1 Analisando-se a polarizao DC no amplificador abaixo, conclui-se que IC e VCE, no ponto de operao Q, valem respectivamente:

a) 10 mA e 3,2 V. b) 10 mA e 8,8 V. c) 0,8 mA e 8,8 V. d) 0,8 mA e 3,2 V.

2 - Suponha um transistor ideal, com o emissor ligado ao terra, a base polarizada com uma tenso de alimentao de 10 V e um resistor de base de 200 KOhm. Se a tenso de alimentao do coletor for 10 V e o resistor do coletor for de 2 KOhm, quais sero a corrente no coletor para ganhos de corrente igual a 100 e a tenso entre coletor e emissor respectivamente? a) 5 mA e 5 V. c) 5 mA e 10V. b) 0 mA e 0 V. d) 5 mA e 0V. 3 - Qual das alternativas abaixo diz respeito ao Ponto de Corte da reta de carga de um transistor? a) a mxima corrente de coletor possvel para o circuito. b) a mxima tenso coletor-emissor possvel para o circuito. c) a mxima tenso e corrente de coletor-emissor possvel para o circuito. d) a mnima tenso coletor-emissor possvel para o circuito. 4 Quanto a utilizao do transistor TBJ como dispositivo de chaveamento correto afirmar que: a) A IB deve ser calculada para que a VCE mxima seja prxima de VCC/2. b) A VCE deve assumir valores prximos de 0 (zero) e VCC, de acordo com a IB aplicada. c) IC determinada pela relao IC = BetaxIB. d) O transistor utilizado para esse fim deve ser exclusivamente NPN. 5 O transistor de efeito de campo que tem como caracterstica a formao do canal a partir da polarizao adequada de VGS, chama-se: a) JFET canal P. b) JFET canal N. c) MOSFET - depleo. d) MOSFET - intensificao.

6 - Considerando o JFET canal N, polarizado com VGS = 0V, e analisando o comportamento ID em funo de VDS , sendo Vp a tenso de constrio, correta a afirmativa: a) a regio formada por 0VDSVP denominada de regio de saturao. b) para VDS > Vp, a corrente de dreno proporcional a VDS. c) na regio hmica, o dispositivo apresenta caractersticas de uma fonte de corrente constante. d) quanto maior for VP, significa que maior a resistncia do canal.

7 - Determine o valor de Vo no circuito abaixo.

a) 2,50 V

b) 5,25 V

c) 6,25 V

d) 7,50 V

8 Analise os itens propostos e aponte a alternativa correta. I- O material semicondutor mais usado o germnio. II- Os materiais que possuem um eltron na rbita de valncia so bons condutores. III- A rbita de valncia controla as propriedades eltricas do tomo. IV- Um semicondutor puro obtido quando todos os tomos do cristal so de silcio. a) Somente I est correto. b) I, II e III esto corretos. c) II, III e IV esto corretos. d) I, III e IV esto corretos. 9 - Considere que a corrente cc do dreno do circuito abaixo 2mA. Quais so os valores aproximados de VGS e VDS, respectivamente?

a) 1,64 V e 6,76 V. b) 1,64 V e 8,4 V. c) 3,6 V e 8,4 V. d) 3,6 V e 6,76 V.

10- A caracterstica da tenso Vout e o tipo do circuito mostrado na Figura abaixo, considerando que a tenso Vin tem forma de onda quadrada com ciclos positivos e negativos so, respectivamente,

a) Vout restrita aos semiciclos positivos de Vin, com o dobro da amplitude de Vin, tipo ceifador b) Vout restrita aos semiciclos negativos de Vin, com o dobro da amplitude de Vin, tipo grampeador c) Vout restrita aos semiciclos positivos de Vin, com mesma amplitude de Vin, tipo ceifador d) Vout restrita aos semiciclos negativos de Vin, com mesma amplitude de Vin, tipo grampeador

11- O circuito mostrado na figura abaixo um registrador a transistor. Considere que os transistores s podem apresentar o estado saturado ou cortado.

+ 5v

1 k

1 k

1 k

1 k

10 k 0v

10 k 0v

10 k + 5v

10 k + 5v

ABCD representa um nmero binrio. A representao decimal desse nmero a) b) c) d) 0. 3. 12. 15.

Ateno: A figura abaixo representa uma fonte de alimentao e refere-se s prximas trs questes:

12- Se o transformador tiver 480 espiras no enrolamento primrio, o enrolamento secundrio ter um total de (A) 100 espiras. (B) 120 espiras. (C) 240 espiras. (D) 480 espiras. 13- A tenso mxima que ser aplicada no capacitor de, aproximadamente, (A) 21V. (B) 30V. (C) 42V. (D) 57V. 14 - No circuito da fonte, a funo do capacitor (A) filtrar os sinais de RF que surgem no instante em que a fonte ligada. (B) estabilizar a tenso de sada em 100V. (C) reduzir a tenso reversa eficaz nos diodos. (D) reduzir o ripple do sinal retificado.

15- Assinale abaixo uma caracterstica da configurao base-comum: a) Alta impedncia de entrada b) Baixa impedncia de sada c) Alto ganho de corrente d) Baixa impedncia de entrada

16- Escolha a opo correta: a) Em amplificadores a transistor na configurao emissor comum, aumentando-se Vbe, aumenta-se Ib, o que faz com que Vce aumente e Ic tambm aumente. b) Em amplificadores a transistor na configurao emissor comum, aumentando-se Vbe diminui-se Ib, o que faz com que Vce aumente e Ic diminua. c) Em amplificadores a transistor na configurao emissor comum, diminuindo-se Vbe, diminui-se Ib, o que faz com que Vce diminua e Ic aumente. d) Em amplificadores a transistor na configurao emissor comum, aumentando-se Vbe, aumenta-se Ib, o que faz com que Vce diminua e Ic aumente. 17- Qual a potncia dissipada no diodo semicondutor do circuito abaixo?(Considere o diodo de silcio).

a) 2,05mW b) 2,17mW c) 0,73mW d) 1,05mW

18- No circuito abaixo, determine a corrente e a tenso em R2.(Dado: D1= silcio; valores das resistncias em ohms).

a)1,7mA;7,99V b)1,3mA;6,11V c)2,9mA;13,63V d)2,2mA;10,34V

19- Qual o valor de Vo para o circuito abaixo considerando o diodo ideal?

a)5V b)15V c)2V d)10V

20-Analise as afirmaes abaixo e, a seguir assinale a alternativa correta. I Em um material do tipo n, o eltron chamado de portador minoritrio. II A resistncia de polarizao direta de um diodo semicondutor alta quando comparada encontrada na polarizao reversa. III Um diodo emissor de luz (LED) construdo principalmente de silcio e germnio a) I, II e III so falsas. b) I verdadeira, II e III so falsas. c) I e II so falsas, III verdadeira. d) I e III so verdadeiras, II falsa.