LAPORAN PRAKTIKUM EKSPERIMEN FISIKA III (MFS 3581) PENGUKURAN LEBAR CELAH TENAGA DENGAN DIODA (FZP-1)

Disusun Oleh: Nama/ No Mhs Kelompok : Erwin Isna Megawati / 11978 : Senin -IV

Hari/ Tanggal Praktikum : Senin / 2 Mei 2011 Rekan Kerja Asisten Dosen Pembimbing : Aji Wijayanto : Vistarani Timow : Kuwat Triyana, Ph.D

LABORATORIUM FISIKA ZAT PADAT FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS GADJAH MADA YOGYAKARTA 2011

BAB I PENDAHULUAN

A. Latar Belakang Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara insulator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator pada temperature yang sangat rendah, namun pada temperature ruangan bersifatsebagai konduktor. Bahan semikonduktor yang sering digunakan adalah silicon, germanium, gallium arsenide. Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun belakangan, silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak kedua yang ada di bumi setelah oksigen.Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon. Bahan semikonduktor dapat dibedakan dari jenis muatan pembawanya, yaitu semikonduktor intrinsik dan semikonduktor ekstrinsik. Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor murni yang belum diberikan atom pengotor (impuritas). Apabila semikonduktor intrinsik ini dipanaskan maka akan terbentuk pasangan elektron-hole dimana elektron bermuatan negative dan hole dapat dianggap sebagai muatan positif. Konsentrasi elektron pada semikonduktor intrinsik sama dengan konsentrasi hole-nya Sedangkan pada semikonduktor ekstrinsik konsentrasi elektron dan konsentrasi hole-nya tidak sama hal ini disebabkan oleh adanya penambahan muatan pembawa akibat adanya atom pengotor. Sebagai contoh pemberian atom pengotor fosfor yang memiliki elektron valensi 5 pada semikonduktor silikon yang bervalensi 4akan menyebabkan adanya satu elektron yang tidak terpasangkan untuk membentuk ikatan kovalen akibatnya elektron ekstra ini dapat menyumbangkan pada konsentrasi elektron keseluruhan. Semikonduktor jenis ini dinamakan semikonduktor tipe-n (negatif) karena didominasi oleh muatan pembawa elektron .Apabila kristal Silikon diberi atom pengotor Boron yang memiliki elektron valensi 3 maka akan terbentuk ikatan kovalen yang tidak sempurna karena terdapat satu kekosongan (hole) yang tidak terisi elektron. Sehingga

dengan demikian muatan pembawa pada kristal silikon yang telah diberi pengotor Boron akan didominasi oleh muatan positif (hole) sehingga kristal silikon akan bertipe-p (positif) . Keberadaan elektron dan hole pada semikonduktor akan mempengaruhi karakteristik listrik pada bahan tersebut. Ada dua jenis arus listrik yang terjadi pada semikonduktor yaitu arus hanyut (drift) dan arus difusi.

B. Tujuan 1. Mempelajari gejala hantaran listrik dalam semikonduktor. 2. Mempelajari pengruh suhu pada konduktivitas bahan semikonduktor. 3. Menentukan lebar celah tenaga semikonduktor dengan cara mengukur konduktivitas listriknya.

BAB II DASAR TEORI Pembawa pembawa muatan mayoritas didalam semikonduktor tipe-p dn tipe-n masingmasing adalah lubang (hole) dan elektron. Sesungguhnya pembawa pembawa muatan di dalam semikonduktor tipe-p bukan hanya lubang saja tetapi juga sejumlah kecil electron dan sebaliknya di dalam semikonduktor tipe-n terdapat juga sejumlah kecil lubang sebagai pembawa- pembawa muatan minoritas. Kadang-kadang tidak dapat dibedakan antara pembawa-pembawa muatan minoritas karena konsentrasi lubang dan electron sama besar. Semikonduktor yang demikian ini dinamakan semikonduktor intrinsik. Untuk selanjutnya hanya akan dipelajari gejala hantaran (konduksi) listrik didalam semikonduktor intrinsik yang berasal dari elektron elektron pada pita konduksi dan lubang lubang pada pita valensi. Didalam semikonduktor intrinsic konsentrasi elektron pada pita tenaga konduksi (n) sama dengan konsentrasi lubang pada pita tenaga valensi ( p) sehingga ( Kittel, 1986 ). = = 2 [
2 2

