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ANALGICA
Qualquer valor
DIGITAL
S 2 valores
Sinal
Sinal
tempo
tempo
ELETRNICA ANALGICA
SEMICONDUTORES
O tomo
Bandas de energa
O semicondutor A circulao de corrente
Juno P-N
O tomo
ncleo Np = n protes
periferia Ne = n electres
Carga do tomo
Ne > Np Ne = Np Ne < Np negativo neutro positivo
Distribuio de electres
Os electres esto distribuidos en rbitas de diferente energa Para passar de uma para outra um electro tem de absorver ou libertar a seguinte energa: E = hv h= constante de Plank v = frequencia de radiao
Cada rbita de electres constitui una banda energtica en la que pueden estar los electrones. Entre as distintas rbitas hay bandas energticas en las que no pueden estar los electrones.
B. conduo
Intervalo energtico onde esto aqueles electres que podem mover-se livremente Energa que tem de adquirir um electro da banda de valencia para poder mover-se livremente pelo material
Intervalo energtico donde est os electres da ltima rbita
B. proibida
B. valencia
O semicondutor I
Ge Histrico
Si Principal
AsGa
O semicondutor II
tomo de Si
Electro de valencia
Ligao covalente
O semicondutor III
=
Nmero de buracos
Energa
O semicondutor IV
Tipo N Tipo P
N de portadores = N de impurezas
V+
A circulao tem lugar na banda de conduo = Os condutores
V-
V+
A circulao tem lugar na banda de valencia
V-
V+
V+
V+
V-
V-
V-
P
minoritrios
maioritrios
MUITOS
P N P
MUITOS
N
Zona
despoblada
EQUILIBRIO
Os minoritarios NO circulam
Para que circulem os portadores maioritrios tem de ser V > a tenso da Barreira de Potencial
N
Os maioritrios NO circulam, SE REAGRUPAM.
C =
*S
I P N
V V
I = I0*(exp(V/n*VT) -1)
VT = KT/q
I0 = corrente inversa de saturao q = carga do electro: 1,6*10-19 coulombs K = constante de Boltzman: 1,36*10-23 J/K T = Temperatura en graus Kelvin n = constante emprica ( 1-germanio; 2-silicio)
COMPONENTES
DIODOS
O diodo ideal Diodos reais O diodo de juno P-N O diodo zener O fotodiodo O LED O Optoacoplador
TRANSISTORES
A funo transistor O transistor bipolar
Transistores de efeito de campo
-JFET -MOSFET
POLARIZAO INVERSA
V
Smbolo
R = No h corrente
Diodo de vcuo OUTROS DIODOS de Arsenieto de Glio de Selenio de xido de cobre de Pontas de contacto de Juno P-N
Smbolo
P N
V
I I
VR = Tenso de ruptura
VR
V
VC
VC = 0,7 V no Si
VZ = Tenso de funcionamento
Smbolo
V V I
VZ
Izmx
O diodo zener est projectado para trabalhar na zona de ruptura, sempre que no ultrapasse a sua intensidad mxima. Existem no mercado diodos zener con diversas tenses de funcionamento.
Rs VZ
V V
VZ
RL
Izmx
O zener evita que a tenso na resistencia de carga RL supere o valor da sua tenso nominal. O zener no pode impedir que a tenso fique abaixo da sua tenso nominal. La regulacin la consigue absorbiendo ms o menos corriente, en funcin de las caractersticas del circuito. La diferencia de tensin entre la alimentacin y la carga se va a RS
Smbolo
RL
I
V V
Luz
Luz
Em polarizao directa comporta-se como um diodo normal. Em polarizao inversa s conduz quando se incide luz. Ao incidir luz rompem-se muitas ligaes e por tanto se incrementa o nmero de minoritarios que so os responsveis da corrente inversa.
Smbolo
V
RL
Display de 7 segmentos
RL I
V
RL
I
V
A vantagem fundamental de um optoacoplador o isolamento elctrico entre o circuito de entrada e o de saida. O nico contacto que existe um feixe de luz.
