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Los elementos o componentes activos son aquellos que introducen energa elctrica a un sistema elctrico tomndolo a su vez de cualquier

otro sistema, es decir toda fuente de alimentacin o transformador acta como elemento activo. Los generadores o fuentes son los componentes que aportan la energa para que exista circulacin de corriente en un circuito elctrico.

CARACTERISTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES


Un semiconductor es un dispositivo que tiene las caractersticas entre un conductor y un aislador. Los elementos semiconductores usan generalmente el silicio (Si) y el Germanio (Ge), donde la arena es igual al dixido de silicio y las cenizas del carbn es el germanio. Las caractersticas principales de los semiconductores puros son:

1. Su resistencia es mayor que la de los metales conductores pero menor que la de los aisladores.

2. El coeficiente de temperatura es negativa, es decir su resistencia disminuye conforme aumenta su temperatura.

3. Su valencia electrnica es de ms o menos 4. Esta valencia significa que el tomo tiene 4 electrones en su capa ms externa.

Es el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido, esto debido a que despus del oxigeno es el elemento ms abundante en la superficie terrestre (27,7% en peso). El silicio, a diferencia del carbono, no existe en forma libre en la naturaleza, se encuentra en forma de dixido de silicio (slice) y de silicatos complejos. Slice: arena, cuarzo, amatista, gata, pedernal y palo, Silicatos complejos: granito, feldespato, arcilla, y mica.

Silicio

Silicio

Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres.

El germanio es un metal frgil, de color agrisado, muy brillante, en alguna de sus propiedades se parece al carbn y en otras al estao. El germanio se encuentra muy distribuido en la corteza terrestre con una abundancia de 6.7 partes por milln (ppm). El germanio se halla como sulfuro o est asociado a los sulfuros minerales de otros elementos, como el cobre, zinc, plomo, estao y antimonio. Tambin se lo obtiene de las cenizas de carbn. El primer dispositivo de estado slido, fue hecho de germanio. Los cristales especiales de germanio se usan como sustrato para el crecimiento en fase vapor de pelculas finas de GaAs y GaAsP en algunos diodos emisores de luz. Se emplean lentes y filtros de germanio en aparatos que operan en la regin infrarroja del espectro. Mercurio y cobre impregnados de germanio son utilizados en detectores infrarrojos.

Estructura atmica del Silicio y el Germanio

Un semiconductor se puede dopar para que tenga un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. Debido a ello existen dos tipos de semiconductores dopados. Los semiconductores tipo N y tipo P.

TIPO N
EI silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo N, donde n hace referencia a negativo. En Figura sig. se muestra un semiconductor tipo n.

El semiconductor tipo N

tiene muchos electrones libres

El semiconductor tipo N tiene muchos electrones libres Principios elctricos y aplicaciones digitales ITES Los Cabos Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo N, reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios.

TIPO P
El silicio ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo P, donde la p hace referencia a positivo. La Figura sig. representa a un semiconductor tipo P. Como l nmero d huecos supera al nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

El semiconductor tipo P tiene muchos huecos.

Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la Figura anterior los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se re combinan con los electrones libres del circuito externo.

Son dispositivos fabricados a partir de los materiales descritos en la seccin anterior, existe una gran variedad de ellos, a continuacin veremos los ms significativos en la electrnica analgica.

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin. LED
El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros. Cuando un LED se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones.

Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn) se determina a partir de la banda de energa del semiconductor.

Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio. Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para obtener una buena intensidad luminosa y evitar que este se pueda daar. El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs.

Estructura de un LED

RECTIFICADORES
Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos. El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna.

De acuerdo a la potencia manejada (corriente y voltaje), estos se dividen en diodos de seal y diodos de potencia. Los de seal o baja potencia son aquellos que manejan menos del amperio, y los de potencia, los que trabajan con corrientes superiores al amperio.
Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido.

Durante la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn.
Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa.

Smbolo y forma fsica

DIODO ZENER
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que a diferencia del funcionamiento de los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa) siempre se utiliza polarizado inversamente.

En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales una tensin de valor constante.

Los parmetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal, junto con los siguientes: VZ: Tensin de zener , IZM: Corriente mxima en inversa. El zener es un dispositivo de tres estados operativos:
Conduccin en polarizacin directa: Como en un diodo normal. Corte en polarizacin inversa: Como en un diodo normal. Conduccin en polarizacin inversa: Mantiene constante V (igual a VZ), con una corriente entre 0 y IZM.

smbolo diodo Zener

El Diodo Zener

Caracterizacin del Zener El diodo zener viene caracterizado por: 1. Tensin Zener Vz. 2. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: 5%) 3. Mxima corriente Zener en polarizacin inversa Iz. 4. Mxima potencia disipada. 5. Mxima temperatura de operacin del zener.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador o interruptor. El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se les encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavarropas automticas, automviles, equipos de refrigeracin, etc.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes drenadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base).

