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Electrnica de Potencia

Tema 1: Dispositivos controlados de silicio (SCR, TRIAC).

Historia
El uso de los semiconductores de potencia como son diodos, transistores y tiristores ha dado una importancia considerable a la tcnica de los semiconductores de potencia, los cuales juegan un papel muy importante en el campo de la electrnica y la electricidad industrial.

La principal caracterstica de la electrnica de potencia es que slo puede ser una electrnica de conmutacin. En electrnica de seales pequeas, se vara la cada de voltaje que un componente activo crea en un circuito conectado en corriente continua. Esta variacin permite a partir de una informacin de entrada obtener otra de salida modificada o amplificada. La funcin bsica es la amplificacin y su principal caracterstica es la ganancia, relacin entre los niveles de las seales de entrada y de salida.

En electrnica de corrientes fuertes, el concepto principal en toda transformacin es el rendimiento. Es necesario trabajar en rgimen de conmutacin, siendo el componente principal el elemento semiconductor de potencia. En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren que se entregue una cantidad de potencia elctrica variable y controlable. La iluminacin el control de velocidad de un motor, soldadura por puntos y el calentamiento elctrico son algunas de las operaciones ms comunes requeridas en la industria.

Es posible controlar la cantidad de potencia elctrica que se entregue a una carga si se utiliza un transformador variable para proporcionar un voltaje de salida variable. Sin embargo, para grandes potencias los transformadores variables son fsicamente muy grandes y costosos, adems necesitan un mantenimiento constante, estos factores los hacen poco utilizados.

Otro mtodo para controlar la potencia elctrica que se entregue a una carga, es intercalar un restato en serie con la carga para as controlar y limitar la corriente. Nuevamente para grandes potencias los restatos resultan de gran tamao, costosos, necesitan mantenimiento y adems desperdician mucha energa

Desde 1960 est disponible un dispositivo semiconductor electrnico llamado Rectificador Controlado de Silicio (SCR), el cual es pequeo y relativamente barato, adems no necesita mantenimiento y su consumo de potencia es muy pequeo.

Algunos SCR modernos pueden controlar corrientes del orden de varios cientos de amperes e incluso hasta mil amperes o ms, en circuitos que operan a voltajes tan elevados como mil voltios o ms. Por estas razones el SCR es uno de los dispositivos de potencia ms utilizados en el campo del control industrial moderno.

Otro de los dispositivos de potencia considerado tambin dentro de la familia de los tiristores es el TRIAC el cual tiene caractersticas de administracin y control de potencia muy similares a los del SCR.

Tiristores
Rectificador Controlado de Silicio

Tiristor
Un dispositivo semiconductor que utiliza la realimentacin positiva interna para producir una accin de cerrojo (latch).

El (SCR, silicon controlled rectifier)


nodo nodo nodo

p Q1 n Puerta Puerta Q 2 p n Puerta

Ctodo

Ctodo

Ctodo

SCR
El tiristor ms ampliamente utilizado. Se emplea el disparo de puerta para la activacin en lugar del cebado. Las hojas de caractersticas especifican la tensin de disparo de puerta (VGT) y la corriente de disparo de puerta (IGT). Puede desactivarse: Reduciendo VCC Interrumpiendo la corriente mediante conmutacin forzada

El SCR en conmutacin
DISPARO POR PUERTA: se utiliza un impulso positivo en puerta para cerrar o disparar al SCR, no obstante este impulso slo afecta a la parte del ctodo vecina al electrodo de bando, a esta superficie inicialmente disparada se le llama zona primaria de disparo. La conduccin se propagar al resto del dispositivo con una velocidad finita de 0.1 mm/s.

La puesta en conduccin del SCR pasa por 2 etapas:


Creacin de una regin primaria de conduccin Propagacin del estado conductor al resto del dispositivo.

Curva caracterstica del SCR

TRIAC
El SCR tena la capacidad de controlar la potencia entregada a la carga pero no haba salida en el semiciclo negativo. Esto es satisfactorio para ciertas aplicaciones de corriente continua, porque la corriente fluye a travs de la carga nicamente en un solo sentido. El TRIAC (tiristor bidireccional) fue desarrollado para proveer una salida de cada semiciclo de la forma de onda de entrada. El TRIAC puede ser considerado como formado por dos SCR conectados en paralelo y en sentidos opuestos

En el semiciclo positivo, entre 0 y 180, el SCR No. 1 conduce y provee una forma de onda de salida positiva. En el semiciclo negativo, el SCR No. 2 conduce y provee el semiciclo negativo de la forma de onda de salida. Los TRIAC pueden controlar cargas tales como sistemas de alumbrado, instalaciones de calefaccin y motores. La gama de frecuencia es de 50 Hertz hasta 400 Hertz.

El triac es un popular tiristor bidireccional.

I
Puerta

SCRs en paralelo inverso

Triac

Curva caracterstica del TRIAC

Los tiristores bidireccionales pueden conducir en cualquier direccin.

Diodos de cuatro capas en paralelo inverso

Diac

UJT y PUT
Han sido populares debido a su uso como osciladores y temporizadores. Los amplificadores operacionales y los temporizadores integrados estn reemplazando a estos dispositivos en muchas de sus aplicaciones.

UJT (transistor uniunin)

B2 RE E B2
p V E

vin

n
B1

B1

Cuando vin alcanza la tensin de mantenimiento, la resistencia entre el emisor y B1 disminuye dramticamente.

Curva Caracterstica del UJT

Transistor de Unin Programable (PUT)


Es un dispositivo tiristor unidireccional y se utiliza generalmente como oscilador de relajacin para disparos de SCR. El PUT es muy parecido a un SCR debido a que tiene una estructura tambin de 4 capas y tambin tiene 3 terminales (A, K, G). La diferencia del PUT con el SCR es que la puerta del PUT est ubicada en la capa N prxima al nodo, adems la potencia que maneja es abismal, el PUT es de muy baja potencia.

Si la puerta del PUT es mantenida a un voltaje constante, el dispositivo permanecer en su estado de apagado, hasta que la tensin andica exceda a la tensin de puerta en una diferencia de potencial de barrera de diodo (0.5 v), a esta tensin se alcanza el VP y el PUT es disparado o encendido.

PUT
+VCC

R1 A A

R2

p n p n R4 G C R3

Interruptor Unilateral de Silicio (SUS)


Este dispositivo est destinado esencialmente para disparo de SCR. Est constituido por un SCR en miniatura con puerta prxima al nodo al que asocia entre puerta y nodo un diodo zener de bajo voltaje.

Smbolo, circuito equivalente y curva caracterstica del SUS

Tiristor GTO
1. No hay de mucha potencia, son de mediana potencia (10 A) 2. Requieren de mayor corriente de puerta (respecto al SCR), tanto para encenderlo como para apagarlo. 3. Se fabrican para trabajar hasta 125 C

Smbolo, estructura y curva caracterstica del GTO

Interruptor Bilateral de Silicio (SBS)


Este dispositivo es derivado del SUS, es decir, se compone de dos SUS idnticos, en paralelo y encontrados. Conduce en ambos sentidos y debido a ello se utiliza en el control de disparo de TRIAC. Las especificaciones del SBS son idnticas al SUS, eliminando la caracterstica de tensin inversa VR.

Smbolo, circuito equivalente y curva caracterstica del SBS

El foto-SCR se dispara mediante luz.

RL

RL

Puerta abierta Ajuste de sensibilidad Sensibilidad mxima