Ponte di Wheatstone

Il ponte di Wheatstone è un dispositivo elettrico che permette di

VS
misurare in modo preciso il valore di una resistenza elettrica. Si
compone di un generatore di tensione che alimenta due rami
resistivi posti in parallelo: il primo è composto da un resistore
campione R1 in serie a una resistenza variabile R2 (la cui
componente resistiva è misurabile con elevata precisione); il
secondo ramo è invece composto da un resistore campione R3 in
serie alla resistenza incognita RX . I due rami sono connessi da un
voltmetro molto preciso VG (inserito come in figura) che funge da
“ponte” (da qui il nome del dispositivo).
La tensione nel punto D è (formula del partitore):
R2
VD = VS
R1 + R2
Mentre quella nel punto B è, per lo stesso motivo:
RX
VB = VS
RX + R3
La tensione misurata dal generatore VG è quindi la differenza di questi ultimi due membri e cioè:
 R2 RX 
VB − VD = VS  − 
 R1 + R2 RX + R3 
Se il ponte è bilanciato (configurazione che si può raggiungere agendo opportunamente sulla resistenza
variabile R3 ), il generatore di tensione segna 0 V e si ha:
 R2 RX 
VS  − =0
 R1 + R2 RX + R3 
RX R2
=
RX + R3 R1 + R2
R1 , R2 ed R3 sono note quindi, a questo punto, può esserlo anche RX .
Conduttori vs. dielettrici, II legge di Ohm

Mentre in un conduttore (ad es. un metallo) un campo elettrico può indurre una corrente notevole, in un
dielettrico (es. vuoto, aria, plastica, duroid…) uno stesso campo elettrico genererebbe una corrente
trascurabile. Tra conduttori e dielettrici troviamo i semiconduttori (es. silicio, arseniuro di gallio), i quali
hanno due peculiarità straordinarie:
• hanno disponibilità di elettroni (−) e di lacune (+);
• la resistività del materiale è selettivamente variabile su svariati ordini di grandezza.
Si ricorda, a tal proposito, che la resistività ρ (da cui
deriva il parametro σ detto conducibilità) è un parametro
proprio di un materiale e definito nel seguente modo; sia
∆V la tensione ai capi di una barra metallica lunga L e
avente sezione di area S: allora in tale configurazione
scorre una corrente I B pari a
1 S σS
IB = VB = VB = V
RB ρL L B
Una classificazione convenzionale vede i conduttori avere una resistività compresa fra 10 −5 e 10 −2 Ωcm e i
dielettrici fra 10 5 e 1014 Ωcm . In mezzo a tutti questi valori troviamo, appunto, i semiconduttori.
Atomo di Bohr, cenni
enni sui livelli atomici e conduzione

Nell’atomo di Bohr gli elettroni occupano livelli energetici quantizzati separati da intervalli proibiti. Tali
livelli sono occupati dagli elettroni, ma si tenga presente che il principio di esclusione di Pauli sostiene che
ciascun livello può ospitare al più elettroni di opposto spin.
Quando due atomi vengono avvicinati i livelli energetici si disallineano e può accadere che, a seguito delle
forze di iterazioni, coesistano i 4 elettroni (2 per atomo) che si trovano sullo stesso livello. Quando abbiamo
una moltitudine di atomi vicini fra loro allora si genereranno tantissimi livelli disallineati che andranno a
formare
are una banda continua. Due, in particolari, sono le bande degne di nota:
• banda di valenza
ultima banda con degli elettroni: se la banda di valenza possiede 2 elettroni
allora il materiale è isolante; se, invece, ha un solo elettrone il materiale è un conduttore e – nel caso
venisse applicato un campo elettrico – gli elettroni in banda di valenza za sfrutterebbero i livelli vuoti
per muoversi;
• banda di conduzione
prima banda senza elettroni.
Tali bande sono separate da un energy
gap. Nei semiconduttori questo energy
gap è piuttosto piccolo e a temperatura
ambiente (300 K) ci sono abbastanza
elettroni
troni in grado di saltare dalla banda
di valenza a quella di conduzione.

Consideriamo un semiconduttore
tore intrinseco (senza impurità), come può essere il silicio;
silicio abbiamo:
n = p = ni
legge dell’azione di massa: np = ni
2

• n è il numero di elettroni in banda di conduzione;

• p è il numero di elettroni in banda di valenza;
• ni è la concentrazione intrinseca dei portatori (elettroni),, funzione decrescente dell’energy gap, e
aumenta con la temperatura.
Si ha infatti:
EG
−
n = BT e
2
i
3 K BT

( K B = costante di Boltzmann, EG = energy gap, T = temperatura assoluta)

Si definisce inoltre la conducibilità elettrica intrinseca del silicio:
σ Si (T ) = qµnni
Come dicevamo poco fa, è possibile drogare un semiconduttore per variarne la resistività:
resistività più precisamente,
è possibile introdurre in modo controllato drogante in concentrazione pari a 1013 ∼ 10 20 atomi per
centimetro quadrato (oltre tali quantità il drogante precipita perché non è più solubile).
solubile)
Prendiamo ad esempio in considerazione il silicio, elemento facente parte del IV gruppo della tavola
periodica: se lo droghiamo con atomi del V gruppo (es. (es. fosforo) allora dei 5 elettroni di tale elemento 4
andrebbero a formare legami covalenti (forti) con il silicio mentre il rimanente manterrebbe un legame
debole. In tal modo si formerebbe un “livello
permesso” all’interno dell’energy gap e, a
temperaturara anche non troppo alta, l’ultimo
elettrone salterebbe in banda di conduzione
lasciando l’atomo ionizzato. Gli atomi del V
gruppo vengono detti donatori (droganti di
tipo n) perché sono in grado, come nel caso
appena trattato, di donare una particella
(negativa);
gativa); gli atomi del III gruppo,
gruppo come ad
esempio il boro, sono invece detti accettori
(droganti di tipo p): se impiantati nel silicio,
tali atomi concederebbero 3 dei loro elettroni in altrettanti legami covalenti, ma creerebbero una lacuna (=
carica positiva formata dall’assenza di carica negativa) nel reticolo.
Sulla base di tale ragionamento, a N D atomi donatori corrisponderebbero N D elettroni in banda di
conduzione, mentre a N A atomi accettori farebbero controparte N A lacune in banda di valenza.
Una zona si dice a drogaggio n se n >> p; viceversa, una zona si dice a drogaggio p se p >> n.
Cause dello spostamento di cariche: trascinamento e diffusione

Consideriamo un cristallo di silicio e supponiamo che il movimento di carica sia unidimensionale.

La densità di corrente è allora definita come
J n = −qnvdn
(segno “−“:
−“: la corrente ha convenzionalmente segno opposto a quello degli elettroni;
q = carica dell’elettrone, n = concentrazione di elettroni in banda di conduzione, vdn = velocità di
trascinamento degli elettroni)
La velocità di trascinamento è anche definita nel seguente modo:
vdn = − µn E
( µn = mobilità degli elettroni, che è funzione della temperatura, dell’intensità di drogaggio e della presenza
di eventuali impurità)
Mettendo insieme queste due relazioni otteniamo:
J n = qnµn E
analogamente
J p = qpµ p E
La densità di corrente di trascinamento (drift)) è data dalla somma di queste due densità di corrente:
(
Jdrift = q nµn + pµ p E )
Siccome si ha anche che
J =σE
Allora:
(
σ = q nµn + pµ p )
L’altra causa di spostamento di cariche, dopo il trascinamento,
è detta diffusione e consiste nel loro spostamento da una zona a
maggiore ad una a minore concentrazione (v. figura a destra).
Il flusso netto di cariche dovuto a questo fenomeno è
proporzionale le al gradiente della concentrazione di cariche nel
materiale stesso. La densità di corrente di diffusione (per elettroni e lacune) ha la seguente espressione:
 dn  KT
 Jn = qDn dx  Dp = q µ p

  Dn , Dp = coefficienti di diffusi
diffusione
one per elettroni e lacune
 J = −qD dp  D = KT µ
  n q n
p p
dx

Fatte queste considerazioni, la densità di corrente complessiva risulta essere:

 dn
 J tot n = qnµn E + qDn dx
J tot = J tot n + J tot p 
 J = qpµ E − qD dp
 tot p p p
dx
Giunzione PN: il diodo

Supponiamo di far aderire

fra loro due materiali
drogati: per ipotesi uno è
di tipo p, ed è ricco di
lacune, mentre l’altro è di
tipo n ed è ricco di
elettroni.
Appena tali materiali
ve
verranno messi a contatto
vi sarà un gran viavai di
cariche le quali, per
diffusione, tenteranno di
equilibrare la situazione
spostandosi da una zona
all’altra Ogni lacuna che
all’altra.
migra lascia una carica
negativa ala suo posto e,
allo stesso modo,
modo ogni
elettrone lascia una lacuna
dietro di sé. Le zone dalle
quali questi elettroni e queste lacune sono migrati vengono dette zone svuotate (o anche zone di carica
spaziale): terminata la diffusione e raggiunto l’equilibrio, esse non saranno più elettricamente neutre e, e
anzi, fra di loro si sarà formato un campo elettrico E responsabile della cosiddetta tensione di built-in φbi .