]2 [ me* mh* ]3/4 exp [ 2 ]

Dengan indeks I menyatakan intrinsik , h adalah tetapan Planck, me* dan mh* berturut-turut adalah massa efektif elektron dan lubang serta Eg adalah celah tenaga. Konduktivitas listrik () semikonduktor intrinsik dikaitkan dengan mobilitas electron (e) dan mobilitas lubang ( e ) menurut ungkapan = e ( e + h ) = e n ( e + h ) Yang memperlihatkan bahwa konduktivitas bergantung pada konsentrasi pembawa pembawa muatan intrinsic. Selanjutnya karena konsentrasi intrinsik dipengaruhi oleh suhu maka dinyatakan dengan persamaan = 2e ( e + h ) [
2 2

]3/2 ( e*h* )3/4 exp [ 2 ]

Walaupun mobilitas mobilitas lubang dan electron sendiri bergantung pada suhu tetapi ketergantungan konduktivitas pada suhu didomonisasi oleh faktor eksponensial exp ( -Eg 2kT ) sehingga ( Kittel,1986) = 0 exp [
2

Dengan o adalah suatu tetapan kesebandingan. Pengambilan nilai logaritma alamiah kedua ruas persamaan ( 4 ) di atas memberikan ln=lno [ 2 ] Yang berarti bahwa pengukuran konduktivitas pada berbagai suhu akan menghasilkan grafik ln vs 1/T, lebar celah tenaga Eg dapat ditentukan dari slope grafik tersebut. Konduktifitas semikonduktor dapat ditentukan pada setiap suhu T dengan cara mengukur besarnya hambatan R dari cuplikan menurut rangkaian yang ada pada skema. Bila I adalah arus yang mengalir melalui batang semikonduktor dengan luas penampang A dan panjang L yang terpasang pada tegangan V maka R = V/I sehingga = = Di dalam eksperimen ini digunakan arus AC untuk memperkecil pengaruh rectifying contact.
1

BAB III METODE EKSPERIMEN A. Alat dan Bahan 1. Cuplikan semikonduktor (p = 6,7 cm & l = 5,8 cm) 2. Sumber arus AC 3. Multimeter 4. Thermometer 5. Tabung tempat pendinginan dan pemanasan cuplikan 6. Hairdryer (sebagai pemanas)

B. Skema Percobaan

C. Tata Laksana Percobaan 1. Cuplikan, sumber arus AC, voltmeter dan ammeter dirangkai menurut gambar 1 dan gambar 2. 2. Suhu dalam tabung yang berisi cuplikan diturunkan dengan memasukkan es dalam termos, lalu diukur arus (I) setiap penurunan suhu 2 oC. 3. Suhu dinaikkan dengan cara mengangkat dari bejana pendingin dan bila telah mencapai suhu kamar, digunakan alat pemanas untuk menaikkan suhunya. 4. Dibandingkan hasil lebar celah Eg yang diperoleh dari eksperimen ini dengan hasil literature.

D. Analisa Data = = 2 [
2 2

]2 [ me* mh* ]3/4 exp [ 2 ]

Konduktivitas listrik ( ) = e ( e + h ) = e n ( e + h ) = 2e ( e + h ) [ = exp [ 2kT ] = exp [ 2k ] T

B

2kT h2

]3/2 ( e*h* )3/4 exp [ 2kT ]

Eg

Eg Eg

ln = lno [ 2k ] T
B

Eg

=
L A IL Eg 1

R=

ln (VA ) = ln 0 [ 2k ] T
B

ln I + ln (

L VA

) = ln 0 [

Eg 2k B

1 T

ln I = ln 0 ln ( VA ) - [ 2kB ] T y c m x

Eg

Dan akan menghasilkan 3 grafik yaitu grafik Vs T , ln Vs dan grafik ln IVs . ln ln I

1

T = . 2 = = . 2 = Jadi, (Eg Eg) = ( )

