Escola de Educao Profissional Senai Plnio Gilberto Kroeff CETEMP TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA - MOSFET Os transistores

es de efeito de campo do tipo porta isolada (IGFET Isolated Gate Field Effect Transistor), assim como os JFETs, so dispositivos unipolares, cujo controle de corrente realizado por intermdio de um campo eletrosttico. A sigla MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) adotada como padro. A figura ilustra as diferenas estruturais entre dispositivos MOSFET e JFET.

Estruturas bsicas dos dispositivos JFET e MOSFET. Como mostrado na figura a, em dispositivos JFET o canal est localizado inteiramente no interior do substrato, existindo, portanto duas junes semicondutoras entre o substrato e o canal. Em dispositivos MOSFET, por outro lado, o eletrodo metlico do terminal porta separado do canal por uma fina camada isolante de xido, conforme mostrado na figura b. Forma-se portanto uma estrutura entre porta e canal do tipo metal-xido-semicondutor (MOS). Os MOSFETs podem ser dois tipos: - MOSFET tipo DEPLEO - MOSFET tipo ENRIQUECIMENTO ( NO DEPLEO)

MOSFET TIPO DEPLEO

Estruturas MOSFET tipo depleo de canal p e de canal n.

Simbologia dos MOSFETs tipo DEPLEO

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO O controle de corrente em MOSFETs depleo, da mesma forma em que nos dispositivos JFET, feito pelo controle da largura do canal, atravs do potencial aplicado porta do dispositivo. Ser analisado inicialmente para o caso de um dispositivo com canal p. Se a porta for submetido ao mesmo potencial do terminal fonte, h circulao de corrente fonte dreno. Figura a. Com aplicao de uma tenso positiva porta do dispositivo, o canal ser estreitado, reduzindo a corrente ID. Figura b.

Dessa forma, atravs do controle do potencial aplicado porta, pode-se controlar a corrente no canal. H contudo uma diferena singular entre MOSFETS depleo e JFETs. No caso de dispositivos JFET, a juno pn formada entre canal e substrato no pode ser polarizada diretamente, para evitar o surgimento de uma corrente de fuga excessiva atravs do terminal porta trazendo como conseqncia uma queda acentuada na impedncia de entrada. Em MOSFETs depleo essa situao no ocorre pois o terminal porta isolado do canal, independentemente da polaridade dos terminais. Dessa forma, em MOSFETs depleo tipo p a aplicao de um potencial negativo porta provoca um aumento na corrente ID, uma vez que nessa situao a regio de depleo no interior do canal diminuda substancialmente.

Funcionamento do MOSFET tipo depleo, canal p, com potencial negativo aplicado porta.

Curvas caractersticas de sada do MOSFET tipo depleo, canal p. Um exame dos parmetros referentes a cada curva indica que a porta pode ficar submetida tanto a potenciais positivos como negativos.

MOSFET TIPO ENRIQUECIMENTO O MOSFET tipo enriquecimento composto por duas regies semicondutoras isoladas entre si pelo material semicondutor do substrato. Sobre esse conjunto esto depositadas uma camada de xido isolante e uma camada metlica formadora da porta de controle.

Estrutura de um MOSFET tipo enriquecimento, canal p.

Simbologia do MOSFET tipo ENRIQUECIMENTO

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO Com o terminal porta submetido ao mesmo potencial do terminal fonte no h fluxo de corrente.

MOSFET tipo enriquecimento, canal p com porta aterrada. Aplicando- se um potencial negativo porta do dispositivo, propicia a induo de cargas positivas na regio do substrato, formando um canal de conduo entre fonte e dreno, permitindo o fluxo de corrente ID.

CURVA CARACTERSTICA A corrente ID depende diretamente do potencial aplicado porta, uma vez que este o fator determinante da quantidade de cargas induzidas no canal. As curvas caractersticas de sada de um dispositivo MOSFET tipo enriquecimento, canal p esto mostradas no grfico.

Curvas caractersticas enriquecimento, canal p.

de

sada

de

um

dispositivo

MOSFET

tipo