Mettendo assieme un materiale drogato p e

uno drogato n è possibile ottenere un primo
esempio rudimentale di dispositivo attivo
allo stato solido (v. figura sopra, dove i versi
di VD e I D sono frutto di una convenzione):
tale congegno è chiamato diodo. Sia I S la
corrente
ente di saturazione del diodo: essa
dipende dalle specifiche tecnologiche di tale
componente.
Se VD > 0 siamo nella cosiddetta
diretta il diodo conduce e la
polarizzazione diretta:
corrente è pari a
 VD
I D ≈ IS exp >> IS
VT
Se VD < 0 ci troviamo in polarizzazione inversa e l’unica corrente condotta dal diodo è quella di saturazione:
I D ≈ − IS
Quanto detto fin’ora può essere ritrovato nel poco sopra.

POLARIZZAZIONE INVERSA POLARIZZAZIONE DIRETTA

Quando la polarizzazione è inversa VD < 0 la barriera di potenziale diventa più alta ad aumenta a
q (φbi − VD ) > qφbi ; allo stesso modo, anche la zona svuotata va incontro ad un incremento. Si potrebbe allora
dire, approssimando un po’ le cose, che non passa corrente attraverso il diodo (v. modello a soglia), ma c’è da
dire che, nonostante tutto, passa lo stesso una piccolissima corrente detta di
leakage.. Inoltre, assistiamo al fenomeno della generazione termica (e della
ricombinazione, suo processo inverso): esso avviene quando un elettrone sfrutta
l’energia termca per superare l’energy gap e passare
assare in banda di conduzione (si
(
forma una coppia elettrone/lacuna
elettrone/lacuna,, v. figura a sinistra).
sinistra
Nella regione svuotata la generazione è più vigorosa della
ricombinazione e quindi si forma perciò la corrente inversa
del diodo ( I D < 0 ).
Se scendiamo troppo con la tensione VD rischiamo di
ensione di rottura −VBD , presso
raggiungere la cosiddetta tensione
la quale si hanno scariche a valanga ((avalanche) con coppie
elettrone-lacuna
lacuna che vengono accelerate dal campo e il
rischio di guasto permanente (fa eccezione il diodo Zener,
che è fatto per lavorare in tale regione).

arizzazione diretta ( VD > 0 ) la barriera

Quando siamo in polarizzazione
di potenziale si abbassa q (φbi − VD ) < qφbi e questo favorisce
l’insorgere di una corrente diretta I D > 0 la cui espressione
è stata data poco sopra.
Una nota sugli effetti dinamici: se varia VD allora varia la zona svuotata e quindi insorge la capacità di
svuotamento CS (la giunzione si comporta come un condensatore) nonché la capacità di diffusione (per gli
effetti di diffusione).
BJT: Bipolar Junction Transistor (1947)

Il transistore bipolare (porta sia cariche “+” che cariche “–“)

“ “) a giunzione ha grandissima importanza per
applicazioni tecnologiche. Ne esistono due tipi, l’uno duale
du rispetto all’altro:

NPN PNP

Come si può notare dalla figura (in cui sono riportate anche le
raffigurazioni simboliche del componente), il drogaggio del BJT
è fortemente
emente asimmetrico in quanto esso cala fortemente a
partire dall’emettitore per arrivare al collettore. Per quanto
riguarda il verso delle correnti, la freccettina presente nella
raffigurazione simbolica aiuta moltissimo a capire se I B è
entrante oppure uscente (oltre
re naturalmente a discriminare fra il
caso PNP e il caso NPN).
Tale dispositivo può lavorare in quattro differenti regioni, in
base a quali siano i valori di VBC e VBE :
• se VBC e VBE sono entrambe positive ci troviamo in regione di saturazione:
saturazione in questa regione la
corrente di collettore IC cresce rapidamente con VCE (la quale non ha ancora raggiunto la
convenzionale soglia di 0,2 V, che discrimina la regione attiva diretta da quella di saturazione, come
vedremo in seguito).. Nei circuiti logici, un BJT che lavora in saturazione può essere usato come uno
switch (OFF);
• se VBC e VBE sono entrambe negative le giunzioni sono interdette e il diodo ancora una volta
funziona come uno switch (ON);
• se VBC è negativa e VBE è positiva siamo in regione attiva diretta (o regione normale), che è quella che
ci interessa di più in quanto il BJT si comporta qui come un amplificatore. Esso infatti va le veci di
una valvola controllata: possiamo infatti regolare, con una piccola corrente all’ingresso (B), una
grande corrente fra C ed E. Infatti si ha che
IC
= β F (guadagno di corrente ad emettitore comune)
IB
Tale guadagno è dell’ordine di 10 2 (quindi IC >> I B ).
• se VBC è positiva e VBE è negativa siamo
siam in regione attiva inversa.

IN ZONA ATTIVA DIRETTA (hp: lavoriamo con un NPN)

vBE = vBE
on
> 0 (positiva) e vBC < 0 (negativa)
iB > 0

La componente I F è la cosiddetta componente di trasporto,

trasporto va dal
collettore all’emettitore e ha valore pari a:
 VBE 
I F = IS  e VT − 1  = IC
 
 
(parametri progettuali: VT tensione termica del BJT, IS corrente di
saturazione)
Come suggerito poco sopra tale corrente, negli esercizi, è pari a IC e
fuoriesce interamente dall’emettitore, sommandosi però alla corrente
I B , entrante dalla base, che è pari alla componente
omponente di trasporto divisa
per il guadagno di corrente β F :

IS  VBET 
V
IF
IB = =  e − 1
βF βF  
 
Per la legge di Kirchhoff la corrente uscente dall’emettitore sarà la somma della componente di trasporto e
della corrente di base:
β F + 1  VBET  β +1
V

I E = IC + I B = IS  e − 1  = F I
βF   βF C
 
Da questa relazione si ottiene anche che:
I I β +1
IB = C = E I E = ( β F + 1) I B = F I
βF βF + 1 βF C
βF
IC = β F I B = IE
βF + 1
Queste ultime formule, in particolare, sono utilissime negli
esercizi!
In particolare, negli esercizi si risolve ogni circuito facendo l’ipotesi iniziale che tutti i transistori lavorino in
zona attiva diretta (salvo eccezioni esplicitamente precisate nel testo): solo alla fine si va a controllare se tale
esi è verificata andando a vedere quanto valgono le tensioni VCE (o VEC per i PNP); perché il transistor
ipotesi
lavori in regione attiva diretta, esse devono essere almeno 0,2 V.
Come verificare, nella pratica, se un n BJT lavora in regione normale? Bisogna fondamentalmente fare due
controlli:
1. I B > 0 (ci garantisce che stiamo lavorando in
“diretta”);
2. VBC < VBC
on
, che diventa
VB − VC < VBC
on

VB − VE − VC + VE < VBC
on

VBE − VCE < VBC

on

on
VBE − VCE < VBC
on

VCE > VBE

on
− VBC
on
= VCE
sat
≅ 0,2 V

ZONA DI FUNZIONAMENTO INVERSO (usiamo sempre l’NPN)

Nella zona di funzionamento inverso le cose avvengono in maniera duale rispetto a quanto avveniva
prima. In particolare si ha:
 VBC 
I R = IS  e VT − 1  = − I E
 
 
(si noti che questa volta è VBC la tensione che controlla la corrente!)
Detta I B la corrente che viene dal terminale di base si ha:
 IS  VBCT 
V
IR I
IB = =  e − 1 = − E
βR βR   βR
 
La corrente di collettore sarà:
βR + 1 β +1
IC = − IR = R I
βR βR E
(ricordando che I R = − I E )

MODELLO DI EBERS-MOLL
Ha il merito di mettere insieme le due regioni attive (diretta e inversa): se ci troviamo in regione attiva
diretta basta porre VBC = 0 , altrimenti si pone VBE = 0 .

  VBE V VBC
 IS  VBC V 
 IC = IS  e T − e  − − 1
VT
 e T


   βR  

  VBE V VBC
 IS  VBE V 
 E S
I = I  e T
− e VT
 +  e T − 1 
   βF  
  VBE
  VBC

 I = IS  e VT − 1  + IS  e VT − 1 


B
β F  
 βR 
 

In zona attiva diretta abbiamo:
  VBE V VBC
 IS   VBE V  VBE
Ci = I S

e T
− e VT
 − ( 1 − 1 )  IC = IS  e T
− 1  ≅ IS e VT
 βR
 
   
 
  VBE V VBC
 IS 
VBE
IS VBE VT
I =
 E S I e T
− e VT
 +
β
( )
1 − 1
 EI ≅ I S
e VT
+
β
e
   F  F
  VBE
  I VBE
 I = IS  e VT − 1  + IS ( 1 − 1)  I B ≅ S e VT
β F   βF
  βR 
B

( vBC interdetta e posta a 0 )

NOTA
D’ora in poi useremo la seguente simbologia:
vBE = VBE + vbe ( t )
  
Valore Valore di Piccolo segnale
complessivo polarizzazione

Piccolo segnale

Polarizzazione
Modello a soglia

Sia per il diodo che per il BJT esistono dei particolari modelli detti a soglia i quali si poggiano sulle seguenti
asserzioni:
• esiste un valore di soglia Vγ che discrimina due macroregioni di funzionamento;
• nella prima regione di funzionamento il dispositivo si comporta come un aperto;
• nella seconda regione di funzionamento il dispositivo si comporta come un chiuso a meno di una
caduta di tensione che si instaura ai suoi capi (come se avessimo introdotto un generatore in quel
punto).

