Semiconductores: Fundamentos y aplicaciones en la Industria

Contenido
Resumen ................................................................................................................................. 3 Introduccin ............................................................................................................................ 4 Fundamentos tericos ............................................................................................................. 4 Introduccin de la Teora de bandas ............................................................................... 4 Bandas de conduccin y de valencia. ............................................................................. 5 Definicin de semiconductores ...................................................................................... 6 Tipos de semiconductores ...................................................................................................... 7 Semiconductores intrnsecos .......................................................................................... 7 Semiconductores extrnsecos .......................................................................................... 9 Propiedades de los semiconductores .................................................................................... 11 Aplicaciones de los semiconductores ................................................................................... 11 Conclusiones......................................................................................................................... 13 Bibliografa ........................................................................................................................... 14 Anexos .................................................................................................................................. 15

Resumen
El presente trabajo tiene por objeto entregar una visin general y acotada de los materiales semiconductores. El contenido de este informe es descriptivo y pretende entregar informacin concisa sobre los fundamentos tericos que caracterizan a los semiconductores, as como tambin los tipos de semiconductores existentes, para terminar revisando en un enfoque practico las aplicaciones de semiconductores en diferentes mbitos industriales. Los aportes de esta investigacin radican en proveer un acercamiento general de ste tpico familiarizados con el tema. Se introduce as los aspectos que fundamentan a usuarios no la teora, las

caractersticas y aplicaciones ms relevantes. Como conclusin inmediata de esta investigacin se puede establecer la importancia y utilidad del empleo de semiconductores en las diferentes aplicaciones, constituyendo materiales con propiedades nicas que permiten su aplicacin en los dispositivos revisados. Finalmente, como recomendacin a futuros investigadores, se sugiere, tomando en consideracin el presente trabajo indagar ms hondamente en aplicaciones de la industria. Seria de inters realizar un estudio econmico comparativo sobre los distintos proveedores de semiconductores presentes en el mercado, anlisis que por limitacin de espacio no fue posible en este informe.

Introduccin
El estudio de las propiedades fsicas de los materiales semiconductores y sus aplicaciones en el desarrollo tcnico de dispositivos elctricos, representan una de las revoluciones cientficotecnolgicas de mayor impacto en nuestra sociedad. Para tener una idea de la real magnitud de esto compete por ejemplo pensar en los transistores, probablemente la aplicacin tecnolgica ms importante de los semiconductores. Cualquier habitante del mundo moderno se encuentra rodeado cotidianamente por millones de transistores. Estn en el televisor, en el equipo de msica, en la mquina de lavar, en el reloj de pulsera, en el telfono celular. Un computador personal puede llegar a tener algunos miles de millones de transistores. El objetivo de este informe es acercar al usuario de dichas tecnologas los fundamentos tcnicos y tericos que la sostienen. Sin embargo, dada la naturaleza altamente especializada del tema y el reducido espacio disponible para desarrollarlo, siempre que sea posible dejaremos de lado las consideraciones de carcter tcnico que obligaran a extender la discusin ms all de lo pertinente

Fundamentos tericos
Introduccin de la Teora de bandas
Los actuales modelos tericos de conduccin electrnica se fundan en la mecnica cuntica y en particular, en el hecho de que los electrones en un tomo pueden poseer una serie discreta de niveles de energa separados por valores de energa prohibidos al electrn. La estructura de los niveles energticos es la misma para tomos aislados del mismo elemento en su estado fundamental. En un sistema formado dos tomos alejados entre s, habr electrones en cada nivel con la misma energa. Se dice que los niveles son degenerados. Si se aproximan estos dos tomos, la

