rg (quelques Ohm en forte puissance quelques dizaines d'Ohm en
faible puissance).

Figure 13 : Exemple de schma de la commande rapproche de grille
3.5. Caractristiques constructeur
Les pages suivantes montrent un exemple de caractristiques d'une MOSFET 22A 500V de chez
ST Microelectronics. Notons que, compte tenu de l'augmentation de la rsistance l'tat passant en
fonction de la temprature, ce transistor aura un courant nominal plus proche de 14A que de 22A,
limit en fait par l'vacuation des pertes.
MOS
Rg
BC 546
BC556
1 k
15 V
1 F

15







16


17


18



19



20



21



Nous pouvons remarquer sur cet exemple de caractristique que la rsistance RDSON augmente d'un
facteur 2 entre 25C et 125C. Cette rsistance est donne ici en valeur normalise par rapport sa
valeur 25C : il s'agit en fait du coefficient multiplicateur appliquer 0,11.










22
4. Le transistor IGBT
4.1. Prsentation
Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est n du mariage du transistor MOSFET et
du transistor bipolaire, l'objectif tant d'obtenir un interrupteur faible chute de tension l'tat
passant et forte tenue en tension tout en maintenant au maximum les avantages du MOS (grille
isole et rapidit).
Les performances actuelles de l'IGBT font que ce composant s'impose dsormais dans le domaine
des moyennes et fortes puissances au-del de 600V, jusqu' 3300V, voire 6500V.
La structure de base est celle d'un transistor MOSFET auquel on a rajout une couche P
+
. Cette
couche joue le rle d'un injecteur et permet d'obtenir un effet bipolaire au niveau de la couche N
-
.
L'introduction de ce comportement bipolaire rsout ce problme mais en fait apparatre un autre qui
est le stockage de charges dans la couche N
-
.
La structure interne est de type verticale, sous forme multicellulaire, la figure 14 reprsentant une
cellule en coupe.



IGBT de type PT IGBT de type NPT

Figure 14 : Structure d'un IGBT

Les IGBT de type PT (Punch-Through) ou asymtrique prsentent une chute de tension l'tat
passant plus faible que les NPT au dtriment de la rapidit. Inversement, les NPT (Non-Punch-
Through) se rapprochent plus du MOS avec une zone N
-
.plus paisse.
4.2. Caractristiques statiques
Les caractristiques statiques et le symbole du composant sont montrs figure 15. Les principales
diffrences avec le MOS sont :
- A l'tat passant l'existence d'un seuil Vo (de l'ordre de 1V) dans la chute de tension d la
jonction P
+
N
-
.
- Une rsistance dynamique Ro nettement plus faible que celle du MOS quivalent.

Les pertes par conduction peuvent s'exprimer par :

Pcond = VO IDmoy + RO IDeff

23
En polarisation inverse, le transistor IGBT ne supporte pas de tension ngative. Nanmoins, les
IGBT de type NPT sont par principe symtriques et peuvent admettre une tension inverse si leur
priphrie est adapte. Le constructeur IXYS propose des composants symtriques (R-IGBT).


Figure 15 : Caractristiques statiques idalises et symbole du transistor IGBT

La figure 16 montre un exemple de la caractristique en conduction d'un IGBT 50A-600V de type
NPT. On peut noter l'influence de la tension de commande et la ncessit de maintenir au moins
15V pendant la conduction pour rduire les pertes l'tat passant.
La chute tension l'tat passant (ici de l'ordre de 3V 50A) augmente avec la temprature
autorisant ainsi la mise en parallle.

Figure 16 : Caractristique l'tat passant (150C) d'un transistor IGBT Infineon 50A 600V
4.3. Comportement dynamique
La fermeture de l'IGBT s'apparente fortement celle du MOS en terme de rapidit d'tablissement
du courant. De mme, l'effet Miller prcdemment dcrit pour le MOS apparat de faon identique.