BIPOLARES
Son dispositivos fabricados con materiales semiconductores, cuentan con 3 elementos y su caracterstica principal es poder amplificar y conmutar una seal. Todo transistor est formado por 3 terminales: 1. Emisor Se suministra los portadores mayoritarios para el flujo de la corriente. Es la terminal que se simboliza por medio de una flecha. 2. Colector Recoge los portadores mayoritarios al emisor para la operacin del circuito. 3. Base Controla el flujo de corriente entre el emisor y el colector.

Estos transistores pueden ser de dos tipos: Los NPN y los PNP. Estos se diferencian por la manera como son polarizados.

FET
El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.
Smbolos esquemticos del transistor de efecto campo

Canal P

Canal N

Smbolos esquemticos para los FETs canal-n y canal-p.

G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).
Ventajas del FET: 1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios).

2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.


Desventajas que limitan la utilizacin de los FET: 1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.

2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.

Estructura del transistor FET

MOSFET
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada.

Todos los tipos de MOSFETS son del tipo-N y tipo-P. A diferencia del FET de unin, la compuerta de un MOSFET no tiene contacto elctrico con la fuente y el drenaje. En el MOSFET de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de potencia. Se utilizan en circuitos de electrnica de potencia, como pueden ser en fbricas, ensambladoras, etc.

Los tiristores son dispositivos semiconductores 2 o 3 pines de conexin.


RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Este dispositivo se caracteriza por tener 2 estados de operacin de electricidad o apagado. Su mayor aplicacin est en electrnica industrial y los circuitos de control. Su funcionamiento bsico es:

a) Si se polarizan inversamente no va a conducir corriente (de ah su nombre de rectificador) b) Si se polariza directamente tampoco conduce.

c) Si se polariza directamente y se le aplica pulso a su compuerta con la polaridad requerida, este se desbloquea y pasa de estado de apagado a encendido.
d) En estado de encendido la compuerta ya no ejerce control sobre el dispositivo. e) Para apagar el SCR es necesario cancelar el voltaje aplicado entre sus extremos (nodo y ctodo).

Smbolo del SCR.


Estructura interna y curva caracterstica del SCR

SCS (Silicon Controlled Switch):


Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.

Smbolo del SCS

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores.

Estructura, smbolo y curva caracterstica de un SCS.

DIAC
Es un dispositivo de 3 capas similar a un transistor de unin PNP pero sin la terminal de base. Puede conmutar voltajes de AC. El diac es interruptor bidireccional de AC. Su funcin es similar al triac ya que permite la circulacin de corriente en ambos sentidos. La nica diferencia es que en este dispositivo no existe la terminal G de compuerta. nicamente dejara de pasar la corriente en un sentido cuando exista la diferencia de potencial definida por el fabricante. Puede conmutar voltaje de AC y pasar la corriente en ambos sentidos.

Construccin bsica y smbolo del DIAC

TRIAC
Su funcionamiento es similar al SCR, con la diferencia que el TRIAC permite la circulacin de corriente de ambos sentidos. Su compuerta pude ser disparada en tensiones positivas y negativas. De hecho el TRIAC es un SCR bidireccional.

CONCLUSION 1._ Como conclusin tenemos que los semiconductores son muy
importantes en el mundo de la electrnica por que en los dispositivos que cotidianamente usamos se necesita un control en el paso de corriente ya que estos pueden ser como controladores al flujo de la corriente pero si no existe un control la corriente puede en ocasiones llegar o de plano no pasar, y con esto pueden funcionar eficientemente los aparatos. 2._ Llegue a la conclusin de que un dispositivo LED es un semiconductor que produce luz visible cuando se encuentra polarizado y el voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA. 3._ Conclu que el diodo rectificador es un mtodo para convertir corriente alterna (CA) en corriente continua (CC), en el cual existen 2 tipos, la de seal y la de potencia la de seal trabaja con baja potencia y con amperio bajo. La de potencia trabaja con amperio superior as en la de seal se trabaja con material de plstico y la de potencia debido al alta corriente que maneja se trabaja con material metlico. 4._ En conclusin creo que los tiristores son muy importantes en la electrnica ya que funcionan como interruptores electrnicos mucho ms eficientes que los interruptores electromecnicos, aunque existen varios tipos de tiristores los ms utilizados son los SCR los cuales pueden comportarse de diferente manera en los circuitos dependiendo de las condiciones en las que se encuentre y los TRIAC que puede conmutar corrientes tanto alternas como directas, cuyo funcionamiento es equivalente a la asociacin de dos SCR en anti paralelo.

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