interaccin mutua hace que un nivel degenerado se separe en otros dos de distinta energa, de tal forma que esta separacin aumenta conforme disminuye la distancia interatmica (ver figura 1) Conviene considerar ahora N tomos de un mismo elemento, muy separados entre s y conformando una red cristalina consistente en una disposicin tridimensional de los tomos con una repeticin peridica de una celdilla unidad. Si suponemos los N tomos dispuestos como lo estarn en el cristal pero muy separados entre s de modo que no interaccionen, los niveles de energa permitidos sern los niveles atmicos. Considerando todos los tomos como un conjunto, en cada nivel hay N electrones con la misma energa. Al disminuir la distancia d entre tomos, su interaccin hace que cada nivel se separe en N niveles distribuidos en un intervalo de energa relativamente estrecho. Al ser N muy grande, se puede considerar que los N niveles forman una distribucin casi continua, que se denomina banda de energa. La figura 2 representa las bandas de energa para distintas separaciones de tomos. Para los niveles ms internos de cada tomo la perturbacin producida por los dems tomos es muy pequea, comparada con la interaccin con el ncleo, y la separacin de esos niveles ser pequea. Para los electrones exteriores (llamados de valencia por ser los responsables de los enlaces entre tomos y los que intervienen en las reacciones qumicas), la separacin con el ncleo ser grande y las bandas puede solaparse, como ocurre a la distancia d3. La anchura de las bandas es, por consiguiente, tanto mayor cuanto mayor es la energa de los niveles de que provienen. Cuando la separacin de los tomos en el cristal es d1 o d2, las bandas de energa permitida estn separadas por una banda prohibida que, en cristales puros y sin imperfecciones, no contienen ningn nivel permitido a los electrones.

Bandas de conduccin y de valencia.

El comportamiento de las bandas de energa permitida respecto de la conduccin depende de que estn total o parcialmente ocupadas por electrones.

Consideremos un nivel atmico ocupado por los dos electrones que permite el principio de exclusin de Pauli: en el cristal completo de N tomos hay por tanto 2N electrones que, en el cristal ya formado, llenan completamente la banda correspondiente. Para contribuir a la conduccin un electrn debe desligarse de su tomo y acelerarse al recibir energa de un campo elctrico, excitndose a un nivel de mayor energa. Si se encuentra en su propia banda y todos los niveles estn ocupados en ella, la excitacin del electrn no puede ocurrir y por tanto una banda completamente llena no contribuye a la conduccin. Los electrones slo pueden desplazarse si hay niveles prximos vacios. Se denomina banda de conduccin a la banda de energa ms baja que no est completamente llena, mientras que la banda inmediatamente inferior se denomina banda de valencia. Estas definiciones son validas si el cristal esta a 0K. Un incremento de temperatura puede promocionar electrones de una banda a otra superior.

Definicin de semiconductores
Considerando la teora de bandas recin explicada, es posible definir los materiales semiconductores, y su distincin con los materiales conductores y aislantes: Un material cristalino en la que la separacin entre tomos corresponde a la de d1 (figura 2), donde las bandas de valencia y de conduccin estn separadas por una amplia banda prohibida corresponde a un material aislante. Un aislante ideal tiene todos los niveles de la banda de valencia ocupados, la banda est llena y no contribuye a la conduccin, y la banda de conduccin est vaca. En los materiales semiconductores, la distancia entre tomos en la red cristalina es como la de d2, la posicin relativa de las bandas, dada por la banda prohibida tiene una anchura pequea, del orden de 1 eV. A la temperatura de 0K, todos los electrones ocupan niveles por debajo de uno dado, denominado nivel de fermi, que en los semiconductores puros en la red cristalina se encuentra en el centro de la banda prohibida. A dicha temperatura, los la banda de valencia est completa y la de conduccin vaca, con lo que el material se comporta como un aislante. Pero, dado que el ancho de la banda prohibida es pequeo, al aumentar la temperatura cada vez ms electrones adquieren la energa suficiente para

superarla, gracias a las vibraciones trmicas de la red y el material aumenta su conductividad, (al revs de lo que ocurre en los metales). Los electrones que son promocionados a la banda de conduccin dejan en la banda de valencia huecos que tambin contribuyen al proceso de conduccin. Finalmente, en el caso de los conductores, el espaciado de la red es representado por d3 donde las bandas de valencia y de conduccin se solapan desapareciendo la banda prohibida. Esto permite que los la banda de conduccin posea electrones y niveles desocupados, pudiendo desplazar los electrones por accin de un campo elctrico. La situacin de las bandas en cada uno de los materiales se muestra en la figura 3 del anexo. La tabla 1 muestra valores de separacin de bandas para distintos materiales.