La diffrence essentielle de l'IGBT se situe l'ouverture car il se pose le problme de l'vacuation
des charges stockes dans la zone N
-
. Un schma quivalent simplifi reprsent figure 17 permet
de constater la prsence d'un transistor PNP dont la base est aliment par un MOS. En conduction, il
y a partage du courant entre les deux composants et lors de l'ouverture, une premire phase
correspondant l'ouverture du canal va entraner une chute rapide du courant comme dans le
transistor MOSFET. Une fois le canal ouvert, le transistor bipolaire se retrouve base en l'air crant
ainsi l'apparition du phnomne de tranage et de la queue de courant reprsente figure 17.
v
DS
i
D

Drain

Grille

Source


24
S
G
vGS
D
iD
vDS
iD
Dure de
tranage
Courant
de queue
t

Figure 17 : Schma quivalent simplifi de l'IGBT et comportement l'ouverture

Des progrs importants ont t raliss pour rduire ce phnomne de tranage et les pertes
correspondantes. Nanmoins, l'IGBT reste limit en frquence par rapport au MOS. La figure 18
montre des relevs exprimentaux de commutation louverture. Sans circuit daide (figure de
gauche), on peut noter une commutation en courant de lordre de 200ns avec un tranage quasi-
inexistant. Avec circuit daide (condensateur parallle de 100nF, figure de droite), le phnomne de
tranage est tout fait visible.

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Temps (s)
C
o
u
r
a
n
t

(
A
)

e
t

T
e
n
s
i
o
n
/
3
0

(
V
)

0 1 2 3 4 5 6 7
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
TEMPS (s)
C
O
U
R
A
N
T

(
A
)

e
t

T
E
N
S
I
O
N
/
2
0

(
V
)

Commutation louverture sans circuit daide
sous 20, 30, 40A 900V
Commutation louverture avec circuit daide
pour deux IGBT sous 40A 900V

Figure 18 : Exemple de relevs de commutation l'ouverture
4.4. Caractristiques constructeur
Les pages suivantes montrent un exemple de caractristiques d'un IGBT 50A 600V de chez
Infineon prsentant une chute de tension ltat passant de lordre de 3V.
Les gammes de tension les plus rpandues sont 600V et 1200V ; ces composants peuvent se trouver
sous forme discrte ou bien, en forte puissance, sous forme de module associant des IGBT et des
diodes, eux-mmes constitus de puces en parallle. Ces modules proposent des fonctions tels que
les hacheurs ou les bras donduleurs (monophas ou triphas, 2 ou 3 niveaux).
En plus haute tension, il existe des composants 1700V, 3300V et 6500V avec des calibres en
courant pouvant atteindre 800A. Les nergies de commutations, de lordre de 10 mJ en 1200V
deviennent importantes 6500V (>5 J).

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31


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33
5. Analyse des phnomnes de commutation
5.1. La cellule de commutation
La commutation concerne le passage de ltat passant ltat bloqu et inversement. Il y a deux
commutations par priode de dcoupage, celles-ci tant induites par la commande du transistor.
Sachant que la fermeture ou louverture dun semi-conducteur entrane ncessairement la
commutation oppose dun autre composant, on peut analyser ces phnomnes de commutation, au
sein de "la cellule de commutation" reprsente figure 19. Ce schma de base se retrouve dans
tous convertisseurs statiques ; il associe une source de tension une source de courant. Par exemple,
un hacheur srie ne possde quune cellule et ce qui suit montrera que K1 est ncessairement un
transistor commandable lamorage et au blocage et K2 une diode.



