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Reporte de informe

COLEGIO NACIONAL DE EDUCACION PROFESIONAL TECNICA

NOMBRE DEL PROFESOR:

ALFREDO MORENO MORALES

NOMBRE DEL ALUMNO:

Ricardo mateo de los santos mateo de los santos

NOMBRE DE LA MATERIA: OPERACIN DE CIRCUITO ANALOGICOS Y DIGITALES

FECHA: 04 DE MAYO DEL 2012

GRADO: 2 SEMESTRE

INDICE INTRODUCCION

MATERIA

DESARROLLO

DIAGRAMA

OBSERVACION

CONCLUCION

BIOGRAFIA

INTRODUCION El transistor bipolar es un dispositivo semiconductor que permite el control y la regulacin de una corriente grande mediante una seal muy pequea .El uso del transistor en las zonas de corte y saturacin permiten que ste funcione como un interruptor para activar o desactivar alguna carga .Zonas de Operacin del transistor CORTE.-No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera .El transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto . IB= IC= IE= 0; VCE= VCC

SATURACION.Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable .En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el Colector.

; Vcc = R Cx IC

ACTIVA Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente .Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en conmutacin En definitiva, como si fuera un interruptor

Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones: La zona de Base debe ser muy estrecha. El emisor debe de estar muy dopado. Generalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica. Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares. Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Recurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones. 3

MATERIAL El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro frenador. Aplicando tensin positiva entre el frenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de frenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal. El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300.Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador. La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 , y para frecuencias bajas, La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de emisor comn. La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems, la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces menor que la de la fuente de seal. DESARROLLO Antes de la aparicin del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados vlvulas termoinicas. Las vlvulas tienen caractersticas elctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la corriente que la atraviesa depende de la tensin en 4

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba ms de treinta toneladas y consuma 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequea ciudad. Tena alrededor de 18.000 vlvulas, de las cuales algunas se quemaban cada da, necesitando una logstica y una organizacin importantes .Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una revolucin. Pequeo, rpido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energa, remplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los aos 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando vlvulas termoinicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Vender, siguieron utilizando vlvulas en amplificadores de audio para guitarras. Las razones de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias: En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en directa y la unin basecolector en inversa. Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

DIAGRAMA
V1 12 Vrms 60 Hz 0

VCC 12V Q1

Q2 2N3906

C1 1F

2N3906

C2 1F R2 330 R1 330

LED2

R3 110k

LED1 R4 110

OBSERVACIONES El transistor de unin es un dispositivo semiconductor que contiene tres porciones vecinas dopadas alternativamente, en el cual la regin media es muy estrecha en comparacin con la longitud de fusin de portadores minoritarios correspondiente a esa zona. Como se muestra en la figura, el contacto de la regin central estrecha hacia el mundo exterior se conoce como base. Los contactos en las porciones externas reciben los nombres de emisor y colector. Las designaciones de emisor y colector nacen de las funciones que cumplen estas zonas en el funcionamiento del dispositivo. A un cuando en la figura pueden lucir como dos zonas intercambiables, en los dispositivos prcticos actuales, la zona emisora generalmente est mucho ms dopada que la colectora y no se pueden intercambiar los terminales sin modificar las caractersticas del dispositivo. El transistor bipolar tiene cuatro regiones o zonas de funcionamiento o polarizacin en CC. Las regiones de funcionamiento se determinan de acuerdo con las polaridades de los voltajes en las uniones colector-base y base-emisor. La zona ms comn de funcionamiento del transistor bipolar es la zona activa, que se define como aquella que tiene la unin E-B polarizada en directo y la unin C-B polarizada en inverso. Para el p+np esto significa que la E-B tiene una polaridad de + a - y que la C-B tiene una polaridad de - a + Casi todos los amplificadores de seal lineales tienen sus transistores bipolares polarizados en la regin activa, porque es en esa regin donde tienen mayor ganancia de seal y menor distorsin La zona de saturacin se define como aquella en la que tanto la unin E-B como la unin C-B estn polarizadas en directa. Para el pnp, esto significa que los voltajes VEB y VCB son positivos. En los circuitos lgicos y cuando el transistor acta como conmutador, esto implica la regin de funcionamiento en la que |VCE| es pequea e |IC| es elevada; es decir, el dispositivo acta como un conmutador cerrado, o sea en conduccin. Un conmutador cerrado tiene poco o ningn voltaje entre sus bornes aun cuando fluya una corriente elevada. En un circuito lgico, denominamos a esto un nivel lgico cero o bajo. Definimos la zona o regin de corte como aquella en la que ambas uniones estn polarizadas en inversa. Para el transistor pnp esto hace necesario un voltaje negativo de VEB y de VCB. Esto representa generalmente el estado abierto, o sea en corte, para el transistor como conmutador, o el nivel lgico uno o alto en circuitos digitales. Cuando est en corte el transistor es similar a un circuito abierto en que |IC| es casi cero y |VCE| es elevado. Para el funcionamiento en activa inversa, la unin E-B est polarizada en inversa y la unin C-B lo est en directa. El uso ms comn de esta zona de funcionamiento es en circuitos de lgica digital, como la lgica TTL (transistor-transistorlgica).

CONCLUCION Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un indicador de corriente, una fuente de tensin continua y dos resistencias con interruptores. Las resistencias se deben de conectar entre la base y el colector, y la fuente entre el emisor y el colector. Con estos dos interruptores totalmente abiertos no se producir corriente de base, y el indicador de corriente mostrar una corriente nula. Ahora bien, para originar una corriente de colector o de base, solamente se debe de cerrar uno de los interruptores. Y para crear un paso de corriente mucho mayor se deber de cerrar los dos interruptores. Es por ello que se llega a la conclusin, de que el interruptor se comporta como si fuera una resistencia, donde la corriente de base controla su valor completamente. Los cuales buscaban un conmutador que remplazara a los rels y los sistemas de barras, y que se utilizara en la telefona. El transistor germina de la unin de tipo PNP o del NPN. Su nombre fue dado por J.P Pierce. Segn Quintn Kiser sin no se hubiera originado los detectores de cristal (que eran muy necesarios para el radar de UHF y los microondas) no se hubiera creado estos transistores con las prestaciones que hoy en da le caracteriza. La patente de invencin estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo detallar de manera ordenada el funcionamiento de este dispositivo.

BIOGRAFIA

http://www.slideshare.net/jorgegaxiola/practica7-3279694

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://es.scribd.com/doc/51319984/Transistor-como-Conmutador

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