1/T

1/T

BAB IV HASIL EKSPERIMEN A. DATA L A = 0,58 cm = 5,8x10 -3 m = 2,67 x 10-5 cm2

1. Pada tegangan 50 volt a. Pada saat penurunan suhu T 23 21 19 17 15 13 1/T 0,043 0,047 0,052 0,059 0,067 0,077 I (10-6 A) 0,32 0,31 0,21 0,18 0,17 0,16 Ln I -14,95 -14,99 -15,38 -15,53 -15,59 -15,69 x10-6 1,38 1,34 0,90 0,78 0,74 0,69 Ln -13,49 -13,52 -13,92 -14,06 -14,12 -14,19

b. Pada saat kenaikan suhu T 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 1/T 0,076 0,067 0,059 0,052 0,048 0,043 0,040 0,037 0,034 0,032 0,030 0,028 0,027 0,026 0,024 I (10-6 A) 0,31 0,32 0,33 0,34 0,34 0,34 0,35 0,35 0,36 0,36 0,37 0,38 0,39 0,40 0,38 Ln I -14,98 -14,95 -14,92 -14,89 -14,89 -14,89 -14,86 -14,86 -14,83 -14,83 -14,80 -14,78 -14,75 -14,73 -14,78 x10-6 1,34 1,38 1,42 1,47 1,47 1,47 1,51 1,51 1,55 1,55 1,60 1,64 1,69 1,73 1,64 Ln -13,52 -13,49 -13,49 -13,43 -13,43 -13,43 -13,40 -13,40 -13,37 -13,37 -13,34 -13,32 -13,29 -13,26 -13,32

2. Pada tegangan 60 volt a. Pada saat penurunan suhu T 40 38 36 34 32 30 28 26 24 22 20 18 16 14 12 10 1/T 0,025 0,026 0,028 0,029 0,031 0,033 0,036 0,038 0,042 0,045 0,050 0,055 0,062 0,071 0,082 0,100 I (10-6 A) 0,24 0,22 0,21 0,18 0,16 0,15 0,14 0,15 0,16 0,16 0,15 0,15 0,15 0,14 0,14 0,14 Ln I -15,24 -15,33 -15,38 -15,53 -15,65 -15,71 -15,78 -15,71 -15,65 -15,65 -15,71 -15,71 -15,71 -15,78 -15,78 -15,78 x10-6 0,87 0,80 0,79 0,65 0,58 0,54 0,51 0,54 0,58 0,58 0,54 0,54 0,54 0,51 0,51 0,51 Ln -13,95 -14,04 -14,05 -14,24 -14,36 -14,42 -14,49 -14,42 -14,36 -14,36 -14,42 -14,42 -14,42 -14,49 -14,49 -14,49

b. Pada saat kenaikan suhu T 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 1/T 0,100 0,082 0,071 0,062 0,055 0,050 0,045 0,042 0,038 0,036 0,033 0,031 0,029 0,028 0,026 0,025 I (10-6 A) 0,31 0,30 0,28 0,30 0,31 0,31 0,31 0,32 0,33 0,33 0,33 0,36 0,38 0,39 0,40 0,42 Ln I -14,99 -15,02 -15,09 -15,02 -14,99 -14,99 -14,99 -14,95 -14,92 -14,92 -14,92 -14,83 -14,78 -14,75 -14,73 -14,68 x10-6 1,12 1,09 1,02 1,09 1,12 1,12 1,12 1,16 1,19 1,19 1,19 1,30 1,34 1,41 1,45 1,52 Ln -13,69 -13,73 -13,80 -13,73 -13,69 -13,69 -13,69 -13,67 -13,64 -13,64 -13,64 -13,55 -13,52 -13,47 -13,44 -13,39