Ad esempio, per un diodo, si ha che

Il diodo reale, se acceso, viene quindi considerato come un

diodo ideale (un cortocircuito
cuito che non provoca alcuna caduta
di tensione) posto in serie con un generatore di tensione
VON = Vγ . Così facendo abbiamo approssimato la curva
esponenziale (tratteggiata in figura a destra) con due spezzate
ad angolo retto:
• la prima, quella orizzontale che arriva fino al punto
VON = Vγ , suggerisce che il diodo è spento e quindi si
comporta come un aperto in quanto la corrente che vi
scorre è sempre nulla indipendentemente dalla vD ;
• la seconda, quella verticale all’ascissa VON = Vγ , indica
che il diodo è acceso e quindi si comporta come un corto che lascia passare qualsiasi valore di
corrente I D .
NOTA (ovvia): se VON = Vγ = 0 il diodo è ideale.

La stessa cosa può essere fatta per un BJT e i suoi due terminali di base ed emettitore

IC

on
VBE VBE

on
Supposto il BJT acceso, la caduta di potenziale tra B ed E è sempre pari a VBE : negli esercizi questo risulta
essere molto utile,
le, visto che possiamo completare le maglie passando per la fida freccettina del BJT e
contando presso di esse una caduta di potenziale pari a 0,7 V.
Componenti elementari

1. RADDRIZZATORE A SEMIONDA

Supponiamo che il segnale d’ingresso sia sinusoidale.. Se il diodo è ideale la caduta ai suoi capi è nulla ed
esso sarà acceso quando vS > 0 (vedi grafico in alto a destra):
destra) in tal caso si avrà
V sin ωt se vS > 0
vO =  P
0 se vS < 0
otesi che il diodo sia acceso ( vD = vON del diodo)
Se invece utilizziamo il modello a soglia e facciamo l’ipotesi
allora la caduta sulla resistenza R sarà pari a
( V sin ωt ) − vON se vS > vON
vO =  P
0 se vS < vON
Se il diodo è acceso, sulla resistenza scorrerà una corrente pari a:
vS ( t ) − VON
ID = >0
R

2. RADDRIZZATORE A PONTE

CASO 1: D1 e D4 ON, D2 e D3 OFF

In tal caso
v ( t ) = E − VD 1 − VD 4 = E − 2Vγ
Perché passi corrente, E(t) dev’essere quindi almeno pari
a due soglie. In tal caso la corrente che scorre sulla
resistenza sarà
E ( t ) − 2Vγ
IR = >0
R

Verifica che gli altri due diodi siano spenti:

VD 2 = VD 4 − E ( t ) = Vγ − E ( t ) < Vγ OFF
VD 3 = VD 1 − E ( t ) = Vγ − E ( t ) < Vγ OFF

CASO 2: D2 e D3 ON, D1 e D4 OFF

In tal caso la situazione è uguale a quella che si ha nella figura seguente.
 Questa volta v ( t ) = −VD 3 − E − VD 2 = − E − 2Vγ
Perché passi corrente, E(t) dev’essere più bassa di almeno due
soglie e, cioè, si deve avere
E < −2Vγ
In tal caso la corrente che scorre sulla resistenza sarà
− E ( t ) − 2Vγ
IR = >0
R
Verifica che gli altri due diodi siano spenti:
VD 1 = VD 3 + E ( t ) = Vγ + E ( t ) < Vγ OFF
VD 4 = VD 2 + E ( t ) = Vγ + E ( t ) < Vγ OFF
V (t )
CASO 3: il campo elettrico E non è né più piccolo di
due soglie (CASO 2), né più grande di due soglie
(CASO 1).. In tal caso tutti i diodi son spenti e non
passa corrente.
E
In figura a destra vediamo un grafico esplicativo per il
nostro raddrizzatore a ponte. Si noti come nella zona
−2Vγ < E < 2Vγ
non possa esservi segnale sulla resistenza e che invece,
quando il raddrizzatoreore è attivo, l’uscita è pari
all’ingresso “abbassato” in modulo di due soglie.

3. LIMITATORE

Perché scorra corrente nella maglia, E dev’essere più grande di

V ( t ) , cioè di VK + una soglia (per il diodo). In tal caso sulla
resistenzaa scorrerà la seguente corrente
V E − V ( t ) E − VK − V ( t )
ID = = = > 0  E > VK + V ( t )
R R R
e V ( t ) , segnale d’uscita, rimarrà fisso a VK + Vγ . Per cui
segnale d’uscita limitato per E “troppo grande”
tagliamo il
picco superiore.
Altrimenti, se il diodo è spento ( E < Vk + Vγ ), non scorrerà
corrente nella maglia e V ( t ) = E .

Qui sotto possiamo vedere un grafico esplicativo:

VK + Vγ

VK + Vγ E
4. LIMITATORE DOPPIO

Mentre il limitatore appena illustrato tagliava solo un picco (quello positivo), quello che illustriamo di
seguito li taglia entrambi.

VK + Vγ

(
− VK + Vγ )

CASO 1: D1 ON
V ( t ) = VK + VD 1 = VK + Vγ
VD 2 = −VK − V ( t ) = −VK − VK − Vγ = −2VK − Vγ < 0 (diodo 2 sicuramente spento)
Per cui:
V E ( t ) − V ( t ) E ( t ) − VK − Vγ
IR = = = >0
E ( t ) > VK + Vγ
R R R
(tagliamo il picco alto alla tensione V ( t ) = VK + Vγ )

CASO 2: D2 ON
V ( t ) = −VK − VD 2 = −VK − Vγ
VD 1 = V ( t ) − VK = −VK − Vγ − VK = −2VK − Vγ < 0 (diodo 1 sicuramente spento)
E (t ) − V (t ) E ( t ) + VK + Vγ
E ( t ) < −VK − Vγ
V
IR = =− =− >0

R R R
(tagliamo il picco basso alla tensione V ( t ) = −VK − Vγ )

CASO 3: Tutti spenti

Effetto Early

L’effetto Early ha origine in quanto

l’innalzamento della tensione VC (del
collettore) fa sì che la zona svuotata fra C e
B aumenti di entità, “schiacciando la base”,
base”
all’interno della quale - visto che è diventata
più stretta - cala leggermente il fenomeno
della ricombinazione. Di conseguenza, visto
vist
che le lacune entranti dalla base fanno più
fatica a “portare via” elettroni dal flusso di
corrente che va dall’emettitore verso il
collettore, vi è un leggero aumento della
corrente I C (nonché del parametro β , come
vedremo fra poco).. Questo effetto dipende in maniera lineare da vCE (v. grafico sottostante) e può essere
quantificato con un leggero aumento di corrente in RND:

La nuova espressione per la corrente di collettore diventerà la seguente:

vBE
 vCE 
iC ≅ IS e VT
1+ 
 VA 
Il parametro V A , che ha le dimensioni di una tensione e “regola” la maggiore o minore presenza
dell’effetto Early, è detto tensione di Early.
Early Tale parametro assume valori elevati (anche
(an oltre i 100 V) e
questo è un bene: V A maggiore significa infatti una minor presenza dell’effetto Early (e una migliore
qualità del BJT).
Per ricordarsi come incide questo effetto di non-idealità,
non idealità, è sufficiente tenere presente che,
c prolungando
verso le tensioni negative le curve di I C , esse convergeranno verso un punto sull’asse delle ascisse
corrispondente alla tensione V A (v. figura sottostante): ora è anche più chiaro come mai una VA garantisca
un BJT migliore (
minore pendenza della retta in RND).

Si ha inoltre che
IS vBE
 vCE 
iB ≅ dove β F = β F 0  1 +
VT
e 
β FO  VA 
Come si nota β F viene a dipendere da vCE , alla stregua di ciò che è capitato a I C .
Se, a questo punto, sviluppiamo in serie di Taylor la corrente iC (per i motivi v. paragrafi successivi,
soprattutto per quanto riguarda il modello ai piccoli segnali), tenendo presente che ora tale corrente
dipende sia da vBE che da vCE - e che, per questo, dovremo far ricorso a delle derivate parziali - abbiamo:
vBE
 v  ∂i ∂i
iC = I C + iC ( t ) ≅ I S e  1 + CE  + C
VT
vBE ( t ) + C vCE ( t ) + ...
  V ∂ v    ∂v 
riposo perturbazione  A 
  BE Q
perturbazione 
CE Q
perturbazione
IC gm gCE

In questo sviluppo compaiono:

• gm che, come vedremo più avanti, è la transconduttanza,
−1
• la conduttanza gCE = rCE , la quale quantifica le conseguenze dell’effetto Early [si noti che la curva
caratteristica di una conduttanza è una retta con coefficiente angolare positivo, quale quella che si
( )
riscontra nella RND del grafico vCE iC : tutto torna!].