Figure 19 : La cellule de commutation

Les commandes de K1 et K2 sont obligatoirement complmentaires car la source de tension ne peut
tre court-circuite et la source de courant ouverte. Par ailleurs, la loi des nuds et la loi des mailles
correspondantes ce circuit scrivent :
v
K1
+ v
K2
= Ve
i
K1
i
K2
= I

Caractristiques statiques

Les deux tats des semi-conducteurs permettent de dterminer les caractristiques statiques :
(K1 ferm, K2 ouvert) entrane : vK1=0, iK1=I, vK2=Ve, iK2=0,
(K1 ouvert, K2 ferm) entrane : vK1=Ve, iK1=0, vK2=0, iK2=- I,

Dans l'exemple du hacheur srie, les grandeurs Ve et I sont continues. Les caractristiques statiques
ncessaires sont deux segments, comme lindique la figure 20.

iK1
vK1
K2
Ve
-I
K1
I
Ve
iK2
vK2

Figure 20 : Caractristiques statiques pour un hacheur srie
Ve
I
V
K1

V
K2

K
1

i
K2

K
2

i
K1


34
Cycle de fonctionnement dynamique

Lors des commutations, il est ncessaire de vrifier pour chaque semi-conducteur la relation :
v
K
i
K
0
Cette relation correspond une puissance positive, donc dissipe (pertes). Le point de
fonctionnement ne peut donc tre dans les quadrants 2 et 4, o cette puissance serait fournie par les
semi-conducteurs. En consquence, les changements d'tat de K2 ne peuvent seffectuer que le long
des axes, ce qui impose pour K1 des commutations commandes dont le trajet est reprsent figure
21. La caractristique de K2 sera celle dune diode (ici branche en sens oppos, figure 22) dont les
commutations sont naturelles, induites par le transistor.

K1
I
Ve
A B
Ve
-I
iK1
vK1
iK2
vK2
K2

Figure 21 : Cycles de fonctionnement des interrupteurs pour Ve et I positifs

Ce rsultat montre que pour K1 (transistor) le trajet sloigne des axes et le composant sera le sige
de pertes par commutation. En revanche, pour K2, les pertes sont thoriquement nulles ce qui ne
sera hlas pas le cas en pratique.

Pour lanalyse des pertes, il sera pris en compte :
- linductance parasite de la cellule de commutation qui reprsente linductance lie au
cblage de la maille entre les semi-conducteurs et la source de tension (condensateur de
filtrage cbl au plus prs).
- le recouvrement inverse de la diode qui commute louverture pendant cette phase.
- Les capacits parasites des semi-conducteurs.

Tr
D
L
I
Ve
i
T

lc
v
T

v
D

i
D



Figure 22 : Schma et convention pour lanalyse des pertes

35
5.2. Commutation la fermeture
Pendant la phase de fermeture (figure 23), la vitesse de monte du courant est impose par le
transistor principal qui supporte une tension importante, la diode tant toujours conductrice. Cette
tension est rduite par rapport Ve du terme (lc.di
T
/dt) correspondant la chute de tension dans
l'inductance parasite. L'nergie de commutation perdue pendant Ton s'exprime par :

( ) ( ) ( ) Ton . I I .
dt
di
. lc Ve
2
1
dt . t i . t v = E
RM
T
Ton
0
T T TON (

+
|

\
|
=

En remarquant que
Ton
I I
dt
di
RM T
+
= , on obtient :
( ) ( )
2
RM RM TON
I I . lc
2
1
Ton . I I . Ve .
2
1
= E + +
V e
i
T

v
T

T
on

I
I+ I
R M

- V e
I
v
D

i
D

t
t
Q
R

Q
2

t
1
t
2



Figure 23 : Formes dondes la fermeture (blocage de la diode)

La diode est conductrice jusqu' Ton puis retrouve son pouvoir de blocage, autorisant ainsi le
transistor se saturer. Les pertes dans la diode n'existent que pendant le temps t
2
et s'expriment par :
( ) ( ) ( )
2 RM
T
t
0
D D DOFF
t . I .
dt
di
. lc Ve
2
1
dt . t i . t v = E
2
(