Estrutura E N P N
NPN
PNP
E P
Estrutura N P C
B
C B E Smbolo B E C
Smbolo
O transistor bipolar substitu com xito as vlvulas de vcuo. Suas principais vantagens so: mais pequeno, mais barato, mais fiavel, menor consumo e maior tempo de vida. Tem sido substituido pelos FET na maior parte das aplicaes de eletrnica digital, mas sigue siendo competitivo na amplificao e na alta velocidade de comutao.
E
isolante isolante
B
isolante
Al estar polarizada directamente la unin B-E, el E inyecta electrones libres en la base. Al llegar los electrones del E a la B son arrastrados, la mayora, al C, debido a la polarizacin inversa de la unin CB y a que la base es estrecha y est poco dopada. Solo unos pocos forman la corriente de B-E, mucho ms pequea que la de E-C. En definitiva la polarizacin B-E, gobierna la corriente entre E-C. La relacin entre las corrientes de B y C determinan la ganancia del transistor. Existen en el transistor otras corrientes menos importantes que no estn reflejadas en este grfico.
IE = IB + IC
C
IC
O transistor tem um comportamento no linear. Existem varios modelos para descrever a relao entre as tenses e correntes que circulan por ele. O mais usado o de Everst-Mole:
IB B
IC = IB + (1 + )IC0
Normalmente IC0 es desprezvel com o que a ecuacin anterior se simplifica:
IE E
IC IB
Por otra parte como siempre es mayor de 10 se deduce que IB es despreciable frente a IC, por lo que:
IE
IC
CURVAS DE SAIDA
VCC IC IB1 IB2 IB3 IB4 IB5
IB6
IB7
VCE
El transistor bipolar es un dispositivo no lineal. Pero cuando trabaja en pequea seal su comportamiento es aproximadamente lineal. Existen diversos circuitos que representan bien el comportamiento lineal del transistor, los cuales permiten resolver los circuitos con transistores mediante la Teora de Circuitos. Uno de los ms usados es el modelo simplificado de parmetros H en emisor comn, que se representa a continuacin:
IC
B C
IB
B IE
Canal p
Canal n Canal p
El FET es un dispositivo controlado en V Se denominan transistores unipolares porque tienen un solo portador de carga Tienen una gran impedancia de entrada Producen poco ruido Ocupan poco espacio Tienen problemas a altas frecuencias
D Canal N D
D Canal P D
G N P P
G P S N N
S D
El JFET, al contrario que el bipolar, tiene la unin G-S polarizada en inverso. Esto determina que la corriente de entrada sea mucho ms pequea. Es tanto como decir que es un dispositivo con una gran impedancia de entrada. El surtidor emite los portadores de carga y el drenador los recibe. La polarizacin inversa de puerta permite hacer el canal ms ancho o ms estrecho. S
Acumulao
condutor S D Canal N G S P D Canal P G S N N G D
isolante
En el Mosfet de acumulacin no existe inicialmente canal. Este se crea mediante la polarizacin de puerta surtidor. En el de canal N esta polarizacin es positiva y en el de canal P es negativa.
Despoblamiento
conductor S D Canal N G S P D Canal P G S N N G D
aislante
En el Mosfet de despoblamiento existe canal inicial. Esto permite dos tipos de polarizacin en puerta (+ y - ). Con polarizacin positiva se incrementa el canal. Con polarizacin negativa se disminuye.
Circuitos analgicos
Por qu?
C.C.
Alimentao de rede
preciso converter C.A./C.C. Como?
V 125/220 V t t V t V t
C.A.
Circuitos eletrnicos
variao
V
variao
t
Rede
Transformador
Retificador
Filtro
Regulador
Circuitos analgicos
Retificador
v
Meia Onda
Onda Completa
Circuitos analgicos
125/220
+ + -
125/220
Circuitos analgicos
~
125/220
Ponte de diodos
+
-
A ponte de diodos constituida por quatro diodos encapsulados juntos. O transformador dever ter a relao de transformao adequada tenso continua que se desee.