B. GRAFIK 1. Pada tegangan 50 volt a. Pada saat penurunan suhu

b. Pada saat kenaikan suhu

2. Pada tegangan 60 volt a. Pada saat penurunan suhu

b. Pada saat kenaikan suhu

C. HASIL PERHITUNGAN 1. Pada tegangan 50 volt a. Pada penurunan suhu Eg Eg = (5,961,39) x 10-22 J = (3,70,86) x 10-3eV b. Pada kenaikan suhu Eg Eg = (1,250,12) x 10-22 J = (0,800,07) x 10-3eV 2. Pada tegangan 60 volt a. Pada penurunan suhu Eg Eg = (1,420,45) x 10-22 J = (0,890,28) x 10-3eV b. Pada kenaikan suhu Eg Eg = (1,060,27) x 10-22 J = (0,670,17) x 10-3eV

BAB V PEMBAHASAN Setiap atom penyusun semikonduktor memiliki sejumlah elektron valensi pada kulit terluarnya yang menempati keadaan valensi, keadaan elektron valensi ini memiliki tingkat energi yang besarnya EV. Elektron valensi ini berkontribusi pada pembentukan ikatan kovalen antara atom-atom penyusun semikonduktor. Sedangkan keadaan dimana elektron sudah terbebas dari ikatan kovalen disebut keadaan konduksi dengan tingkat Energi EC. Apabila semikonduktor tersebut temperaturnya dinaikan maka akan ada penambahan energi termal yang menyebabkan terputusnya ikatan kovalen yang terbentuk. Pemutusan ikatan kovalen ini akan menghasilkan elektron bebas yang sudah dalam keadaan konduksi dengan tingkat energi EC. Pada keadaan elektron konduksi dimana setelah terjadinya pemutusan ikatan kovalen, elektron valensi pada tingkat energy EV akan berpindah kekeadaan konduksi dengan tingkat Energi EC. Selisih antara tingkat energi konduksi dengan tingkat energi valensi ini dinamakan energi celah pita (energy gap) dimana energi gap tersebut merupakan energi minimal yang dibutuhkan untuk memutuskan ikatan kovalen pada kristal semikondukor. Material semikonduktor adalah suatu material yang memiliki karakteristik diantara konduktor dan isolator. Hal ini dapat dipahami dari karakter energi gap semikonduktor yang berada diantara konduktor dan isolator. Tentunya untuk masing-masing atom atau senyawa yang memiliki besar energi yang berbeda. Semikonduktor sangat bergantung dari temperatur. Pada temperatur tertentu, semikonduktor dapat menghantarkan listrik atau bertindak sebagai konduktor, namun daya hantar listrik atau kanduktivitasnya lebih rendah dibandingkan dengan konduktor. Pada temperatur yang sangat rendah, materil semikonduktor akan memiliki karakter seperti isolator. Penambahan jumlah impuritas pada semikonduktor juga dapat menambah sifat konduktivitas listriknya. Sifat konduktivitas listrik dari material semikonduktor dapat bertambah selain karena impuritas juga disebabkan karena efek dari temperatur dan cahaya. Konduktivitas bertambah akibat dari penambahan jumlah elektron valensi di dalam material semikonduktor tersebut. Elektron valensi atau biasa disebut

sebagai elektron yang berda di kulit terluar merupakan pembawa arus listrik. Pada material silikon yang memiliki 4 elektron valensi, elektron-elektron berpasangan dan membentuk ikatan kovalen dengan elektron dari atom lainnya. Dalam keadaan ini elektron-elektron valensi tidak dapat bergerak bebas seperti elektron bebas yang menghasilkan arus listrik. Bila diberikan temperatur tertentu, akan menyebabkan elektron tereksitasi keluar dari ikatan tersebut. Sebagai akibatnya, elektron akan lebih bebas bergerak dan menghasilkan arus listrik. Ketika elektron tadi tereksitasi, elektron akan meninggalkan kekosongan posisi yang disebut dengan hole. Hole juga dapat bergerak dilokasi tersebut dan memberikan kontribusi adanya aliran listrik. Elektron dapat tereksitasi tentunya temperatur mempunyai energi yang lebih besar dari energi ikatan elektron di dalam struktur kristal Si. Energi tersebut biasa disebut energi gap. Gejala penghantaran listrik umumnya secara fisis adalah arus listrik yang dapat diukur dengan ampermeter. Pada bahan semikonduktor, yang berperan dalam penghantaran listrik adalah elektron di pita konduksi dan hole di pita valensi. Eksperimen kali ini adalah pengukuran celah tenaga (energi Gap) dengan diode. Tujuannya untuk mempelajari gejala hantaran listrik dalam semikonduktor, mempelajari pengaruh suhu pada konduktivitas bahan semikonduktor dan menentukan lebar celah tenaga semikonduktor dengan cara mengukur konduktivitas listriknya. Eksperimen dilakukan dengan menyusun alat dan bahan seperti skema, lalu diukur panjang dan lebar cuplikan semikonduktor. Bahan semikonduktor yang dipakai dalam eksperimen ini adalah silikon (Si). Tegangan divariasikan, untuk mengetahui besarnya arus yang mengalir dalam setiap perubahan suhu. Pada eksperimen atau praktikum pengukuran celah tenaga (energi Gap) dengan diode menggunakan metode perhitungan atau rumus dan menggunakan grafik. Metode grafik yang digunakan yaitu menggunakan program KaleidaGraph. Dengan metode grafik ini memiliki kelebihan dan kekurangan. Kelebihanya antara lain adalah: lebih mudah untuk dipahami, lebih cepat menentukan nilai gradien relative lebih sederhana dari pada metode lain, praktikan juga dapat mempunyai gambaran dari data yang telah didapatkan, sedangkan kelemahanya