Sussiste infine questa importante relazione:

iC ( t ) = gm vBE + gCE vCE
 
componente "amplificativa" effetto Early
intrinseca del transistore (indesiderato)
Analisi del punto di riposo

Se consideriamo la maglia che da V BB va a massa passando per il

BJT, possiamo applicare Kirchhoff e scrivere:
VBB − VBE
VBB = RB I B + VBE
IB =
RB
Facciamo ora l’ipotesi che il transistor stia lavorando in regione
normale:
vBE = VBE
on
> 0 (positiva) e v BC < 0 (negativa)
Per cui I B diventa:
VBB − VBE
on
IB =
RB
Siccome in regione attiva lineare la I B dev’essere positiva, dovrà per
forza sussistere la relazione
VBB > VBE
on

IB > 0
Per quanto riguarda la saturazione, si deve avere:
av
VCE > VCE
sat

Come esprimiamo VCE ?

Applichiamo la legge di Kirchhoff
VCC = RC IC + VCE
e sfruttiamo la proprietà
IC = β F I B
Otteniamo:
VCC = β F RC I B + VCE
VCE = VCC − β F RC I B > 0,2 V (se siamo in lineare)
Si noti che, se esplicitiamo I C , otteniamo
VCC − VCE
IC =
RC
che può essere disegnata come una retta a coefficiente
( )
angolare negativo sul grafico iC vCE . Questo ci torna
comodo in quanto possiamo trovare per via grafica la
VCE di riposo (v. figura a destra).

Si noti che, all’aumentare di I B , il punto di riposo si

avvicina sempre di più alla saturazione!
Alcuni scelte relative alla polarizzazione (parte 1)

Schema a destra (da evitare!)

Correnti di base e di collettore:
VBB − VBE
on
VBB − VBE
on
IB = IC = βF
RB RB
Il parametro β F è però molto “incerto” e, se lo si aumenta troppo, aumenta IC e rischia di farci andare in
saturazione. Un circuito del genere è deprecabile: conviene mettere una resistenza RE sull’emettitore.

Schema a sinistra (giusto!)

La corrente di base può essere trovata tramite la legge di Ohm:
V − VBE on
I B = BB
RE ( β F + 1)
Moltiplicando per β F otteniamo la corrente di collettore ma questa volta abbiamo una dipendenza da β F
assolutamente trascurabile (abbiamo “desensibilizzato” il circuito):
V − VBEon
βF β F →∞ V − VBEon
IC = BB  → BB
RE βF + 1 RE
Circuito di polarizzazione (parte 2)

Se prendiamo un circuito fatto così

e guardiamo verso sinistra possiamo ricavare l’equivalente di Thevenin (NOTA:

( per
ricavare il generatore equivalente è necessario trovare la “tensione in uscita”, che
nel nostro caso è quella ai capi di RB 2 , la prima volta staccando i generatori
indipendenti di corrente e la seconda conda staccando quelli di tensione e infine
tensione
sommando i due contributi;
contributi; per trovare la resistenza equivalente si annullano
annulla tutti i
in uscita
generatori si calcola la resistenza con le solite regole di composizione).
composizione
Otteniamo:
• generatore equivalente:
RB 2
VBB = VCC
RB1 + RB 2
RB1 RB 2
• resistenza equivalente ( VCC viene staccata): RB =
RB1 + RB 2
A questo punto disponiamo del circuito equivalente (v. figura a sinistra). Si noti
che tale circuito ha una valenza soltanto teorica e serve esclusivamente per
calcolare le correnti e le tensioni a riposo: nella realtà, il circuito risulta essere, a
tutti gli effetti, quello di partenza.
A questo punto vogliamo trovare I B e I C : partiamo impostando
imp la legge di
Kirchhoff per le tensioni:
VBB = RB I B + VBE + RE I E dal gen. equivalente fino a massa

VCC = RC IC + VCE + RE I E dal gen. di alimentazione fino a massa

Facendo l’ipotesi di lavorare in regione normale:

VBE ≅ VBE
on
IC = β F I B I E = ( β F + 1) I B
VCE > VCE
sat
≃ 0, 2 V
VBB = RB I B + VBE + RE I E VBB = RB I B + VBE
on
+ RE I B ( β F + 1)


VCC = RC IC + VCE + RE I E VCC = RC IC + VCE + RE I B ( β F + 1)
Otteniamo:
VBB − VBE on
IB =
RB + RE ( β F + 1)
VBB − VBE on
β F RE ≫ RB V − VBEon
βF β F ≫1 V − VBEon
IC = β F  → BB  → BB
RB + RE ( β F + 1) RE βF + 1 RE
 La corrente di collettore è molto importante perché determina il consumo a
riposo del circuito. Il circuito dissipa un quantitativo di potenza calcolabile
calcolab
come quella erogata a riposo dai generatori VCC (d’alimentazione) e V EE
(eventualmente posto a valle).
PEROG = PDISS = VCC ICC + VEE I EE = RB1 I RB
2
1
+ RB 2 I RB
2
2
+ ...

VEE
 current mirror)
Specchio di corrente (current mirror

Quella a sinistra è la raffigurazione di uno specchio di corrente: esso è un

dispositivo che, oltre ad approssimare molto bene il funzionamento di un
generatore di corrente, è anche in grado di specchiare su un ramo la
corrente presente in un altro ramo (a meno di una piccola quantità). I due
BJT in figura sono connessi a diodo e sono perfettamente uguali (stesso
parametro β , stessa VBE on
e stessa VBE , stesso dimensionamento dei
parametri etc.); facciamo poi l’ipotesi che essi siano entrambi in regione
normale diretta e, finché siamo ai grandi segnali, trascuriamo l’effetto
Early. Allora si ha:
I B1 = I B 2
Ma, siccome i transistor sono uguali:
IC 2 = IC 1 = IO I E1 = I E 2
(si noti che IC 2 è misurata sotto il nodo di R e del filo che connette le due basi)
La corrente che scorre lungo la resistenza R sarà quindi:
IC  2   β F + 2  β F →∞
I R = IC 2 + 2 I B 2 = IC 2 + 2 = IC 2  1 +  = IC 2   → IC 2
βF  βF   βF 
Ma IC 2 = IO per cui possiamo dire che pure I R = IO . L’espressione di I R può d’altronde essere formulata
anche con la legge di Ohm:
VCC − VEE − VBE
on
IR = = IO
R
Ora abbiamo tutti gli elementi per dimensionare R:
VCC − VEE − VBE
on
βF
R= =
IO βF + 2

Ai piccoli segnali lo schema è:

Essendo vbe 1 = vbe 2 = 0 ( Vbe è costante quindi non vi è componente ai piccoli segnali), i due generatori sono
in realtà staccati e la resistenza d’uscita sarà banalmente pari a rce 1 .
Introduzione agli amplificator
mplificatori e linearizzazione

In figura vediamo il simbolo dell’amplificatore e la definizione di guadagno AV , valida per le frequenze

molto basse (in condizioni “statiche”).

Un amplificatore viene così alimentato:

Pdc ≜ V1 I1 + V2 I 2
Conservazione dell’energia:
PIN + PDC = PL + PDISS
( PL = ceduta al carico PDISS = dissipata
PIN = in ingresso )
A partire da questi parametri si può definire l’efficienza
l’
dell’amplificatore:
PL P
η= ⇒ η ( % ) = L ⋅ 100
PDC PDC
Di seguito vediamo invece più in dettaglio la caratteristica di trasferimento statica: VI è la tensione
corrispondente al punto di riposo mentre VO è la tensione in uscita che si ha in corrispondenza di tale
() ()
valore; vi t e vO t sono invece grandezze tempo-dipendenti
tempo dipendenti che sussistono grazie alla presenza di un
segnale in ingresso e in uscita (amplificato).
vI = VI + vI ( t )

vO = VO + vO ( t )
parte tempo-
dipendente
guadagno

componente
“a riposo”

Come viene fatto notare anche in figura, il guadagno viene definito facendo uso della forma:
 dvO
AV =
dv I Q

(Q = nel punto di riposo [ V0 , I 0 ])

Se chiamiamo F la funzione che mette in relazione il segnale d’ingresso con quello d’uscita, allora potremo
anche scrivere:
vO = F ( vI )
Dopodiché sviluppiamo in serie di Taylor il segnale in uscita, per ottenere:
1 d2 F 1 d3 F
VO + vO ≅ F ( VI ) +
dF
vI + v 2
+ vI3 + ...
 dvI Q
2
2! dvI Q I 3
3! dvI Q
= VO

Applichiamo l’approssimazione di piccolo segnale, la quale ci porta a troncare i termini dopo il primo:
dF 1 d2 F 1 d3 F
VO + vO ≅ VO + vI + 2
vI +
2
3
vI3 + ...
dvI Q
2! dvI Q 3! dvI Q

dF
vO ≅ vI = AV vI
dv I Q

Ed ecco che abbiamo definito il guadagno come parametro differenziale.