\
|
+ =

Pour de faibles valeurs de lc, le terme (lc.di
T
/dt) est ngligeable devant Ve, ce qui conduit :
2 DOFF
Q . Ve = E
Inversement, pour de fortes valeurs de lc, le gradient de courant peut tre limit par Ve/lc. Dans ce
cas de figure, E
TON
est nulle et E
DOFF
s'exprime par :
[ ] ( )
RR R 2 1 RM 2 RM DOFF
Q . Ve Q Q Ve t . I . Ve t . I . Ve
2
1
= E = + = +

La charge stocke Q
RR
est un paramtre important pour les pertes car elle est fortement dpendante
de la vitesse de commutation. Par ailleurs, le courant de recouvrement inverse I
RM
induite une
surintensit dans le transistor, aggravant ainsi le niveau de pertes.

36
5.3. Commutation l'ouverture
La phase d'ouverture du transistor (figure 24) induit une surtension aux bornes de celui-ci et il est
impratif de rduire au maximum l'inductance parasite lc de la maille de commutation. Pour cela, on
place un condensateur de dcouplage au plus prs des semi-conducteurs de la cellule.
La tension v
T
(t) doit au pralable atteindre Ve pour que la diode commence conduire. Il s'en suit le
blocage du transistor sous la tension Ve augmente de la surtension. L'nergie de commutation
perdue pendant Toff s'exprime par :
( ) ( ) Toff . I .
dt
di
. lc Ve
2
1
dt . t i . t v = E
T
Toff
0
T T TOFF (

\
|
=

Avec pendant cette phase
Toff
I
dt
di
T

= , soit :
2
TOFF
I . lc
2
1
Toff . I . Ve .
2
1
= E +
V e
i
T

v
T

T
of f

I
-V e
I
v
D

i
D

t
t



Figure 24 : Formes dondes louverture

Il n'y a pas de pertes par commutation dans la diode pendant cette phase car courant et tension
n'existent pas simultanment.
0 = E
DON


Pertes lies aux capacits parasites du transistor et de la diode

Lors de cette commutation, la croissance de la tension aux bornes du transistor correspond la
charge de la capacit parasite du transistor (C
OSS
) et, de faon conjointe, la dcharge de la capacit
de la diode (C
D
). Cette nergie stocke est perdue dans le transistor lors de sa fermeture suivante, ce
qui induit les pertes supplmentaires suivantes :
F . V . C .
2
1
= P
2
e P sup
si on appelle C
P
= C
OSS
+ C
D
la capacit parasite totale
Cette expression est approche car ces capacits sont en ralit non linaires avec la tension
applique.

37
La figure 25 montre l'allure relle des formes d'ondes lors des commutations.
vT
iT
t

Figure 25: Allure des signaux rels aux bornes du transistor en commutation

En rsum, les pertes par commutation peuvent s'valuer par :

( ) F . E E = P
TOFF TON ON TCOMMUTATI
+ ( ) F . E E = P
DOFF DON ON DCOMMUTATI
+
avec :
( ) ( )
2
e p
2
RM RM TON
V . C
2
1
I I . lc
2
1
Ton . I I . Ve .
2
1
= E + + + 0 = E
DON

2
TOFF
I . lc
2
1
Toff . I . Ve .
2
1
= E +
RR DOFF
Q . Ve E

Remarques gnrales :
- Toutes ces pertes sont proportionnelles la frquence de dcoupage.
- Le phnomne de recouvrement de la diode induit une majoration de ces pertes.
- L'nergie stocke dans les composants parasites du montage se retrouve dissipe dans le
transistor.
5.4. Rduction des pertes par commutation
La rduction des pertes par commutation impose, soit de rduire la frquence de dcoupage (que
l'on cherche augmenter par ailleurs pour rduire le volume des composants passifs), soit rduire
les temps de commutation (semi-conducteurs rapides). Cette dernire voie est la plus employe mais
prsente des inconvnients en terme de compatibilit lectromagntique (trop forts gradients de
courants et de tensions pendant les commutations).
Il est possible de rduire ces pertes par l'ajout de circuits auxiliaires appels "Circuits d'Aide La
Commutation" (CALC ou snubber en anglais). Ces circuits se rsument (figure 26) :
- un condensateur en parallle sur le transistor pour l'ouverture (rduction de la vitesse de
monte de la tension), associ une rsistance de dcharge : circuit "RCD",
- une inductance en srie avec le transistor pour la fermeture (rduction de la vitesse de
croissance du courant), associe une rsistance de dcharge : circuit "LRD".