yaitu: hanya mencakup baberapa data, kekurang akuratan dalam menentukan nilai karena keterbatasan skala. Eksperinen kali ini dilakuakan dengan variasi tegangan pada sumber arus, yaitu menggunakan tegangan 50 volt dan 60 volt. Kemudian praktikan dalam menentukan konduktivitas dengan mengamati variasi pada penurunan suhu (jauh di bawah suhu kamar) dan kenaikan suhu (di atas suhu kamar, yaitu sampai 41 oC). Pada percobaan pertama dengan tegangan 60 volt, mengamati penurunan suhu hanya diperoleh data sedikit karena es yang digunakan besar-besar sehingga ketika memasukkan cuplikan semikonduktor suhu turun drastis sebelum pengamatan dimulai, selain itu juga disebabkan karena termometer tida bisa stabil di keadaan semula. Kemudian untuk kenaikan suhu di mulai dari 13 oC karena suhu sudah konstan (tidak turun lagi). Selanjutnya pada variasi tegangan 60 volt pada sumber arus, praktikan tidak lagi menggunakan es-es besar akan tetapi menggunakan air es, kemudian baru ditambah es sedikit. Dan hasilnya pun, suhu tidak turun drastis ketika termometer dan cuplikan dimasukkan. Namun, data yang diperoleh pada variasi ini banyak data yang konstan. Dari hasil data yang diperoleh, dibuat 3 grafik untuk masing-masing data, yaitu grafik vs T, grafik ln vs 1/T dan grafik ln I vs 1/T. Pada penurunan suhu dan kenaikan suhu, dengan tegangan 50 volt, grafik vs T menunjukkan garis yang bersifat linear yang mengarah ke kanan atas, sehingga telihat bahwa konduktivitas berbanding lurus dengan suhu yaitu semakin besar nilai suhu, maka nilai konduktivitas juga semakin besar. Sedangkan grafik ln vs 1/T, menunjukkan garis linear yang mengarah ke kiri bawah, sehingga gradien negative. Jadi terlihat bahwa nilai ln konduktivitas berbanding terbalik dengan nilai 1/T. Dan pada grafik Ln I vs 1/T menunjukkan garis lurus yang mengarah ke kiri bawah dengan gradien negative, jadi nilai ln I berbanding terbalik denagn 1/T. Dari hasil diatas terlihat bahwa nilai gradien untuk grafik ln vs 1/T . Dengan gradien, dapat dihitung besanya energi gap bahan tersebut, yaitu Eg Eg pada penurunan suhu = (5.96 1.39) x 10-22 J= (3,70,86) x 10-3eV dan nilai Eg eg pada kenaikan suhu = (1,250,12) x 10-22 J= (0,800,07) x 10-3eV. Dan pada tegangan 60 volt pada sumber arus, pada penurunan suhu diperoleh grafik-grafik sama seperti pada tegangan 50 volt. Namun pada kenaikan