Si noti infine che gli amplificatori, per funzionare correttamente, devono trovarsi in zona di elevato
guadagno: oltre tale zona, infatti, andiamo in saturazione e la caratteristica ci trasferimento fra uscita e
ingresso (v. figura a fianco)
non è più buona in quanto la
tensione d’uscita rimane
perennemente costante ad un
valore ±VM (a seconda dei
casi).
Caratteristica invertente degli amplificatori

In figura a fianco vediamo la caratteristica di un

amplificatore invertente: si nota immediatamente che
la differenza di fase tra il segnale d’uscita e quello
d’ingresso è di 180° (differenza di fase che equivale
all’introduzione di un segno meno).
meno) Questo tipo di
amplificatore è schematizzabile con un due porte (v.
figura sottostante):

I parametri che descrivono il circuito equivalente sono:

• la tensione in ingresso v I e quella in uscita vO , le quali sono legate dal…
vO
• guadagno (a circuito aperto), definito come AV = (ai piccoli segnali, dunque, è valida la
vI iO → 0

relazione vO = AV vI ); come si nota, presso l’uscita si trova un generatore dipendente, il quale eroga
una tensione proporzionale proprio tramite AV a quella d’ingresso;
• la resistenza d’ingresso RI , che non è un componente fisico ma un parametro elettrico di valenza
teorica avente valore tendente a infinito nel caso ideale;
• la resistenza d’uscita RO .
Le espressioni di v I e di vO sono facili da ricavare (v. figura a
destra): se vS e RS sono i parametri della sorgente, si ha
RI ≫ RS
RI
vI = vS 
(caso ideale)
→ vS
RI + RS
Infine, se RL è la resistenza di carico e vO la tensione ai suoi capi,
abbiamo
RO = 0
RL
vO = AV vI 
(caso ideale)
→ AV vI
RL + RO
Amplificatore di corrente, amplificatore a transconduttanza, amplificatore a transresistenza

Il primo amplificatore che vediamo è

quello di corrente, del quale si riporta
lo schema circuitale sulla sinistra.
L’ingresso può essere schematizzato
tramite il circuito equivalente di
Norton: la sorgente è infatti
raffigurata tramite un generatore
indipendente di corrente iS in
parallelo con una resistenza RS , la quale dovrebbe essere idealmente infinita
(se così non fosse, una volta chiuso il circuito della sorgente su un carico
nza d’ingresso RI dell’amplificatore, non tutta la
quale può essere la resistenza
corrente iS fluirebbe sul carico). Siamo quindi pronti per dare un’espressione
un’espress
della corrente in ingresso
RI → 0
RS
iI = iS 
(caso ideale)
→ iI = iS
RS + RI
nonché di quella d’uscita:
RO ≫ RL
RO
iO = ASiI 
(caso ideale)
→ AS iI
RO + RL
Il parametro AS è il guadagno in corrente dell’amplificatore.

Quello a destra rappresenta invece l’amplificatore a

transconduttanza:: tale circuito ha un guadagno a “effetto di
conduttanza” con un controllo non locale della corrente di
uscita. Ciò significa che è possibile controllare il guadagno
del nostro amplificatore.
Nel caso ideale RI = RO = ∞ , mentre il guadagno viene
definito nel seguente modo:
iI vO
Gm =
Rm =
vO iO = 0 iI iO = 0
(circuito aperto) (circuito aperto)

Infine, il seguente è l’amplificatore a transresistenza:

In condizioni ideali ( RI = RO = 0 ) il guadagno è

vO
Rm =
vI iO = 0
(circuito aperto)
Semplice amplificatore a BJT

In figura vediamo il BJT in configurazione di common emitter

emitt (“emettitore comune”,
cioè posto a massa). Riportiamo inoltre il grafico di iC in funzione di vCE , sul quale è
stata anche tracciata la retta di carico
carico (sulla quale giace il punto di riposo Q). Il
funzionamento
unzionamento del dispositivo
dipende dal valore istantaneo di i B e
alla retta di carico e varierà nel tempo
in un intorno del punto di riposo Q;
anche la vCE , inoltre, coprirà un
intervallo di valori corrispondente
alla “proiezione
proiezione” dell’intorno. Come
si nota, se i B ha un andamento
sinusoidale, anche iC avrà questa
caratteristica (così come varia
sinusoidalmente la vCE ). Inoltre, poiché la retta ha
coefficiente angolare negativo, quando i B cresce vCE
decresce. Il guadagno, che viene espresso in questo modo
v CE fasore del segnale d'uscita
AV = =
v BE fasore del segnale d'ingresso
è apprezzabile tanto più l’ampiezza della tensione d’uscita è superiore a quella d’ingresso.
Definizione di un modello lineare a partire da un modello non lineare

Prendiamo un diodo (hp: polarizzazione diretta),, la cui caratteristica - essendo

esponenziale - è tutt’altro che lineare. Possiamo approssimarlo con un componente di tipo
lineare (magari ai piccoli segnali)? Certo che sì, facendo uso della celeberrima Serie di
Taylor troncata al prim’ordine; chiaramente non possiamo fare miracoli, quindi ci
dovremo accontentare
ontentare di un’approssimazione un po’ forzata. Applichiamo una piccola
( ( ) ( ))
perturbazione vD t , iD t spostando il diodo dal punto di riposo V D , I D ( ) al nuovo

 
punto VD + vD ( t ) , I D + iD ( t )  . Ricordiamo che

    

 vD iD 
 vD 
iD = IS  e VT − 1 
 
 
Perciò si avrà:
 VVD  di 1 d 2 iD
( )
Taylor
iD = I D + i D ( t ) = F ( vD ) = F VD + vD ( t ) ≅ I S  e T − 1  + D ( v D − VD ) + ( vD − VD ) + ...
2

  dvD   2 dvD 

2

  
Q scostamento Q
scostamento 2
 
valore di riposo I D termine proporzionale allo termine proporzionale allo
scostamento scostamento 2 , troncato!

D v
di I
iD ( t ) ≅ D ( vD − VD ) = S e vT ⋅ vD ( t ) = gd ⋅ vD ( t )
dvD Q   VT
 
scostamento
g d
termine proporzionale allo
scostamento

Ciò che abbiamo fatto è stato quindi confondere la curva

caratteristica del diodo con una retta tangente in Q (v. figura). Il
termine g d ha le dimensioni di una conduttanza e viene per
questo detta conduttanza differenziale del diodo (nel punto di
riposo). Grazie all’approssimazione compiuta, è quindi lecito,
lecito in
condizioni di piccolo segnale, sostituire il diodo con una
conduttanza (o, facendo
cendo il reciproco, con una resistenza) differenziale:
Modello ai piccoli segnali del BJT

In figura a SX vediamo un BJT (che ipotizzeremo

funzionante in RND, cioè regione normale diretta).
diretta In tal caso
si ha che:
vBE

iC = IS e VT

Questa espressione è tuttavia un’approssimazione perché

non tiene conto dell’effetto Early,, né di altri eventuali effetti
di non idealità.

Per tenere conto di questi e

di altri particolari analoghi
(accoppiamenti capacitivi, dissipazione di potenza per effetto Ohm, effetto
amplificante…) risulta utile utilizzare un modello ai piccoli segnali. In un
circuito ai piccoli segnali:
• andiamo a raffigurare soltanto le “piccole perturbazioni” che
possono smuovere il segnale dal punto di riposo Q fino ad una
nuova situazione
one (queste quantità sono state in questo paragrafo
indicate con la tilde);
• poniamo a massa tutte le tensioni che rimangono costanti (come ( ad esempio quella d’alimentazione)
d’
nonché quelle che si riferiscono al punto di riposo (scritte in maiuscolo);
• lasciamo intatte le resistenze e i componenti reattivi presenti ai grandi segnali;
• inseriamo (sotto forma rma di componenti lineari) i componenti “fittizi” (ovvero teorici) che sono
scappati fuori una volta fatto lo sviluppo di Taylor delle varie tensioni/correnti (ad esempio la
transconduttanza gm , oppure la resistenza rCE di effetto Early, nonché tutti gli altri componenti
lineari che - nella loro approssimazione - incarnano un effetto non lineare, etc…).

ESEMPIO:

Diventa

Nel circuito ai piccoli segnali:

• bisogna fedelmente riportare i tre terminali (B = base, C = collettore, E = emettitore);
• compare la rBE , la quale deriva dal seguente sviluppo (sinteticamente riportato)
 
  di
iB = I B + i B ( t ) = F  VB + vBE ( t )  = F ( VB ) + B vBE ( t )
      dvBE
perturbazione  perturbazione di tensione che  = IB
di corrente  genera quella di corrente  = g BE

−1
dove g BE = rBE .;
 • compaiono la rCE , che quantifica l’effetto Early (v. relativo paragrafo), nonché la transconduttanza1
gm ; entrambe queste quantità differenziali vengono entrambe generate nel seguente sviluppo
vBE
 v  ∂i ∂i
iC = I C + iC ( t ) ≅ I S e  1 + CE  + C
VT
vBE ( t ) + C vCE ( t ) + ...
  V A  ∂vBE Q  ∂vCE Q  
riposo perturbazione

  perturbazione  perturbazione
IC gm gCE

La gm , in particolare, quantifica l’effetto di controllo della vBE sulla iC e - per questo - entra a far
()
parte dell’espressione della tensione associata al generatore dipendente da vBE t ≡ vɶ BE (cioè dalla
perturbazione di tensione in ingresso) che eroga corrente verso il
collettore (cioè verso l’uscita);
• compare la RC , che è presente anche ai grandi segnali e che non è
un componente teorico-fittizio
fittizio bensì un elemento fisico;
f
• vengono definite due resistenze importanti:
o la resistenza d’ingresso RI , che raccoglie tutto ciò che si
vede dal terminale della base guardando verso “l’interno”
del BJT;
vi vɶ BE
Ri = = = rBE
ii iɶB
(assume valori molto elevati)
o la resistenza d’uscita RO (definita quando vi = 0) che raccoglie tutto ciò che si vede dal
terminale del collettore guardando verso “l’interno” del BJT.
vO
RO =
iO vi = 0

