PED 2002-03

4.1
TRANSISTORES
Smbolo. Caractersticas
Clasificacin de los transistores
Transistores bipolares
Transistores unipolares

Universidad del Pas Vasco
Departamento de Arquitectura y Tecnologa de Computadores
ehu upv
eman ta zabal zazu
PED 2002-03
4.2
Caractersticas. Smbolo
Elemento triterminal: Terminal de control
Magnitud control: tensin o corriente
Funcionamiento especfico: dos uniones PN
Funcionamiento en rgimen permanente:
componentes de los circuitos digitales
A
B
+

terminal de
control
+

i
v
i
T.C.
v
AB
T.C.
v
i
V
Q
I
Q 1
I
Q 2
I
Q 3
PED 2002-03
4.3
Transistores bipolares: BJT
Corriente: movimiento de electrones y huecos.
Magnitud de control: corriente
Dos tipos: NPN y PNP
Transistores unipolares o de efecto de campo: FET
Campo elctrico influye en el comportamiento
Corriente: movimiento slo de electrones o huecos, segn el tipo
de transistor
Magnitud de control: diferencia de potencial
JFET
FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)
Clasificacin de los transistores
Transistores uniunin: UJT
Muy especiales. No los veremos
PED 2002-03
4.4
Magnitud de control: corriente
Terminal central: corriente de control. Terminal base: B
Terminal izquierda: emisor, E
Terminal derecha: colector, C
TRANSISTORES BIPOLARES
A
B
+

v
AB
i
i
T.C.
) , (
. .C T AB
i v f i =
P P N
N N P
PED 2002-03
4.5
Sentido flecha: de P hacia N
Tipos de transistores bipolares
B
C
E
transistor bipolar NPN
colector
emisor
base
transistor bipolar PNP
C
colector
E
emisor
B
base
PED 2002-03
4.6
Seis magnitudes a relacionar
Corriente en cada terminal: I
C
, I
B
, I
E
Diferencias potencial entre terminales: V
BE
, V
BC
, V
CE
Dos ecuaciones de comportamiento
Convenio para el sentido de las corrientes y signo de las tensiones
Magnitudes en los transistores bipolares
E
B
C
+
+
+
PNP
I
B
I
C
I
E



V
EB
V
EC
V
CB
B
C
E
+
+
+
NPN


V
BE
V
CE
V
BC
I
B
I
C
I
E
PED 2002-03
4.7
Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares
+
+
+
+

+




V
BB
V
CC
R
C
R
B
I
B
I
C
I
E
I
B
I
C
I
C
I
C
V
BE
V
CE
V
BC
PED 2002-03
4.8
Ecuaciones de comportamiento de los t. bipolares
I
C
= f (V
CE
, I
B
) I
B
= g(V
BE
, V
CE
)
I
E
= I
B
+ I
C
V
BC
= V
BE
V
CE
V
BB
= R
B
I
B
+V
BE
V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
Ecuaciones comportamiento: anlisis experimental
Simplificando: punto operacin del transistor Q(I
B
, I
C
, V
BE
, V
CE
)
PED 2002-03
4.9
Curvas caractersticas: dos
I
B
= g(V
BE
, V
CE
)
V
CE
poca influencia. Se simplifica.
I
B
V
BE
I
B
V
BE
I
B
= g ( V
BE
)
PED 2002-03
4.10
I
C
= f (V
CE
, I
B
)
0
2
4
6
8
10
12
mA
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
I
C
V
CE
PED 2002-03
4.11
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar
Un transistor tiene dos uniones PN, 4 posibles polarizaciones:
unin BE IP IP DP DP
unin BC IP DP IP DP
Distinguir entre E y C?
Polarizacin relativa determina quin funciona como E y quin como C
E y C no son exactamente iguales a nivel fsico
Funcionamiento directo o normal (NPN): V
BE
> V
BC

Funcionamiento inverso (NPN): V
BE
< V
BC

Habitualmente: funcionamiento directo
Posible con tres de las cuatro opciones
Tres zonas de funcionamiento
Corte
Regin Activa Normal (R.A.N.)
Saturacin

PED 2002-03
4.12
1. Corte
BE y BC en I.P.
Por tanto V
BE
0,7 V y V
BC
0,7 V (se suele comprobar slo V
BE
0,7 V)
En I.P. no circula corriente, por tanto: I
C
= 0 A I
B
= 0 A (por tanto I
E
= 0 A)
Ya tenemos las dos ecuaciones que nos faltaban
Resumiendo:
condicin ecuacin
V
BE
0,7 V I
C
= 0 , I
B
= 0

