FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TRANSISTORES (Panormica)

BIPOLARES

NPN PNP CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

TRANSISTORES

UNIN EFECTO DE CAMPO

METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

UNIVERSIDAD DE OVIEDO

Manuel Rico Secades

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TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
En principio un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.

N P
C

N
E B

Emisor (E)

Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha (Fundamental para que sea transistor). 2.- El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

SMBOLO C N P B
-

IMPORTANTE !!! No es un dispositivo simtrico N+ E

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

ASPECTO MAS REAL DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

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Manuel Rico Secades

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CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 I C [mA] I B [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.

= 100
2000 1000

20 10 0 V CE

ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA , que en el dispositivo ideal consideraremos cero

ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.

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Manuel Rico Secades

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USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor 12 V 36 W 12 V 12 V 36 W

12 V

3A I

3A = 100

40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital
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IC 4A PF (ON) 3 A OFF VCE 12 V PF (OFF)

Manuel Rico Secades

IB = 40 mA ON

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USOS DEL TRANSISTOR PNP: Como interruptor 12 V 36 W 12 V 40 mA I = 100 3A 12 V 36 W IC

Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

12 V

3A I

4A PF (ON) 3 A OFF ON

IB = 40 mA

VEC 12 V PF (OFF)
Manuel Rico Secades

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CARACTERSTICAS REALES DE LOS TRANSISTOR NPN y PNP

Activa

IB
V CE = 0 V CE1 V CE2

IC I IB6 IB5 Saturacin IB3 IB2 IB1 I B4

CMax

Avalancha Secundaria

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

VBE

IB= 0 1V Corte VCEMax VCE

Caracterstica de Entrada

Caracterstica de Salida

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