Sappiamo che vi ≡ vɶ BE = 0 per ipotesi, e

questo significa che scompare il generatore
dipendente di tensione. Rimane il parallelo di
tre resistenze, che si riducono a due visto che
sulla rBE a questo punto non scorre più
corrente (la condizione vɶ BE = 0 equivale a
porre un cortocircuito all’ingresso, v. figura a lato). Perciò:
RO = rCE //RC
Usualmente accade che RC ≪ rCE quindi si ha:
RO ≅ RC
Si definisce quindi il guadagno di tensione intrinseco:
intrinseco
vO g v ⋅ ( RC //rCE ) I
AV = =− m I = − gm RC //rCE ≅ − gm RC = − C RC
vI vI VT
Si tratta di un guadagno negativo, l’amplificatore si comporta come un generatore di tensione invertente.
invertente
Tale guadagno è fissabile tramite la configurazione
configurazi statica del punto
nto di lavoro, ma is tenga presente che a
un guadagno più elevato corrisponde una maggiore dissipazione di potenza.

1 NOTA IMPORTANTE: parametri come la transconduttanza g m dipendono dal punto di riposo e non sono univoci! Se lo fossero
non ci sarebbe bisogno di linearizzarli tramite il troncamento della serie di Taylor: una transconduttanza sempre uguale in ognio
punto di riposo è infatti schematizzabile come una retta senza bisogno dei troncamenti effettuati per i componenti non lineari.
Infine, per completezza, svolgiamo le derivate parziali che compaiono nelle definizioni e riportiamo le
espressioni complete dei parametri differenziali g BE e gCE :
v BE
IS I
g BE = e VT = B
β F 0 VT VT
v
IS VBET IC I
gCE = e = ≅ C
VA VA + VCE VA
Configurazioni d’amplificazione:
azione: emettitore comune (IN: base, OUT: collettore)

Consideriamo un BJT in configurazione “emettitore

comune”. Volendo dare uno schema circuitale più
completo (ma ancora ai grandi segnali), possiamo
inserire elementi come la resistenza di carico RL ,
quella d’emettitore RE , quella di collettore RC , le due
resistenze di base RB1 e RB 2 . Inoltre, per porci nel caso
più generale possibile, introduciamo anche la sorgente
()
(tensione vS = VS + vS t , resistenza RS e capacità
d’ingresso C IN ) e poniamo come tensione “bassa” la
generica V EE invece di massa. A questo punto ci siamo
ricondotti allo schema a fianco.

Considereremo i condensatori come degli aperti o meno in base alla frequenza; in condizioni statiche,
infatti, si ha:
1 ω bassa 1 ω alta
ZC = →∞
→ ∞ (aperto) ZC =  → 0 (corto)
jωC (condizioni statiche)
jωC C →∞
Se chiamiamo RI (resistenza d’ingresso, v. paragrafo precedente)
tutto ciò che vediamo dalla base verso l’interno del circuito, il
nostro schema diventa quello della figura a fianco.

A volte risulta comodo scomporre il guadagno in più parti ed

esaminare singolarmente ciascuna di esse; coerentemente
con le quantità indicate in figura, il guadagno sarà perciò
pari a:
vO vO vIN
AV = =
vS vIN vS

AV′ AV′′

La caratteristica di trasferimento presenta un polo e il

dispositivo
o funzionerà alla stregua di un filtro passivo
passa-alto
alto (v. figura a destra). Tale risposta in frequenza è
dovuta alla presenza della capacità C IN : grazie ad essa solo le componenti a pulsazione sufficientemente
za subire l’attenuazione d’ingresso del circuito. Se introduciamo CO il numero di poli
elevata passano senza
aumenta a 2 e si modifica anche la risposta in frequenza;
frequenza; tuttavia, alle pulsazioni alle quali lavoreremo,
possiamo considerarli come dei cortocircuiti (teoricamente lo sono se la frequenza tende ad infinito).
infinito)

v′′
RESISTENZA D’INGRESSO ( rce → ∞ per Hp )

RIN = RB //R′IN
vIN
R′IN =
iIN
 
vIN = rbe iIN + RE iIN + gm vbe  = rbe iIN + RE iIN + gm rbe iIN  = iIN  rbe + RE ( 1 + gm rbe ) 
 
 vbe 

Per cui si ha:

vIN iIN rbe + RE ( 1 + gmrbe ) 
′ =
RIN = = rbe + RE ( 1 + gmrbe )
iIN iIN

GUADAGNO ( rce → ∞ per Hp )

vO
AV′ =
vIN
vO = − gm vbe ( RC //RI ) vIN = vbe + RE ( gbe vbe + g m vbe )
vO gm vbe ( RC //RI ) g r ( R //R )
AV′ = =− = − m be C I
vIN vbe + RE ( gbe vbe + gm vbe ) rbe + RE ( 1 + gmrbe )

RESISTENZA D’USCITA ( rce ≠ ∞ !! )

Per il calcolo della resistenza d’uscita si ricorda che bisogna annullare il segnale (cioè il generatore)
d’ingresso.
v
RO = RC //RO′ RO′ = O
iO′
iO = gm vbe + gce vce vO = rce  iO′ − gm vbe  +  RE // ( rbe + RS //RB )  iO′
  
v′′

rbe rbe
vbe = − v′′ = − RE // ( rbe + RS //RB ) iO′
rbe + RS //RB rbe + RS //RB
Sostituendo nell’espressione della tensione vO
 rbe 
vO = rce  iO′ + gm RE // ( rbe + RS //RB ) iO′  + RE // ( rbe + RS //RB ) iO′ =
 rbe + RS //RB   
v′′

 
 RE ⋅ ( rbe + RS //RB ) rbe 
= rce iO′ 1 + gm  + R // ( r + R //R ) i′ =
 RE + ( rbe + RS //RB ) rbe + RS //RB  
E be S B O

      v′′

 svolto il parallelo 
 RE 
= rce iO′ 1 + gm rbe  + RE // ( rbe + RS //RB ) iO′
 RE + ( rbe + RS //RB ) 
 RE 
rce iO′ 1 + gm rbe  + RE // ( rbe + RS //RB ) iO′
v  RE + ( rbe + RS //RB ) 
RO′ = O =
iO′ iO′
vO  RE 
RO′ = = rce 1 + gm rbe  + RE // ( rbe + RS //RB )
iO′  RE + ( rbe + RS //RB ) 
RO = RC //RO′
NOTA:: se trascuriamo l’effetto Early si ha rCE → ∞ per cui RO = RC
Qualche considerazione finale:
- a frequenze basse ( f → 0 , cioè in statica) il condensatore C E si comporta come un circuito aperto,
aperto
mentre ad alte frequenze è assimilabile ad un cortocircuito; tale condensatore prende il nome di
capacità di bypass in quanto a frequenza elevata bypassa (cioè scavalca) RE . Per questo è possibile, in
banda passante, porre RE → 0 e approssimare il guadagno a
AV′ = − gm ( RC //RL )
- in continua, RE è utile per “desensibilizzare” il punto di riposo
mentre in banda passante ha l’effetto negativo di abbassare il
guadagno. La presenza di C E fa sì che RE agisca normalmente nel
caso del punto di riposo e cortocircuiti
cor RE nel calcolo del
guadagno;
- per effettuare lo studio in frequenza del circuito bisogna calcolare
il parallelo
1
resistenza RE // condensatore CE ⇒ RE //
sC E
Ecco come appare il diagramma di Bode (hp: RB → ∞ )

 1
ωz = R C
 E E
 1
ω =
 p  rBE 
  RE //  C E
  1 + g r
m BE 
Configurazioni d’amplificazione: collettore comune (IN: base, OUT: emettitore)

Consideriamo un BJT in configurazione

igurazione “emettitore comune” (v.
figura a sinistra). Per ipotesi sia RB = RB1 //RB 2 . Terremo in conto
anche l’effetto Early.