Tipos de semiconductores
Semiconductores intrnsecos
Los elementos semiconductores por excelencia son el silicio (Si) y el germanio (Ge), aunque existen otros elementos como el estao (Sn), y compuesto como el arseniuro de galio (AsGa) o el sulfuro de plomo (PbS) que se comportan como tales. Tanto el germanio como el silicio poseen 4 electrones de valencia que forman parte de los enlaces covalentes que mantienen unidos a los tomos. La estructura cristalina de ambos elementos se puede generar por repeticin de la celda unidad. En la red cristalina que conforman los tomos de silicio, cada tomo de silicio se encuentra rodeado de 4 tomos vecinos prximos con los que comparte sus 4 electrones de valencia, como se muestra en la figura 4.Si la temperatura es de 0K, todos los estos electrones hacen su papel de enlace y tienen energas correspondientes a la banda de valencia, que est completa mientras que la de conduccin permanece vaca. A esta temperatura un semiconductor es un aislante perfecto. Ahora bien, si aumenta la temperatura, aumenta la energa cintica de vibracin de los tomos de la red y algunos electrones de valencia pueden absorber de los tomos vecinos la energa suficiente para liberarse del enlace y moverse a travs del cristal como electrones libres; su energa pertenece

en este caso a la banda de conduccin. Cuanto ms elevada sea la temperatura, mayor ser el nmero de electrones de conduccin, pero ya a temperatura ambiente este nmero es suficiente como para que el semiconductor conduzca la corriente elctrica. Cuando un electrn pasa de ser un electrn de valencia a un electrn de conduccin, deja una vacante, de forma que, si se aplica un campo elctrico al semiconductor, sta puede ser ocupada por otro electrn de valencia que deja a su vez una nueva vacante en la regin donde estaba. El efecto es una carga positiva +e movindose en la direccin del campo elctrico, como se representa en la figura 5. Se interpreta este hecho diciendo que, el paso de un electrn a la banda de conduccin produce un hueco en la banda de valencia, al que se considera como un portador de carga positiva que contribuye a la conduccin. (Ver figura 6 del anexo). Conceptualizar el hueco como una partcula cargada permite describir de forma sencilla el complejo movimiento de los electrones de valencia en una capa incompleta. Paralelamente al proceso descrito de generacin trmica de pares electrn-hueco se da el de recombinacin. Algunos electrones de la banda de conduccin pueden perder energa, emitindola en forma de fotones y pasar a la banda de valencia ocupando un nivel energtico que estaba libre, es decir, recombinndose con un hueco. Si la temperatura permanece constante se tendr un equilibrio entre los proceso de generacin y recombinacin de pares, con el mismo nmero medio de electrones en la banda de conduccin que nmero de huecos en la banda de valencia. Un semiconductor puro, como el recin descrito se denomina semiconductor intrnseco, y al fenmeno de la conduccin asociada a la formacin de pares en l, conduccin intrnseca. Designando por p y n a las concentraciones de huecos y electrones respectivamente, se verifica:

