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Tema 1: Componentes Electrnicos El transistor bipolar

Nota: Las animaciones contenidas en esta presentacin requieren Office XP o posterior

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Componentes electrnicos: El transistor bipolar

Introduccin: tipos de transistores Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor tipo PNP Transistor tipo NPN Caractersticas elctricas de un transistor bipolar El fototransistor Conclusiones

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Introduccin: tipos de transistores

NPN BIPOLARES PNP

TRANSISTORES UNIN

CANAL N (JFET-N) CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

+ -

+ + -

+ +

+ +

+ +

P
Concentracin de huecos

+ -

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar

El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR

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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones.

En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Transistor NPN

Base

Emisor

Colector

Transistor NPN
N P N

La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.

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Funcionamiento en conmutacin de un transistor NPN

12 V 36 W 3A 12 V I 40 mA
Sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin. Ventajas: No desgaste, sin chispas, rapidez, permite control desde sistema lgico. Electrnica de Potencia y Electrnica digital Universidad de Oviedo

12 V 36 W

12 V

3A = 100

IC 4A PF (ON) 3 A OFF VCE 12 V PF (OFF) IB = 40 mA

ON

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor PNP

IB = f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada VEC IB -

IC

VEB +

IB

VEC VEB +

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.
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Funcionamiento en conmutacin de un transistor PNP

12 V 36 W 40 mA 12 V I

= 100
3A 12 V 36 W

3A
12 V I

IC
Al igual que antes, sustituimos el interruptor principal por un transistor. La corriente de base (ahora circula al reves) debe ser suficiente para asegurar la zona de saturacin.

4A PF (ON) 3 A OFF ON

IB = 40 mA

VEC 12 V PF (OFF)
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales (NPN)

Activa Avalancha Secundaria
IB6 IB5

IB
VCE = 0 VCE1 VCE2

IC I
CMax

Saturacin
IB3 IB2 IB1

IB4

PMax = VCEIC Avalancha Primaria

VBE

IB= 0

Caracterstica de Entrada

1V Corte

VCEMax

VCE

Caracterstica de Salida

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Caractersticas elctricas del transistor bipolar

VCE = 1500 IC = 8 HFE = 20

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El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base C El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.

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El fototransistor

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Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica.

Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares.
Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.

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