RESISTENZA D’INGRESSO

RI = RB //R′I
R′I = rbe + R′′I

RI′′ =
(r ce
//RE //RL )( gbe vbe + gm vbe )
= ( rce //RE //RL )( 1 + gm rbe )
gbe vbe
Per cui si ha:
RI = RB // rbe + ( rce //RE //RL )( 1 + gmrbe ) 

La resistenza d’ingresso è
piuttosto elevata ed infatti tale
amplificatore è utilizzato
quando serve una RIN grande.
rce
GUADAGNO
Passiamo al guadagno:
VO
AV =
RO′ VI
VO = ( rce //RE //RL )( gbe vbe + gm vbe )
VI = vbe + ( rce //RE //RL )( gbe vbe + gm vbe )

AV =
( g + g )( R //r //R ) = (1 + g r )( R //r //R )
be m E ce L m be E ce L

1 + ( g + g )( R //r //R ) r + ( 1 + g r )( R //r //R )

be m E ce L BE m be E ce L

Questo guadagno è quasi uguale ad 1 (è di poco inferiore).

inferiore). Da solo, un collettore comune, serve quindi a
poco,
co, ma ha resistenza d’ingresso alta e (vedremo) resistenza d’uscita bassa, che è un’ottima cosa: il
collettore comune può quindi essere utilizzato in cascata con altre configurazioni che invece guadagnano
molto (es. emettitore comune).
COLLETTORE COMUNE + EMETTITORE COMUNE + COLLETTORE COMUNE
(per la resistenza d’ingresso) (guadagna molto) (per la resistenza d’uscita)
Il collettore comune, fornendo una tensione d’uscita che è replica della tensione d’ingresso, ha le
caratteristiche proprie di un inseguitore, che trova utilizzo in quanto è in grado di erogare sul carico una
corrente molto superiore a quella erogabile dalla sorgente

RESISTENZA D’USCITA
VO
RO = = ( RE //rce ) //RO′
IO VI = 0

VO′ ( RS //RB + rbe )( − gbe vbe ) rbe + RS //RB

Abbiamo però che RO′ = = =
IO′ − ( gbe + gm ) vbe 1 + gmrbe

Come avevamo anticipato, la resistenza d’uscita è bassa e quindi forniamo molta corrente al carico.
Configurazioni d’amplificazione: base comune (IN: emettitore,
emettitore OUT: collettore)

Quella in figura a sinistra è la configurazione cosiddetta

base comune. Poco
oco più sotto viene mostrato lo schema ai
piccoli segnali.

RESISTENZA D’INGRESSO ( rce → ∞ )

RI = RE //R′I
vbe
R′I = − i′ = − gbe vbe − gm vbe
i′
Da cui si ha (nota il verso di vbe ):
vbe vbe 1
R′I = − = = =
− gbe vbe − gm vbe gbe vbe + gm vbe gbe + gm
rbe rbe
= =
rbe gbe + rbe gm 1 + gm rbe

Si noti che tale resistenza d’ingresso

è piccola e, precisamente, la più
piccola di tutte le configurazioni
d’amplificazione (fra collettore,
base e emettitore comune). vbe

RESISTENZA D’USCITA ( rce non

infinita, consideriamo Early)

RO = RC //RO′
vO
RO′ =
iO′
vO = rce ( iO′ − gm vbe ) + ( rbe //RS //RE ) iO′
Ma si ha che
vbe = − ( rbe //RE //RS ) iO′
Da cui si ha che:
( )  ( )
vO = rce iO′ + gm ( rbe //RE //RS ) iO′ + ( rbe //RS //RE ) iO′ = iO′  rce 1 + gm ( rbe //RE //RS ) + ( rbe //RS //RE ) 

Dividendo per la corrente iO′ si ha immediatamente la resistenza d’uscita RO′ :
( )
RO = rce 1 + gm ( rbe //RE //RS ) + ( rbe //RS //RE )

GUADAGNO ( rce → ∞ )

vO − gm vbe ⋅ RC //RL
AV = = = gm ( RC //RL )
vI −vbe
Percorsi: un’immagine utile per memorizzare i circuiti ai piccoli segnali
Amplificatori: generalità

I componenti raffigurati con la seguente notazione simbolica vengono chiamati amplificatori operazionali2
differenziali:

Le sue grandezze caratteristiche sono:

• le tensioni V+ e V− , che sono legate nell’espressione della tensione differenziale VD = V+ − V− ;
V+ + V−
• la tensione di modo comune VC = ;
2
• la tensione d’uscita VO = AVD VD + AVC VC , con
AVD guadagno differenziale e AVC guadagno di
modo comune.. Di norma si desidera avere
AVC ≪ AVD , cosicché da avere una tensione
d’uscita dipendente solo dalla tensione
differenziale; in questo modo, i disturbi che
ingress (se ad esempio, v. figura, uno spike crea un disturbo di tensione E
incidono su entrambi gli ingressi
sia su V+ che su V− si ha

(
VO = AVD V+ + E − V− − E )
e quindi E non viene amplificato e “scompare”, al contrario del segnale utile). A questo proposito il
CMRR (Common Ratio è definito come
Common Mode Rejection Ratio)
AVD
CMRR = 20 log
AVC
Per quanto abbiamo detto fin’ora, è cosa buona e giusta che tale parametro sia molto alto (ed infatti,
nella realtà, assume valori compresi
com fra 60 dB e 120 dB), se non infinito.

Gli op-amp
amp differenziali hanno anche altri pregi: fra questi sottolineiamo la grande flessibilità di utilizzo e
la minimizzazione dell’effetto di tensione di deriva termica.
Fra le applicazioni: integratori ad alta velocità, convertitori A/D e D/A, amplificatori low noise-low drift,
amplificatori logaritmici. Gli op-amp
amp differenziali sono molto usati in retroazione e mai ad anello aperto.

Le caratteristiche ideali di un amplificatore sono:

• resistenza (impedenza) a) d’ingresso RI infinita,
• resistenza (impedenza) d’uscita RO nulla,
• CMRR infinito (v. considerazioni
precedenti),
• banda passante infinita, AVI
• guadagno infinito.
Infatti, ai piccoli segnali un amplificatore può
essere così schematizzato come indicato in figura
a fianco. In tale schema VO = AV I − RO I O . Per

2Il nome è dovuto al fatto che con esso è possibile realizzare circuiti elettronici in grado di effettuare numerose operazioni
matematiche: la somma, la sottrazione, la derivata,
derivata l'integrale, il calcolo di logaritmi e di antilogaritmi.
antilogaritmi
avere il massimo di tensione in uscita RO è quindi chiaro che si deve avere RO = 0 : in tale situazione,
infatti, la tensione d’uscita non dipende dalla corrente d’uscita.
La stessa cosa si può vedere con la formula del partitore di tensione
RL
VO = AVI
RO + RL
Notiamo infatti immediatamente che, se RO = 0, si VO = AVI .
Stesso discorso per la resistenza l’ingresso: la tensione ai capi della resistenza d’ingresso è
RI
V = VI
RI + RS S
(formula del partitore)
Affinché VI = VS la resistenza d’ingresso dev’essere infinita.

Detto questo, passiamo ad analizzare alcune configurazioni notevoli.

Amplificatore invertente
Caratteristiche:
• guadagno negativo;
• desensibilizzato per AVD elevato;
• RI piuttosto bassa
guadagno elevato ma elevato
assorbimento di corrente in ingresso;
• RO alta
as usual.
La relazione caratteristica che lega la tensione d’uscita con quella
d’ingresso è
VO = AVD VD = AVD ( V+ − V− )
ma V+ è nulla, quindi…
VO = − AVD V−
V− può
ò anche essere espressa tramite un partitore di tensione:
R1 R2
V− = VO + V
R1 + R2 R2 + R1 I
Andando a sostituire:
R1 R2
VO = − AVD V− = − AVD VO − AVD V
R1 + R2 R2 + R1 I
 R1  R2
VO  1 + AVD  = − AVD VI
 R 1
+ R2 
R 2
+ R1

R2 AVD R2
AVD
VO R2 + R1 R2 + R1 AVD R2 AVD →∞ A R R
=− =− =−  → − VD 2 = − 2
VI R1 R1 + R2 + AVD R1 R1 + R2 + AVD R1 AVD R1 R1
1 + AVD
R1 + R2 R1 + R2
Come si nota, il risultato finale è frutto dell’approssimazione AVD → ∞ (amplificatore ideale, cioè dal
guadagno infinito). Per onor di cronaca, si poteva giungere a questo risultato tramite un’altra strada,
applicando l’ipotesi semplificativa del cortocircuito virtuale. Tale escamotage consiste nel considerare
infinito (già in partenza) il guadagno dell’amplificatore. In questo modo, essendo la relazione che lega le
grandezze
VO
VO = AVD VD = AVD ( V+ − V− )
esplicitando si ha
AVD = → ∞
V+ = V−
V+ − V−

 AVD → ∞

V = AVD ⋅ VD ⇒ VD → 0 ⇒ V+ = V−
Condizioni per il c.c. virtuale:  O
stabilità del punto di riposo
stazionarietà

Se V+ = 0 = V− allora anche V_ sarà a massa (la considereremo una massa virtuale)
virtuale e a questo punto, per la
di segno opposto) le correnti che scorrono su RI e R2 .
legge di Kirchhoff, saranno uguali in modulo (ma di
Perciò:
VI V R V
= − O ⇒ − 2 = O ≜ AVD
R1 R2 R1 VI
( VI ai capi di R1 e VO è ai capi di R2 )
Come è evidente, siamo giunti alle stesse conclusioni di prima.
Amplificatore non invertente

La seconda configurazione notevole è quella non invertente.