Donde

se llama concentracin de portadores intrnsecos

Semiconductores extrnsecos
En los semiconductores se aaden impurezas durante el proceso de fabricacin, consistentes en tomos distintos a los del elemento base (silicio o germanio). La presencia de estas impurezas, a pesar de constituir un porcentaje muy bajo del nmero total de tomos, afecta drsticamente a la conductividad del material y a la dependencia de sta con la temperatura. Por ejemplo, la inclusin de un tomo de arsnico por cada 105 de germanio aumenta la conductividad a un factor de 104 a temperatura ambiente. Durante la formacin de cristal a partir del elemento fundido se aaden como impurezas elementos del quinto grupo del sistema peridico (fosforo, arsnico, antimonio o bismuto) o del tercer grupo (boro, aluminio, indio o galio); estos tomos se intercambian en la red cristalina distorsionndola ligeramente en sus proximidades. Segn sean de uno u otro grupo las impurezas aadidas, dan lugar a semiconductores extrnsecos tipo N o tipo P. En los semiconductores N, cada tomo de elemento del grupo V emplea 4 de sus 5 electrones de valencia en los enlaces covalentes con sus vecinos, pero el quinto no interviene en esos enlaces, como se representa en la figura7. El nivel de energa del estado fundamental de este electrn se encuentra por debajo de la banda de conduccin y muy prximo a ella, de forma que a 0K el electrn se encuentra ligado a su tomo. Pero, al aumentar la temperatura pasar fcilmente a la banda de conduccin, posibilitando as la conduccin elctrica sin que se hayan formado pares electrn-hueco, ya que no se ha roto ningn enlace. A estas impurezas que ceden electrones se les denomina impurezas donadoras y a los niveles de energa que introducen, niveles donadores. Si aumenta la suficiente la temperatura empezar a romperse enlaces y a formarse por tanto, pares electrn-hueco. Ahora la conduccin se verificar mediante ambos tipos de portadores de carga, pero la concentracin de electrones de conduccin en el semiconductor N ser mayor que la de huecos; los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos los minoritarios. Puesto que las impurezas estn presentes en cantidades siempre pequeas, a temperaturas elevadas el nmero

de pares de portadores formados puede llegar a ser mucho mayor que el nmero de tomos de impurezas y el semiconductor se comportar como intrnseco. En los semiconductores P, las impurezas son tomos con tres electrones de valencia que al intercalarse en la red cristalina dejan un enlace por tomo sin completar (figura 8 del anexo).Esto da como resultado la aparicin de niveles energticos prximos a la banda de valencia, que se denominan niveles aceptores. A 0K estos niveles estn vacos, pero un aumento de temperatura provocar la promocin hasta ellos de electrones de la banda de valencia. Los electrones promocionados pasarn a formar parte de un enlace por lo que no contribuyen a la conduccin, no obstante dejan tras s huecos que s lo hacen, Aunque la temperatura sea suficiente para la formacin de pares electrn-hueco, un semiconductor P, con impurezas aceptoras, conduce principalmente por huecos, que son en este caso los portadores mayoritarios. Al igual que ocurre con los semiconductores N, a temperatura elevada la conduccin intrnseca llega a enmascarar a la extrnseca y el semiconductor se comporta como si fuese puro. Se verifica que para semiconductores en equilibrio con cualquiera de los dos tipos de impurezas, el producto de concentraciones de electrones y huecos, a una cierta temperatura, es siempre igual al cuadrado de la concentracin de portadores intrnsecos:

En la prctica, en una muestra de semiconductor existen los dos tipos de impurezas y ste se comportar como tipo P o No segn predomine la concentracin de aceptaras o las donadoras. Llamando NA a la concentracin de impurezas aceptadoras y ND a la concentracin de impurezas donadoras, y suponindolas todas ionizadas, la condicin de neutralidad del cristal impone la siguiente relacin:

En efecto, la concentracin de carga positiva ser la suma de la de huecos ms las impurezas que han cedido su electrn, y la concentracin de carga negativa ser la correspondiente

a electrones e impurezas aceptoras ionizadas. La condicin de carga neta nula demuestra la relacin anterior.

Propiedades de los semiconductores

La principal caracterstica de los semiconductores que permite distinguirlos de los metales es la propiedad de que la conductividad de los semiconductores aumenta con la temperatura. Esto significa que el coeficiente de variacin de la resistencia con la temperatura es negativo en los semiconductores, puesto que su resistencia cae al aumentar la temperatura. No obstante, en un cierto rango de temperaturas, la resistencia del material puede aumentar al aumentar la temperatura. Esto puede producirse si el semiconductor tiene un alto grado de impurezas. Otra propiedad caracterstica de los semiconductores es que su resistencia es considerablemente mayor que la resistencia de los metales conductores y muy inferior a la resistencia de los buenos aislantes. Si un buen conductor metlico tiene resistencia del orden de 10-6cm a temperatura ambiente, los semiconductores tienen resistencia del orden de 103 a 10-6cm. Los aislantes por su parte tienen resistencias del orden de 1012cm. Las investigaciones de materiales semiconductores describen tambin que estos materiales tienen alto poder termoelctrico, entendiendo por tal a la energa de la corriente elctrica que atraviesa un material producida por la propagacin de calor en dicho material. Finalmente, una propiedad importante que es preciso detallar es la sensibilidad de los semiconductores a la luz, produciendo foto voltaje o cambiando la resistencia como consecuencia de la exposicin a la luz solar. Esta propiedad explica el empleo de estos materiales en celdas fotovoltaicas.