suhu, grafik pertama mengarah dari kanan atas menuju kiri bawah. Atau dengan kata lain berbanding terbalik, sama seperti grafik kedua dan ketiga. Nilai energi Gap, untuk penurunan suhu Eg Eg = (1,420,45) x 10-22 J = (0,890,28) x 103

eV dan untuk kenaikan suhu Eg Eg = (1,060,27) x 10-22 J = (0,670,17) x

10-3eV. Dari grafik dan perhitungan, dapat disimpulkan bahwa nilai Eg untuk setiap penurunan dan kenaikan suhu berbeda. Seharusnya niali Eg tetap sama, jika berada pada suhu, arus, tegangan yang sama. Nilai Eg yang diperoleh juga berbeda jauh dengan nilai Eg pada referensi. Nilai yang diperoleh lebih kecil dari nilai referensi yaitu untuk silikon pada suhu kamar yaitu 1,86 x 10 -19 = 1,11eV. Hal ini disebabkan oleh beberapa faktor, yaitu kondisi alat yang kurang baik (thermometer yang mudah bergeser), kesalahan praktikan dalam pengamatan (kurang teliti dalam mengamati perubahan suhu dan arus). Sehingga hasil yang diperoleh tidak sesuai dengan teori pada referensi.

BAB VI APLIKASI DAN PENGEMBANGAN TEKNOLOGI KE DEPAN Penerapan dari semikonduktor terutamayang berbahan silkon diantaranya adalah teknologi berbasis silikon. Seperti diketahui, ditinjau dari struktur elektronikanya, material semikonduktor dibedakan menjadi 2 jenis yaitu yang memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap) dan celah pita energi tidak langsung (indirect bandgap). Silikon adalah material dengan celah nergi tidak langsung, dimana nilai minimum dari pita konduksi dan maksimum dari pita valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama.ini berarti agar terjadi eksitasi dan rekombinasi dari membawa muatan diperlukan adanya perubahan yang besar pada nilai momentumnya. Dengan kata lain, silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini menyebabkan silikon tidak layak digunakan sebagai piranti

fotonik/optoelektronik, sehingga tertutup kemungkinan misalnya membuat ICyang didalamnya terkandung detektor optoektronik atau sumber pemancar cahaya dengan hanyamenggunakan material silikon saja. Beberapa usaha telah dilakukan untuk mengatasi hal ini antara lain dengan mengembangkan bandgap engineering. Salah satu contohnya adalah menumbuhkan struktur material SiGe. Parameter mekanik strain yang timbul karena perbedaan konstanta kisi Kristal antara lapisan SiGe dan Si tersebut akan mempengaruhi struktur elektronik material di atas sehingga muncul efek brillioun-zone folding yang mengubah struktur pitanya menyerupai material dengan celah energi langsung. Kombinasi dari kedua material memungkinkan terjadinya pemancaran dan penyerapan cahaya. Kemajuan diatas membuka era baru bagi material silikon dan paduannya untuk diaplikasikan pada divais optoelektronik. OPTOELEKTRONI Optoelektronik adalah suatu aplikasi perangkat elektronik yang berfungsi mendeteksi dan mengontrol sumber cahaya atau dapat juga dikatakan sebagai peralatan pengubah dari tenaga listrik ke optik atau sebaliknya. Sumber cahaya yang digunakan dalam aplikasi ini dihasilkan diantaranya dari fotodioda injeksi dioda, LED, dan laser. Beberapa sumber ini telah banyak digunakan pada

beberapa perangkat optoelektronik yang biasa digunakan dalam bidang telekomunikasi serat optik. Optoelektronik dapat juga dikatakan sebagai cabang ilmu yang mengkaji peralatan elektronik yang berhubungan dengan cahaya dan dianggap juga sebagai sub-bidang dari fotonik. Dalam konteks ini, cahaya yang dikaji juga merangkumi semua spektrum cahaya dalam gelombang elektromagnetik (spektrum elektromagnetik) seperti sinar gamma, sinar-X, ultraviolet dan inframerah, yang merupakan bentuk cahaya radiasi yang tak terlihat selain cahaya yang tampak oleh mata manusia normal (spektrum tampak). Dalam cabang ilmu ini, kelebihan-kelebihan yang didapati daripada pengabungan dari bidang optik dan elektronik ini, adalah untuk dapat menghasilkan satu peralatan yang jauh lebih baik dan bermanfaat terutama yang berkaitan dengan teknologi telekomunikasi serat optik itu sendiri. Aspek penting dalam bidang ini adalah bagaimana memanfaatkan sumber foton sebagai media penghantaran bit informasi. Ada beberapa macam divais optoelektronik diantaranya divais