Circuitos analgicos
Filtros
So circuitos eletrnicos que permiten selecionar, atenuar ou eliminar sinais de uma determinada frequencia. Exemplos
Isto consegue-se utilizando componentes cuja resposta seja funo da frequencia 1 ZC= jwC
ZL=jwL
Circuitos analgicos
R
1 1
R
1 1
Circuitos analgicos
QUESTO PRVIA
Se
SS = Se * R
Quando um sinal passa por um circuito, o sinal de saida obtem-se multiplicando o sinal de entrada pela funo de transferencia ou resposta do circuito.
Circuitos analgicos
R
1
Passa Baixo
Sa ( f < f C ) Sb ( f > f C )
R
1
Passa Alto
fC
Sa ( f < fC1 )
Sb (fC1 < f < fC2 ) Sc ( f > fC2 )
1
Passa Banda
Sa ( f < fC1 )* 0 = 0
Sb (fC1 < f < fC2 )* 1 = Sb (fC1 < f < fC2 )
fC1
fC2
Sc ( f > fC2 ) )* 0 = 0
Circuitos analgicos
Descomposicin de seales
Fourier
=
Series
V
Transformada
V
Cualquier seal se puede descomponer en la suma de una seal continua y un conjunto de seales senoidales
Circuitos analgicos
+
t
+
t
V t
+
t
Circuitos analgicos
Sinal Terico
V t
F. Passo-baixo Retificador
V t
Sinal Real
Circuitos analgicos
Filtro Passa-Alto
Filtro Passa-Baixo
Circuitos analgicos
Esquema Bsico
Seal de Entrada VI
Se
SS
Circuitos analgicos
Los amplificadores son circuitos bsicos en la transmisin de seales electrnicas, pues permiten elevar el nivel de las mismas, bien para transmitirlas o bien para recuperar seales con unos niveles muy bajos de tensin.
Circuitos analgicos
Cadena de Amplificacin
Transductor de entrada
A1
A2
Transductor de salida
Circuitos analgicos
Adaptacin de impedancias
Transductor de entrada
A1 Zs1 Ze2
A2
Transductor de salida
Zs1 = Ze2
Circuitos analgicos
Concepto Consiste en combinar una muestra de la seal de salida de un proceso con la entrada, para modificar las caractersticas del proceso en la forma deseada
Circuitos analgicos
GRUA
Posicin de la carretilla
La seal de salida viene dada por la posicin de la carretilla. La seal de entrada est determinada por el piso al que se desea subir la carretilla. El operario, con su vista, compara ambas seales y si no coinciden, acta sobre el mando a distancia hasta hacerlas coincidir.
Circuitos analgicos
Circuito Bsico
MEZCLADOR DE SEALES
AMPLIFICADOR
+ -
B
RED DE REALIMENTACIN
Circuitos analgicos
Anlisis
Se = Se - B * Ss
Ss = Se A
Ss Ss = (Se - BSs) A
Se
+ -
B * Ss
Ss A = 1 +A B Se
Circuitos analgicos
Ar < A
Circuitos analgicos
Ar > A
Circuitos analgicos
Ar = A
O sistema pode proporcionar um sinal de saida sem ter sinal de entrada Interessa esta realimentao para os geradores de sinal. Utiliza-se nos osciladores.
Ss = Se Ss = 0 Ss =
Circuitos analgicos
Amplificador Operacional
V1
V2 Ref
+Vcc
+
V0 -Vcc
+Vcc
V1-V2
-Vcc
Circuitos analgicos
R2
R1 Ve
+
i2
Vs
i1
i1=i2
Vs -R2 = Ve R1
R2
Vs
Vs
+Vcc
Ve
Ve
+
-Vcc
Circuitos analgicos
Oscilador
Sinal de saida sinusoidal
Circuitos analgicos
Multivibradores
Astvel
V
El circuito bascula solo del nivel bajo al alto, y viceversa. Pueden regularse los tiempos en ambos estados. No tiene ningn estado estable.
Circuitos analgicos
Multivibradores
Monoestvel
V
El circuito slo cambia de un estado al otro. Para salir del segundo estado precisa una seal externa. Tiene un solo estado estable.
Seales de Cambio
Circuitos analgicos
Multivibradores
Biestvel
V
Para sair de qualquer dos dois estados precisa una seal externa. Tiene dois estados estveis.
Sinais de Mudana