Aplicaciones de los semiconductores

A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores-conocidos tambin como dispositivos de estado slido- remplazaron los tubos electrnicos de la industria tradicional. Por la

enorme reduccin de tamao, consumo de energa y costo, acompaada de una mucho mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron un cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computacin, el almacenamiento de informacin, etc. Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor ms simple y fundamental es el diodo; todos los dems dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento. Cuando un semiconductor de tipo n y otro de tipo p se unen del modo indicado en la Figura10, las concentraciones inicialmente desiguales de electrones y vacantes dan lugar a una trasferencia de electrones a travs de la unin desde el lado p al n y de vacantes desde el lado n al p. Como resultado, se crea una doble capa de carga en la unin semejante a la de un condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p y positivo el lado n. Existe por tanto una diferencia de potencial V a travs de la unin que tiende a inhibir una transferencia posterior. La regin de la unin se llama regin de agotamiento porque est desprovista de portadores de carga. Establezcamos ahora una diferencia de potencial externa a travs de la unin pn mediante una batera. Cuando el terminal (+) de la batera se conecta al lado p de la unin como se muestra en la Figura 11, se dice que la unin est sometida a una polarizacin directa. Este tipo de polarizacin disminuye el potencial a travs de la unin. La transferencia de electrones y vacantes se incrementa, por tanto, en un intento de restablecer el equilibrio, dando lugar a una corriente en el circuito. Si el terminal (+) de la batera se conecta al lado n de la unin, como se ilustra en la Figura 5, se dice que la unin est inversamente polarizada. La polarizacin inversa tiende a incrementar la diferencia de potencial a travs de la unin, inhibiendo, por tanto, la transferencia posterior. Esencialmente, la unin conduce en una sola direccin. Los diodos tienen mltiples aplicaciones. La ms evidente, y que se desprende directamente de nuestra discusin anterior, es la conversin de la corriente alterna en continua, proceso que se llama rectificacin. Otras aplicaciones de inters son las clulas solares, que convierten la energa luminosa en energa elctrica, y los diodos emisores de luz (LEDs) que se utilizan corrientemente en las pantallas de relojes digitales y calculadoras. Otros dispositivos basan la aplicacin de semiconductores en sus propiedades: Los termistores se basan en la propiedad

de que la conductividad depende de la temperatura para medir dicha temperatura. Tambin se usan en otros dispositivos, como en alarmas contra incendio, mientras que los transductores de presin se basan en que al aplicar presin a un semiconductor, los tomos son forzados a acercarse, el gap de energa se estrecha y la conductividad aumenta. Midiendo la conductividad, se puede conocer la presin que acta sobre ese material.
Naturalmente, nuestra discusin no podra estar completa sin mencionar al dispositivo de estado slido ms relevante desde el punto de vista tecnolgico; el transistor. En trminos simples, el transistor es un dispositivo utilizado para producir una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Una de las formas ms simples que puede adoptar un transistor se consigue uniendo tres piezas de material semiconductor. Estos materiales pueden ser tanto npn como pnp. Ambos tipos conforman lo que se denomina un transistor de unin bipolar, que consiste esencialmente de tres regiones distintas llamadas emisor, base y colector. Entre las aplicaciones del transistor bipolar podemos mencionar su uso como amplificador de corriente. Mediante la introduccin de una pequea seal de entrada en forma de una corriente variable aplicada a la base Ib, se producir una corriente de colector Ic que es una fiel copia de la seal de entrada, pero aumentada. Se expresa la corriente de salida Ic en la forma, Ic = Ib donde se denomina ganancia de corriente del transistor. Los transistores pueden tener valores de desde 10 hasta varios centenares. En los dispositivos electrnicos se emplean tambin transistores pero como interruptores. Si no colocamos voltaje entre la base y el emisor, muy pocos electrones sern capaces de pasar del emisor al colector. El transistor se comporta entonces como un interruptor cerrado, rechazando prcticamente todo flujo de corriente. Pero si aplicamos un voltaje alto entre el emisor y la base, la corriente podr fluir libremente. En este caso el transistor se comporta como un interruptor abierto. Realizando diferentes combinaciones entre transistores es posible desarrollar elementos lgicos que ejecuten desde las simples operaciones aritmticas de una calculadora de bolsillo, hasta los sofisticados clculos matemticos involucrados en un vuelo espacial.

