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1 INTRODUCCIN El 23 de diciembre de 1947, luego del tubo de vaco, el triodo y el tetrodo, Walter H. Brattain y John Bodeen demostraron la accin amplificadora del primer transistor en los Laboratorios Bell. El transistor original (de punto de contacto) de tres terminales tena muchas ventajas en relacin al bulbo de vaco: - Era ms pequeo y liviano. - No tena que calentarse ni perda calor. - Su construccin era robusta. - Era ms eficiente pues consuma menos potencia. - Se podan obtener voltajes de operacin ms bajos.
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.1 INTRODUCCIN CONSTRUCCIN DE UN TRANSISTOR El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas, dos de material tipo n y una tipo p o dos de tipo p y una tipo n. El primero se llama transistor tipo npn y el segundo transistor tipo pnp. Tipo npn:
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.1 INTRODUCCIN CONSTRUCCIN DE UN TRANSISTOR Tipo pnp:
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.1 INTRODUCCIN CONSTRUCCIN DE UN TRANSISTOR La capa del emisor est muy dopada, la base ligeramente y el colector slo un poco dopado. Adems las capas exteriores son ms gruesas que las intermedias. Los terminales se identifican mediante letras maysculas E para el emisor, C para el colector y B para la base. La abreviatura BJT (Bipolar Junction Transistor o Transistor Bipolar de Unin) se suele aplicar a dispositivos de tres terminales.
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.2 PARMETROS DE INGRESO Y SALIDA IB , VBE Parmetros de ingreso IC , VCE Parmetros de salida
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.2 PARMETROS DE INGRESO Y SALIDA Curva caracterstica de salida:
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.3 ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR Para analizar las zonas o regiones de trabajo de un transistor, tenemos la siguiente configuracin:
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.3 ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR En la curva caracterstica se pueden observar tres regiones:
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.3 ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR Zona de Saturacin: Con VCE 0, IC ser mxima y se puede utilizar el transistor como un interruptor cerrado.
La unin B-E con polarizacin directa y la unin B-C con polarizacin directa.
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.3 ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR Zona de Corte: Con IC 0, se tiene VCE VCC y se puede utilizar el transistor como un interruptor abierto.
La unin B-E con polarizacin inversa y la unin B-C con polarizacin directa. Zona de Lineal: En esta zona se puede amplificar corriente.
La unin B-E con polarizacin directa y la unin B-C con polarizacin inversa.
hfe ganancia de corriente en pequea seal.
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.3 ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR Recta de carga
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.3 ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR Recta de carga Como se observa, existe un punto Q sobre la zona lineal, llamado punto de funcionamiento.
Este punto tendr coordenadas VCEQ y ICQ. As como tambin valores mximos de corriente de colector y de voltaje colector emisor:
CAPTULO IV: EL TRANSISTOR BIPOLAR 4.5 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE TRANSISTORES Una hoja de especificaciones (datasheet en ingls) es el enlace de comunicacin entre el fabricante y el usuario.
Por lo general en esta hoja se pueden encontrar: valores nominales, caractersticas trmicas y caractersticas elctricas; adems se puede observar el encapsulado del componente, la distribucin de terminales y algunas curvas.
En definitiva la hoja de especificaciones es una herramienta muy importante para el diseo y anlisis de circuitos usando el componente, teniendo en cuenta la importancia de cada parmetro.