optoelektronik saja, yaitu sel surya dan fotodetektor. Hal yang menjadi pertimbangan adalah penggunaan kedua jenis divais optoelektronik ini frekuensinya cukup tinggi dibanding yang lainnya. Prinsip fisis dari sel surya dan fotodetektor sebenarnya hampir mirip, yaitu terjadinya pembangkitan pasangan elektron-hole melalui proses eksitasi ketika foton menumbuk permukaan divais. Perbedaannya adalah dari panjang gelombang foton yang dapat diserap dan berkontribusi pada proses pembangkitan ini. Sel surya dapat menyerap spektrum energi foton dalam rentang yang cukup lebar yaitu foton yang memiliki energi sama atau lebih besar dari celah pita energi material pembuat sel surya. Sedangkan fotodetektor hanya akan menyerap energi foton yang energinya di sekitar celah pita energi material pembuatnya. Berdasarkan kajian dari berbagai literatur, berikut ini akan dipaparkan hubungan fungsional dari karakteristik utama divais sel surya dan fotodetektor dengan parameterparameter fisis bahan pembuat, struktur divais serta karakteristik setiap lapisan.

 Fotodetektor Photo Detector adalah alat untuk mengukur intensitas cahaya . Photo detektor dapat dibagi menjadi tiga kategori yang berbeda sesuai dengan fungsinya sebagai: photodetectors berbasis semikonduktor, tabung

photomultiplier, dan bolometers. photodetectors Semiconductor sejauh ini yang paling umum digunakan sehari-hari. Contohnya adalah foto dioda yang duduk dalam sel foto untuk memantau atau Power Button dan sensor gambar dan video yang digunakan dalam kamera digital (biasanya dari CCD - atau CMOS -tipe). Karakteristik utama dari fotodetektor antara laian adalah tingkat responsivitas, tingkat sensitivitas, dan efisiensi kuantum (Bart J. Van Zeghbroeck, 1996). Responsivitas fotodetektor didefinisikan sebagai rasio dari arus pada fotodetektor terhadap daya optik yang masuk pada divais. Sensitivitas didefinisikan sebagai daya masukan minimum yang masih dapat terdeteksi oleh divais. Dan efisiensi kuantum didefinisikan sebagai rasio dari jumlah pasangan elektron-hole yang menghasilkan arus listrik terhadap jumlah foton yang menumbuk divais. Seperti halnya sel surya, fotodeterktor pun

terdiri dari berbagai struktur, seperti persambungan p-n, persambungan p-i-n, serta persambungan M-S.

BAB VII KESIMPULAN Dari hasil percobaan didapatkan: 1. Pada tegangan 50 volt a. Pada penurunan suhu Eg Eg = (5,961,39) x 10-22 J = (3,70,86) x 10-3eV b. Pada kenaikan suhu Eg Eg = (1,250,12) x 10-22 J = (0,800,07) x 10-3eV 2. Pada tegangan 60 volt a. Pada penurunan suhu Eg Eg = (1,420,45) x 10-22 J = (0,890,28) x 10-3eV b. Pada kenaikan suhu Eg Eg = (1,060,27) x 10-22 J = (0,670,17) x 10-3eV Suhu berpengaruh pada konduktivitas bahan semikonduktor. Semakin besar suhu maka nilai arus juga semakin besar. Semakin besar nilai suhu maka konduktvitas listrik juga semakin besar Nilai Ln konduktivitas semakin kecil maka nilai 1/T juga akan semakin kecil Nilai ln I semakin kecil maka nilai 1/T akan semakin kecil juga