PED 2002-03
4.13
2. Regin Activa Normal (R.A.N.)
BE en D.P., BC en I.P
Slo una unin en D.P. pero corriente en ambas. An as I
B
<< I
C

BE en D.P., por tanto, V
BE
= 0,7 V (una ecuacin ms)
Otra ecuacin: analizando las curvas caractersticas del transistor
Conclusin anlisis: I
C
/I
B
= ( nueva ecuacin, ganancia de corriente)
Vara segn el tipo de transistor. Consideraremos 100
Verificacin de esta zona implica comprobar unin BC en I.P: comprobar
V
BC
0,5 V (no 0,7 como en una unin aislada). Equivalente: V
CE
> 0,2 V
condicin ecuacin
V
CE
> 0,2 V V
BE
= 0,7 V ,

I
C
I
B
= |
PED 2002-03
4.14
3. Saturacin
BE y BC en D.P.
Corriente en las dos uniones, I
B
mayor que antes
Ambas uniones en D.P.: V
BE
= 0,7 V y V
CE
= 0,2 V
No relacin constante anterior

Verificacin de esta zona implica comprobar I
C
/I
B

condicin ecuacin
V
BE
= 0,7 V
V
CE
= 0,2 V

I
C
I
B
s |
PED 2002-03
4.15
Zonas de funcionamiento en la curva caracterstica
0
2
4
6
8
10
12
mA
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
V
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
I
C
V
CE
R.A.N.
Corte
S
a
t
u
r
a
c
i

n

PED 2002-03
4.16
Aproximacin realizada
0,2 V
I
C
I
B 1
I
B 2
I
B 3
I
B 4
V
CE
PED 2002-03
4.17
Resolucin grfica de circuitos con transistores
Conocemos curvas (I
B
,V
BE
) y (I
C
,V
CE
) del transistor
Circuito de entrada








RECTA DE CARGA de entrada
+
B
E
"carga" del
circuito de
entrada

I
B
V
BB
R
B
V
BE
V
BB
= R
B
I
B
+V
BE
I
B
=
V
BB
R
B

1
R
B
V
BE
PED 2002-03
4.18
Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (I
B
,V
BE
)









Obtenemos punto de operacin de entrada: (I
BQ
,V
BEQ
)
I
B
V
BE
PED 2002-03
4.19
Circuito de salida









RECTA DE CARGA de salida
+
C
E
"carga" del
circuito de
salida

I
C
V
CC
R
C
V
CE
V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
I
C
=
V
CC
R
C

1
R
C
V
CE
PED 2002-03
4.20
Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (I
C
,V
CE
)










Obtenemos punto de operacin de salida
Con ambos puntos, tenemos el punto de operacin del transistor
I
B5
I
B4
I
B3
I
B2
I
B1
I
C
V
CE
=I
BQ
PED 2002-03
4.21
TRANSISTORES UNIPOLARES O DE EFECTO DE CAMPO
Campo elctrico influye en el comportamiento
Corriente: movimiento slo de electrones o huecos, segn tipo
Magnitud de control: diferencia de potencial
JFET
FETMOS: de canal N (electrones); de canal P (huecos)
A
B
+

T.C.
v
AB
i
v
T.C.
i = f (v
AB
, v
T.C.
)
PED 2002-03
4.22
JFET, transistores de efecto de campo de unin
transistor JFET de canal N
G
D
S
drenador
fuente
puerta
G
D
S
drenador
fuente
puerta
transistor JFET de canal P
t ransi stor JFET de canal N
t ransi stor JFET de canal P
Otros smbolos

PED 2002-03
4.23
Tres magnitudes para analizar comportamiento: I
D
, V
DS
y V
GS
(t. control)

Funcionamiento adecuado: dos uniones PN en I.P
Canal N: V
GS
< 0. Canal P: V
GS
> 0
Portadores de carga de fuente hacia drenador, generan I
D
Corriente I
G
=0. Por tanto: I
S
= I
D
Magnitudes de los JFET
+
+
canal N
G
D
S
(< 0)


I
D
V
DS
V
GS
I
G
= 0 +
+
canal P
G
D
S
(> 0)


I
G
= 0
V
GS
V
SD
I
D
PED 2002-03
4.24
Curvas de transferencia en los JFET
Punto de operacin: Q( I
DQ
, V
DSQ
, V
GSQ
)

Corriente I
D
depende de las dos tensiones: I
D
= f(V
GS
,V
DS
)

Circuito para analizar el funcionamiento
+
+

+
+
(variable)
(variable)
S
D
G


V
GS
V
DS
I
D
R
D


V
GG
V
DD
I
G
= 0
PED 2002-03
4.25
( < 0 siempre)
V
GS
I
D
I
DSS
V
GSoff
V
GSQ
I
Dsat
2
1
(
(

