EL TRANSISTOR Y SU FUNCIN

Juan Carlos Santiago Prez

Introduccin

Inventado en 1950 en los laboratorios Bell (USA). Su nombre se deriva de transfer resistor, primera denominacin que recibieron. Su principal caracterstica es que permiten amplificar voltaje o corriente. Antes esta labor poda ser realizada solamente mediante tubos al vaco. Los transistores se encuentran hoy en da en forma discreta o formando parte de todo circuito integrado existente.

Tipos de Transistores
NPN BIPOLARES PNP

TRANSISTORES UNIN

CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P) EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTO R CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

+ + -

+ +

+ +

+ -

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

Base

Emisor

Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

Transistor NPN

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones. En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

Base

Emisor

Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.

Principio de Funcionamiento del Transistor BJT

Conclusiones: Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1) La zona de Base debe ser muy estrecha.
2)

El emisor debe de estar muy dopado.

C

Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

NP
B N+ E

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

Funcionamiento del Transistor NPN

Los transistores pueden funcionar de tres formas distintas: en activa, en corte y en saturacin. Analizamos su funcionamiento a travs de un smil hidrulico. una tubera que dispone de una llave de paso B con Imaginemos un muelle de cierre cuya resistencia se vence al presionar la base. El agua intentar pasar del emisor E al colector C.

Corte: si no hay presin en B (base), no puede abrir la vlvula y no se produce paso de fluido de E a C.
Si no hay corriente en la base del transistor no pasa la corriente del colector al emisor. Se comporta como un interruptor abierto.

Funcionamiento del Transistor NPN

Activa: si llega algo de presin a B (base), est abrir ms o menos la vlvula y dejar pasar ms o menos fluido de E a C

El transistor permitir un paso de corriente proporcional a la intensidad en la base y siempre superior a esta. A la relacin entre ambas corrientes se le llama amplificacin o ganancia. Se comporta como un amplificador

Funcionamiento del Transistor NPN

Saturacin: si llega suficiente presin a B (base) de forma que abra totalmente la vlvula, se comunica E con C y el fluido pasa sin dificultad.

Cuando la intensidad en la base es grande, el transistor se comporta como un interruptor cerrado

Con una pequea seal en la base (A) se controla el funcionamiento del transistor.

Tensiones y Corrientes en el Transistor

En la figura se observa el sentido de las diferentes intensidades de corriente, as como la denominacin de las tensiones entre los tres terminales. Considerando el transistor como un nudo elctrico:

Considerando el transistor como una malla:

Tensiones y Corrientes en el Transistor

Para funcionamiento en activa, se cumple:
Donde:
IB = Intensidad de corriente en la base. IC = Intensidad de corriente en el colector. IE = Intensidad de corriente en el emisor.

= ganancia en intensidad
VCE = tensin entre el colector y el emisor. VBE = tensin entre la base y el emisor.

VCB = tensin entre el colector y la base.

Regiones de Funcionamiento
Regin de corte
Se caracteriza porque tanto la unin base-emisor como la unin base-colector estn polarizadas inversamente. En estas condiciones la tensin en la base es nula o negativa, luego las intensidades que aparecen son prcticamente nulas, el transistor no conduce. La tensin entre el colector y el emisor (VCE) es prcticamente igual a la de alimentacin.

VCE = VCC

La tensin entre la base y el emisor (VBE) es menor a 0.7 V (silicio).

VBE < 0.7 v

El transistor se comporta como un interruptor abierto.

Regiones de Funcionamiento
Regin activa
Se caracteriza porque la unin base-emisor se polariza directamente y, en inverso, la unin base-colector. En este caso, las intensidades de corriente ya no son nulas (el transistor conduce parcialmente). La tensin entre el colector y el emisor (VCE) est comprendida entre 0.2 V y la tensin de alimentacin.
0.2 v VCE VCC

La tensin entre la base y el emisor (VBE) es mayor o igual a 0.7 V (silicio). La intensidad en el colector ser:

VBE 0.7 v

El transistor se comporta como un

Regiones de Funcionamiento
Regin de saturacin
Se caracteriza porque las uniones base-emisor y basecolector se polariza directamente. El transistor conduce plenamente y la tensin colector-emisor es aproximadamenteCE = 0.2 V V 0.2 V. En esta regin ya no se cumple la ecuacin fundamental del transistor, sino que la intensidad de colector es inferior a la que se obtendra en zona activa. El transistor se comporta como un interruptor cerrado.

Regiones de Funcionamiento
Tabla resumen del funcionamiento del transistor.
IC Corte Activa 0 IB IB 0 IC/ VCE VCC VCC VCE 0.2 V VBE <0.7 V 0.7 V

Saturaci n

IB

IC/

0.2 V

0.7 V

Curvas Caractersticas

Funcionamiento en Conmutacin de un Transistor NPN

12 V 36 W 3A 12 V I 40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico.

12 V 36 W 12 V I 3A = 100

IC 4A PF (ON) 3 A OFF VCE 12 V PF (OFF) ON IB = 40 mA

Caractersticas Elctricas del Transistor Bipolar

Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC
C ICMAX B E

IC-MAX

Corriente mxima de colector

VCE-MAX Tensin mxima CE PMAX Potencia mxima

PMAX

VCE-SAT Tensin C.E. de saturacin HFE Ganancia

SOAR
VCE-MAX VCE

rea de operacin segura (Safety Operation Area)

Caractersticas Elctricas del Transistor Bipolar

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

TOSHIBA

Identificacin de Terminales
Existen muchos tipos de transistores con encapsulados diferentes. Para realizar un montaje, es necesario identificar cada patilla y asegurar as el funcionamiento correcto.
Buscando la informacin en las hojas del fabricante (Data sheet) y en funcin del tipo y su encapsulado identificaremos cada patilla.