Figure 26: CALC la fermeture et l'ouverture

38
Les composants auxiliaires (diode et rsistance) sont ncessaires pour dissipe l'nergie stocke
dans ces composants.
L'intrt de ces circuits d'aide n'est pas toujours vident car ils conduisent un surcot (composants
supplmentaires) sans une amlioration du rendement car la rduction des pertes par commutation
se traduit par des pertes supplmentaires dans les rsistances.

En revanche, en commutation naturelle (commutation spontane du semi-conducteur par annulation
du courant ou de la tension), le circuit d'aide se rsume :
- un simple condensateur en parallle pour le blocage si l'amorage est sous tension nulle,
- une simple inductance en srie pour l'amorage si le blocage s'effectue courant nul (c'est le
cas du thyristor).
6. Refroidissement des semi-conducteurs
L'vacuation des pertes dans les semi-conducteurs est un point dlicat car celles-ci sont concentres
dans la puce de silicium. Dans la majorit des cas, un radiateur est ncessaire pour vacuer vers
l'extrieur ces pertes, radiateur ailettes ou bien par circulation d'un fluide en fortes puissances.
Le contrle de la temprature des jonctions des semi-conducteurs est primordial pour garantir le bon
fonctionnement de lensemble. En particulier, il faut assurer :
- une temprature de jonction maximale de 125C ou 150C pour le silicium,
- des variations de tempratures damplitude rduite pour minimiser les contraintes
mcaniques.
Le taux de dfaillance (exprim en nombre de pannes/10
6
h) augmente avec la temprature. Par
exemple, pour un MOSFET classique, ce taux passe de 0,12 0,2 entre 25C et 70C.
Les contraintes thermo-mcaniques sont une cause de destruction des semi-conducteurs. Elles
interviennent au niveau des interfaces (brasure entre puce et diffuseur cuivre, fils de bonding). Le
nombre de cycles avant rupture varie en e
-T
.
Deux grandeurs globales permettent dvaluer cette temprature de jonction :
- la rsistance thermique employe en rgime permanent,
- limpdance thermique qui permet de quantifier les variations de temprature en rgime
variable.
6.1. Rsistance thermique
Le semi-conducteur est caractris par sa rsistance thermique entre la puce de silicium et son
botier qui sera fix au radiateur. Cette rsistance thermique dpend essentiellement de la surface de
la puce et de la prsence ou non d'un isolant lectrique.
La figure 27 reprsente la constitution interne dun module isol alors que la figure 28 montre des
exemples de botiers.

Figure 27 : Transistor (vue en coupe et vue de dessus)
Diffuseur
Puce
Isolant
Semelle
Grille
Source
Fils de
Bonding
Drain
Brasure chaude (95Pb-5Sn)
Accrochages

39


Botiers disponibles pour un MOSFET 20A Modules de puissance

Figure 28 : Exemple de botiers des semi-conducteurs

Le calcul de la rsistance thermique s'effectue, en rgime tabli, de faon classique en utilisant le
modle lectrique quivalent bas sur les rsistances thermiques.