Conclusiones
Como conclusin inmediata de la investigacin realizada, es inminente establecer la indispensabilidad que supone la aplicacin de los semiconductores en las industrias de electrnica, computacin, telecomunicaciones y sistemas de control en general debido a las propiedades nicas que poseen. En particular, los dispositivos semiconductores ms comunes dependen de las

propiedades de la unin entre materiales de tipo p y de tipo n (unin np) que se produce de forma ms habitual por difusin en estado slido de un tipo de impureza de tipo p sobre un material de tipo n. Tal es el caso de los diodos rectificadores que permiten transformar la corriente alterna en corriente continua, o los transistores de unin np que sirven para interrumpir o amplificar la seal, segn lo revisado. Por su parte, otros dispositivos utilizan la aplicacin de los semiconductores debido a las otras propiedades revisadas, como el comportamiento de la conductividad de los semiconductores con la temperatura. Las
aplicaciones prcticas de los semiconductores son innumerables. Para hacer justicia al vasto y complejo campo cientfico y tecnolgico inaugurado por los dispositivos de estado slido sera necesario disponer de varios volmenes de material escrito. Por lo tanto, este breve informe pretende servir tan solo de introduccin a los semiconductores y sus aplicaciones

Bibliografa
* SMITH, R.A: Semiconductors, 2da ed., Cambridge: Cambridge University Press, 1978. *Y.Yu, Manuel Cardona. Fundamentals of Semiconductors.: Physiscs and Materials Properties. 2da ed. Berlin:Springer,1999. *TIPLER Paul A. Fsica, Volumen II, 4ta ed. Barcelona, Revert,1965.

Anexos

Figura 1

Figura 2

Figura1: Separacin de niveles de energa degenerados como funcin de la distancia entre dos tomos. Figura 2: Bandas permitida y prohibida como la funcin de la distancia entre tomos en sistema conformado por N tomos

Figura 3: Separacin entre la banda de valencia y la banda de conduccin para materiales aislantes, semiconductores y conductores

Elemento Diamante Silicio Germanio Esao Gris Estao blanco Plomo

Separacion entre bandas (eV) 5.33 1.14 0.67 0.1 0 0

Tipo de material Aislante Semiconductor Semiconductor Semiconductor Metal Metal

Tabla 1: Valores de separacin de bandas para distintos materiales

Figura 4

Figura 5

Figura 6

Figura 4: Representacin bidimensional de la red cristalina para semiconductor silicio. Figura 5: Movimiento de huecos electrnicos como portadores positivos. Figura 6: Salto electrnico de electrn de valencia a banda de conduccin

Figura 7

Figura 8

Figura 9

Figura 7: Silicio impurificado con antimonio. Un electrn de valencia no interviene en los enlaces Figura 8 Las impurezas del tercer grupo del sistema peridico dejan un enlace por tomo sin completar. Figura 9: Niveles donadores y aceptores introducidas por impurezas del quinto y tercer grupo respectivamente

Figura 10: Unin pn. Debido a la diferencia de sus concentraciones, las vacantes se transfieren del lado p al n y los electrones se difunden del lado n al p. Como resultado, existe una doble capa de carga en la unin, siendo negativo el lado p y positivo el n

Figura 11 Diodo de unin pn. (a) Unin pn con polarizacin directa. La diferencia de potencial aplicada estimula la transferencia de vacantes del lado p al n y de electrones del lado n al p, dando lugar a una corriente I. (b) Unin pn con polarizacin inversa. La diferencia de potencial inhibe la transferencia posterior de vacantes y electrones, de modo que no hay corriente