DAFTAR PUSTAKA Staf Laboratorium Fisika Zat Padat. 2011. Buku Penuntun Praktikum Eksperimen Fisika III. Laboratorium Fisika Zat Padat. Yogyakarta: Fakultas MIPA UGM. Kittel, C., 1986, Imtroduction to Solid Physics, edisi 6, Jhon Wiley & Sons, New York http://www.akademik.unsri.ac.id/download/journal/files/baijournal/Harmen_Ranc ang%20Bangun.pdf http://www.batan.go.id/ptrkn/file/vol_12_02/4.Edit_teguh.pdf http://repository.ipb.ac.id/handle/123456789/16294 http://ikhwanpcr.blogspot.com

LAMPIRAN 1. Pada tegangan 50 volt a. Pada penurunan suhu Menghitung konduktivitas () = = = = = = = = = = = =

0.32.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.31.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.21.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.18.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.17.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.16.106 5.80.10 3 50 2,67.105

= 1.38 x 10-6 = 1.34 x 10-6 = 0.90 x 10-6 = 0.78 x 10-6 = 0.74 x 10-6 = 0.69 x 10-6

Menghitung energi Gap dan ketidakpastiannya = . 2 = 21,63 2 1,38 1023 = 5,96 1022 = . 2 = 5,05 2 1,38 1023 = 1,39 1022 Jadi, Eg Eg = (5,961,39) x 10-22 J = (3,70,86) x 10-3eV

b. Pada kenaikan suhu Menghitung konduktivitas () = = = = = = = = = =

0.31.10 6 5.80.103 50 2,67.10 5 0.32.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.33.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.34.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.35.106 5.80.10 3 50 2,67.105

= 1.34 x 10-6 = 1.38 x 10-6 = 1.42 x 10-6 = 1.47 x 10-6 = 1.51 x 10-6

 = = =

0.36.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.37.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.38.106 5.80.10 3 50 2,67.105 0.39.106 5.80.10 3 50 2,67.10 5 0.40.106 5.80.10 3 50 2,67.105

= 1.55 x 10-6 = 1.60 x 10-6 = 1.64 x 10-6 = 1.69 x 10-6 = 1.73 x 10-6

= = = = =

Menghitung energi Gap dan ketidakpastiannya = . 2 = 4,52 2 1,38 1023 = 1,25 1022 = . 2 = 0,45 2 1,38 1023 = 0,12 1022 Jadi, Eg Eg = (1,250,12) x 10-22 J = (0,800,07) x 10-3eV

1. Pada tegangan 60 volt a. Pada penurunan suhu Menghitung konduktivitas () = = = = = = = = =

0.24.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.22.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.21.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.18.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.16.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.15.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.14.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5

= 0.87 x 10-6 = 0.80 x 10-6 = 0.79 x 10-6 = 0.65 x 10-6 = 0.58 x 10-6 = 0.54 x 10-6 = 0.51 x 10-6

= = = =

 Menghitung energi Gap dan ketidakpastiannya = . 2 = 5,15 2 1,38 1023 = 1,42 1022 = . 2 = 1,63 2 1,38 1023 = 0,45 1022 Jadi, Eg Eg = (1,420,45) x 10-22 J =(0,890,28) x 10-3eV

b. Pada kenaikan suhu Menghitung konduktivitas () = = = = = = = = = = = = = = = = = = = =

0.31.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.28.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.30.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.33.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.36.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.38.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.40.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.42.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.32.10 6 5.80.103 60 2,67.10 5 0.39.10 6 5.80.103 60 2,67.105

= 1.21 x 10-6 = 1.02 x 10-6 = 1.09 x 10-6 = 1.19 x 10-6 = 1.30 x 10-6 = 1.34 x 10-6 = 1.45 x 10-6 = 1.52 x 10-6 = 1.16 x 10-6 = 1.41 x 10-6

 Menghitung energi Gap dan ketidakpastiannya = . 2 = 3,85 2 1,38 1023 = 1,06 1022 = . 2 = 0,97 2 1,38 1023 = 0.27 1022 Jadi, Eg Eg = (1,060,27) x 10-22 J = (0,670,17) x 10-3eV