Figure 29 : Modle thermique en rgime permanent

( ) Pertes . Rth Rth T = T
RAD JC AMBIANT J
+ + avec Rth exprime en C/W

Soit :
JC
AMBIANT Jmax
RAD
Rth
Pertes
T T
= Rth

Plusieurs prcautions sont prendre ce niveau-l :
- la rsistance thermique de contact entre le botier et le radiateur, de lordre de 0,1C/W,
- la position du radiateur (verticale ou horizontale) et la temprature ambiante environnante,
souvent suprieure 20C (armoire ferme, vhicule au soleil,).

Dans le cas o plusieurs composants sont monts sur le mme radiateur, lanalogie lectrique de la
figure 29 peut tre employe pour dterminer le radiateur. Par exemple, avec deux composants et en
ngligeant le couplage thermique entre puces, on obtient le cas de la figure 30 :



Figure 30 : Modle thermique avec deux S-C sur le mme radiateur
Rth
JC1

Rth
RAD

P
1

T
J1

T
RAD
T
A

Rth
JC2

T
J2

P
1
+P
2

Rth
JC
Rth
RAD

Pertes
T
J
T
RAD
T
AMBIANT

P
2


40
On en dduit :
2 1
1 1 JC A J1max
RAD
P P
P . Rth T T
= Rth
+



Il sera ncessaire de vrifier la temprature T
J2
du semi-conducteur n2, qui doit tre infrieure
T
J1max
, sinon le calcul doit seffectuer via la branche n2 en fixant T
J2max
.
6.2. Impdance thermique
Limpdance thermique permet de rendre compte de lvolution de la temprature dans le temps lie
la capacit de stockage des lments traverss par le flux de chaleur. Elle est ncessaire pour
quantifier londulation de temprature lors de cycles de fonctionnement. Un modle lectrique
quivalent approch consiste placer des cellules RC en cascade, gnralement une cellule par
couche de nature diffrente (figure 31). Limpdance thermique correspond en fait la rponse
indicielle de ce modle, sa valeur atteignant en rgime permanent la rsistance thermique.



Figure 31 : Modle thermique en rgime variable

La figure 32 ci-dessous montre limpdance thermique dune diode en botier non isol, en valeur
relative par rapport la rsistance thermique.
Pour un chelon de puissance damplitude P, la diffrence de temprature entre la jonction et la
semelle aura atteint, en t = t
P
: ( ) th.P Z = t T
P




Figure 32 : Impdance thermique dune diode 12A (botier TO 220 non isol)

Les constantes de temps mises en jeu dpendent du matriau concern et de son volume. Les ordres
de grandeurs sont :
- puce : 1ms
- diffuseur : de 10 100 ms
- radiateur : de 1s plusieurs minutes
Rth
PUCE
Rth
DIFFUSEUR

Pertes
T
J
T
CASE

Cth
PUCE
Cth
DIFFUSEUR


41
6.3. Proprits des matriaux employs

Matriaux Conductivit thermique
(W/m/C)
Capacit calorifique
(J/cm
3
/C)
Coefficient de
dilatation (ppm/C)
Silicium
(Si)
150 1,75 2.6
Carbure de Silicium
(SiC)
150 < < 200 3.4 4,5
Cuivre
(Cu)
400 3,36 17
Aluminium
(Al)
130 2,48 23,6
Nitrure dalumimium
(AlN)
175 < < 190 2,66 4,4
Alumine
(AL2O3)
26 < < 35 2,56 7,3
Oxyde de Bryllium
(BeO)
200 3 8,9
Verre poxy

0,16 1,4 13 18
Brasure Sn-Pb

30 < < 60 25


7. Bibliographie
Interrupteurs lectroniques de puissance
Trait EGEM, Gnie Electrique, sous la direction de Robert Perret
Herms, ISBN 2-7462-0671-4

Power electronics : converters, applications and design
N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. Robbins
John Wiley ISBN 0-471-50537-4

Alimentations dcoupage Convertisseurs rsonance
Jean-Paul Ferrieux, Franois Forest
Dunod, ISBN 2-10-004137-1

Sites internet :
www.st.com
www.infineon.com