Senza batter ciglio possiamo già scrivere:
 
 R1 
VO = AVD ( V+ − V− ) =  
A VI − V 
≡ AVD  R2 + R1 O 
  
 partitore 
Portando a primo membro:
 AR1 
VO  1 +  = AVI
 R2 + R1 
VO A
=
VI AR1
1+
R2 + R1
VO A ( R2 + R1 ) A →∞ R + R1 R
=  → 2 = 1+ 2
VI R2 + R1 + AR1 R1 R1
Facendo l’ipotesi di cortocircuito virtuale non cambia assolutamente nulla perché la tensione che vi è sul
V− diventa immediatamente uguale a V+ , cioè a VI ; V− può essere espressa in funzione di VO con un
semplicissimo partitore:
R1 V R + R1 R2
VI = VO ⇒ O = 2 = +1
R1 + R2 VI R1 R1
Come si nota, col corto circuito virtuale è tutto molto semplice (torna buono negli esercizi)!
 voltage follower)
Inseguitore (voltage follower

“L’inseguitore è uno che corre alla ricerca di qualcosa. Qui corriamo alla ricerca della
corrente.”
(A. P.)

L’inseguitore di tensione è un separatore ideale in quanto trasforma il livello di impedenza senza

degradare il livello di segnale; esso non richiede correnti in ingresso e può pilotare qualsiasi carico in uscita
senza perdita di segnale.
ale. Si trova in molti sensori ed in circuiti di acquisizione dati.
Per trovare la relazione ingresso-uscita
uscita possiamo percorrere tre
differenti strade:
• strada “classica”:
VO = A ( V+ − V− ) = A ( VI − VO )
VO
VO ( 1 + A ) = VI ⇒
A A →∞
=  →1
VI A + 1
Questo significa che si tende ad avere VI = VO e dunque la
tensione “insegue” l’ingresso. Tale componente si comporta
quindi come un buffer (ricopia un segnale creando un disaccoppiamento).
• cortocircuito virtuale: non c’è niente da scrivere perché V+ = V− quindi VO = VI ;
• partendo dalla configurazione non invertente, il cui guadagno aveva la seguente forma
R2
AV = +1
R1
possiamo ritornare all’inseguitore sostituendo R2 = 0 (si forma un cortocircuito) e R1 → ∞ (si
forma un aperto); si ha immediatamente AV = 1 .
Il convertitore tensione/corrente

Ce ne sono di due tipi (ma il funzionamento è chiaramente analogo):

quello non invertente
invertente e quello invertente (che esaminiamo di seguito).
Partiamo dalla classica formula dell’op-amp:
dell’op
VO = A ( V+ − V− )
La tensione sul terminale “positivo” è a massa, per cui
VO = − AV−
V− = RI + VO
VO = − A ( RI + VO )
ARI A→∞
VO = −  → − RI
A+1
Il risultato è stato ottenuto facendo la solita ipotesi (guadagno infinito).

Come si vede dalla figura soprastante, il convertitore non invertente (che

ha, al suo interno, un inseguitore) presenta un problema: se vogliamo
misurare la corrente I,, infatti, dobbiamo inserire un amperometro che, per quanto buono, non potrà mai
avere una resistenza interna nulla. Avremo quindi una caduta di tensione che andrà a disturbare l’ingresso.
Nel convertitore invertente questo problema non non si ha perché la tensione all’ingresso è minima se non
trascurabile.
Sommatore

Lo schema è quello della figura a fianco. Operando col

cortocircuito virtuale possiamo sfruttare la sovrapposizione
degli effetti per ricavare la tensione d’uscita:
PASSO 1 - mettiamo a massa V2 e V3 : ci troviamo con una
configurazione non invertente semplice, che ha guadagno
R5
− per cui si ha
R1
R5
VO = − V + ...
R1 1
PASSO 2 - a questo punto mettiamo a massa V1 e V3 :
troviamo una configurazione non invertente meno banale
di quella del caso precedente in quanto non abbiamo la tensione d’ingresso direttamente su V+ ma ci
troviamo in mezzo anche un partitore, ma tanto non ci spaventa. Quel che viene è
 R   R3 //R4 
... +  1 + 5    V + ...
 R1   R2 + R3 //R4  2
 
guadagno del non
invertente

PASSO 3 - mettendo a massa V2 e V1 abbiamo:

 R   R2 //R4 
... +  1 + 5   V
 R1   R2 //R4 + R3  3
La tensione VO complessiva
R5  R   R3 //R4   R5   R2 //R4 
VO = − V1 +  1 + 5    V2 +  1 +   V3 =
R1  R1 
R2
+ R3
// R4   R1 
R2
//R4
+ R3 

è quindi la somma di V1 , V2 e V3 moltiplicate per opportuni coefficienti (da qui la denominazione di

sommatore).
Configurazione differenziale

Un op-amp differenziale
nziale consta di un circuito fatto così:

Notiamo anzitutto che possiamo considerarlo come una derivazione del sommatore (con un certo numero
di resistenze uguali). Il principio di risoluzione è sempre lui: se mettiamo a massa V2 , rimane un semplice
amplificatore invertente
R2  R   R2 
VO = − V1 +  1 + 2  V
R1  R1   R1 + R2  2
Svolgendo i calcoli rimane:
R2
VO = ( V − V1 )
R1 2
E quindi la tensione d’uscita dipende dalla differenza degli ingressi.
Amplificatore da strumentazione

In alcune applicazioni l’amplificatore differenziale ad op-amp

op amp non può essere utilizzato per amplificare la
differenza di due segnali di ingresso a causa della sua bassa resistenza di ingresso. Si ricorre allora alla
cascata di due amplificatori non invertenti con un amplificatore
amplificatore differenziale ad op-amp.
op

Î

( )
Scopo: trovare il rapporto vO v1 , v2 . Abbiamo un differenziale, quindi possiamo subito scrivere3 che
R3
vO = ( V − VB )
R2 A
Dobbiamo ora esprimere VA − VB ( ) in funzione di V2 e V1 . Se applichiamo il metodo del corto-circuito
corto
virtuale (hp: guadagno degli amplificatori
∞ ) avviene che:
• V 2 − diventa pari a V 2 + ;
• V1+ diventa pari a V1− .
Per cui possiamo eguagliare tali due quantità, le quali si riferiscono entrambe alla stessa corrente Î (che
scorre lungo R):
VB − V A V2 − V1 2 R1 + R
2R
=
VB − VA = ( V2 − V1 )
2 R1 + R 
R R
  legge di Ohm sulla
attraverso la maglia variabile
resistenza varia
ROSSA

NOTA: questo passaggio è stato possibile in quanto l’operazionale non assorbe corrente in prossimità delle
sue porte d’ingresso. Possiamo ora sostituire all’interno della prima equazione per ottenere:
R3 2R + R
vO =
R2
( V2 − V1 ) 1
R
Si noti che:
• il guadagno differenziale è pari al prodotto dei guadagni degli stadi in cascata;
• la resistenza d’ingresso presentata ad entrambe le sorgenti di segnale è idealmente infinita;
• la resistenza d’uscita è mantenuta bassa dall’amplificatore differenziale ad op-amp;
op
• guadagno di tensione controllabile mediante una singola resistenza (R).

3 Si poteva analogamente risolvere con la sovrapposizione degli effetti.

Coppia differenziale e modello ai piccoli segnali

Ipotesi: BJT identici, RC uguali (schema simmetrico) e polarizzati

allo stesso modo ( VIN 1 = VIN 2 ), ingresso puramente differenziale
(non vi è la componente di modo comune).
Il circuito ai piccoli segnali diventa quello in figura sotto: si noti che
i potenziali costanti sono stati tutti messi a massa, che il generatore
di corrente IO è stato modellato con una resistenza (posta al di sotto
del nodo X) e che sono state messe in evidenza le rbe dei BJT, sulle
quali agiscono le tensioni d’ingresso.
L’ipotesi che l’ingresso fosse puramente differenziale ci permette di
stabilire la seguente relazione per le tensioni d’ingresso (sempre ai
v
piccoli segnali) vin1 = −vin 2 = id . A patto che lo schema sia
2
v
perfettamente simmetrico, anche l’uscita sarà puramente differenziale: vo1 = −vo 2 = od .
2

I due rami possono essere esaminati singolarmente ai piccoli segnali, restituendo quanto segue:

Si noti che la resistenza Rlo è scomparsa in quanto vbe 1 = −vbe 2 (in virtù dell’ingresso differenziale) e quindi,
applicando Kirchhoff al nodo X, si ha gm vbe 1 = − gm vbe 2 e non scorre corrente su Rlo
il nodo X è una
“massa virtuale” in quanto ha potenziale nullo.
In particolare si ha:
uscita

differenziale

vod 2 vo 2 2 RC ( − gm vbe1 )
Avd = =− =− = gm RC
 vid 2 vi 1 2 vbe 1
guadagno 
differenziale ingresso
differenziale

E anche:
vo 2 vo 2 R
SE
Avd = = = − gm C
vid 2 vi 1 2
Passiamo ora al caso in cui vi è solo ingresso di modo comune (le altre ipotesi rimangono invariate).
Se splittiamo in due parti la resistenza Rlo utilizzando le regole del parallelo “al contrario”

( 2R )
2

2 Rlo //2 Rlo = lo

= Rlo
2 Rlo + 2 Rlo
otteniamo lo schema seguente, che può essere facilmente diviso in due sottocircuiti (un per ramo).

ibe x2

Diviso in 2
sottocircuiti

Il guadagno di modo comune è quindi:

v v − RC gm vbe 1 gmrbe RC
Acm = oc = o 2 = =−
vic vi 1 vbe 1 + 2 Rlo ( gm vbe 1 + ibe ) rbe + ( 1 + gm rbe )( 2 Rlo )