=
GSoff
GS
DSS Dsat
V
V
I I
Dos curvas

* Curva 1: manteniendo V
DS
, I
D sat
= f(V
GS
)
I
DSS
corriente de saturacin (V
GS
=0)
V
GSoff
tensin de estrangulamiento (canal desaparece, I
D
= 0)

PED 2002-03
4.26
Saturacin
Corte
I
D
I
DSS
V
DS
I
Dsat
Vgs=-2
V
GS
= 2 V
V
GS
= 1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
s V
GSoff
( < 0 )
V
DSS
V
DSsat
Vgs=-2
I
DSS
corriente de saturacin (V
GS
=0)
V
GSoff
tensin de estrangulamiento (canal desaparece, I
D
= 0)

* Curva 2: para distintos valores de V
GS
, I
D
= f(V
DS
)
PED 2002-03
4.27
Tres zonas de funcionamiento:
condicin ecuacin

CORTE: V
GSQ
s V
GSoff
I
D
= 0

ZONA OHMICA: V
GSoff
s V
GSQ
s 0 I
D
= V
DSS
/ R
DS

V
DSQ
s V
DSsat
R
DS
= V
DSS
/ I
DSS


SATURACIN: V
GSoff
s V
GSQ
s 0 I
D
= K I
DSS

V
DSQ
> V
DSsat


V
DSS
tensin para estrangular el canal : |V
GSoff
|
V
DSsat
frontera entre zona hmica y saturacin (no constante)

K = 1
V
GSQ
V
GSoff



(

(
2
V
DSsat
= 1
V
GSQ
V
GSoff



(

(
2
V
GSoff
PED 2002-03
4.28
MOS, transistores metal-xido-semiconductor
NMOS de enriqueci mi ent o
G
D
S
drenador
fuent e
puert a
B
sust rat o
PMOS de enriquecimiento
G
D
S
B
drenador
fuente
puerta
sustrato
NMOS de empobrecimiento
G
D
S
B
drenador
fuente
puerta
sustrato
G
D
S
B
PMOS de empobrecimiento
drenador
fuente
puerta
sustrato
PED 2002-03
4.29
Otros smbolos

transistores de enriquecimiento
NMOS
PMOS
NMOS
PMOS
t ransi stores de empobreci mient o
Enriquecimiento: D y S fsicamente separadas
Empobrecimiento: entre D y S siempre hay canal
B, sustrato (bulk). No es un terminal, sino la base fsica sobre la que se
ha construido el MOS. Normalmente se conecta a S

PED 2002-03
4.30
Tres magnitudes para analizar comportamiento: I
D
, V
DS
y V
GS
(t. control)

Corriente I
G
=0 siempre, no dependiendo de la polarizacin
Polarizacin adecuada para crear canal entre S y D (enriquecimiento) o
para estrechar el canal existente (empobrecimiento)

Magnitudes de los MOS
NMOS de enriquecimiento
G
S
D
+
(> 0)
+


V
GS
V
DS
I
D
I
G
= 0
PMOS de enriquecimiento
G
S
D
+
(< 0)
+

V
SD
I
D
I
G
= 0
V
GS

PED 2002-03
4.31
Curvas de transferencia en los MOS
Punto de operacin: Q( I
DQ
, V
DSQ
, V
GSQ
)

Corriente I
D
depende de las dos tensiones: I
D
= f(V
GS
,V
DS
)
Obtenemos esa curva experimentalmente, al igual que antes, con un
circuito similar

* Curva 1: manteniendo V
DS
, I
D
= f(V
GS
) (transistor en saturacin)

NMOS de enriquecimiento
V
GS
I
D
I
Don
V
GSon
V
T
I
D
= I
Don

V
GS
V
T
V
GSon
V
T
|
\

|
.
|
2
PED 2002-03
4.32
* Curva 2: para distintos valores de V
GS
, I
D
= f(V
DS
)
Saturacin
Corte
NMOS de enriquecimiento I
D
I
Dsat
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 15 V
V
GS
s V
T
V
DS
V
DSsat
V
GSQ
Z
o
n
a

h
m
i
c
a

PED 2002-03
4.33
MOS enriquecimiento, tres zonas de funcionamiento:
condicin ecuacin

CORTE: V
GSQ
s V
T
I
D
= 0

ZONA OHMICA: V
GSQ
> V
T
I
D
= V
DSS
/ R
DS

V
DSQ
s V
DSsat


SATURACIN: V
GSQ
> V
T
I
D
= K I
Don

V
DSQ
> V
DSsat

K =
V
GS
V
T
V
GSon
V
T
|
\

|
.
|
2