Carlos Arturo Rosales

Transistor
Es un dispositivo electrnico semiconductor
Mnimo dispositivo capaz de regular, controlar de amplificar,
un voltaje o a ambos (potencia) dentro de un circuito



Funciones:
Amplificador
Oscilador
Conmutador
Rectificador
Nombre: Transfer- Resistor (resistencia de transferencia)
Se encuentra en todo (radios, TV, grabadoras, DVD, Celulares,
lavadoras, PC, automviles, equipos de rayos x )etc


Ventajas de transistor
Tamao reducido
Facilidad de manejo
Consumo mnimo de energa
Menor costo
La palabra transistor identifica: Mnimo
dispositivo capaz de regular, controlar o amplificar
una corriente, un voltaje u ambos (potencia)
dentro de un circuito elctrico
El transistor frente a la vlvula termoinica
Antes de la aparicin del transistor se utilizaban las
vlvulas termoinicas
Caractersticas similares a los FET


Las vlvulas termoinicas necesitan tensiones muy
altas, del orden de las centenas de voltios,
tensiones que son letales para el ser humano
Las vlvulas consumen mucha energa, lo que las
vuelve particularmente poco tiles para el uso con
bateras.
El tiempo medio entre fallas de las vlvulas
termoinicas es muy corto comparado al del
transistor, sobre todo a causa del calor generado
Adems las vlvulas termoinicas tardan mucho
para poder ser utilizadas. Las vlvulas necesitan
estar calientes para funcionar

Aun se usan vlvulas
En amplificadores de radiofrecuencia
Amplificadores de audio para guitarras
Razones:
El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a
alta potencia de la vlvula termoinica, por lo que no
puede ser reemplazarla en los amplificadores de
transmisin de radio profesionales y de
radioaficionados.
El transistor es muy sensible a los efectos
electromagnticos de las explosiones nucleares
Son capaces de manejar muy grandes potencias, para
conciertos: amplificacin de audio hacia los altavoces





Tipos de transistores
Transistor BJT o Transistor de unin bipolar
Transistor FET o Transistor de efecto de campo (T.
unipolares) 1930
Transistor MOSFET o Transistor FET de compuerta
aislada
Transistor BJT (Bipolar Junction Transitor)
Sustituto de la Vlvula Termoinica (triodo)
Inventado en Laboratorios Bell Dic/ 1947
John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley
Premio Nobel de Fsica en 1956




TRANSITOR BJT:
Dispositivo semiconductor de tres capas
Consta: Un sustrato (Si) y 2 uniones bipolares PN y NP
Bipolar: dos tipos de portadores
DOS TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES
NPN y PNP
Emisor emite portadores
Colector Los recibe
Base intercalada entre los 2, modula el paso de dichos portadores
Es necesario polarizar en DC para que sirva como amplificador de AC
Dispositivo activo, su funcionamiento lo explica la mecnica cuntica
Emisor fuertemente dopada
Colector menos dopaje
Base ligeramente dopada (10 : 1)
Objetivo: limitar el numero de portadores libres
disminuye la conductividad aumenta la resistividad
Transistor: vista interior
Dispositivo de 3 terminales
Transistor PNP

3.81/0.025 =150
No son simetricos

Transistor NPN
Mas utilizado
La movilidad de los
electrones es mayor
que la movilidad de
los huecos
Operacin de un BJT
Dopado de emisor mucho mayor de las otras dos 10:1
Descripcin de la operacin bsica
Polarizacin de un transistor NPN

Flujos de portadores transistor NPN
Con una pequea corriente de base se jalan mas electrones libres del emisor , con lo que
al final se obtiene una gran corriente que atraviesa el T. de emisor a colector


Corriente de colector
Ico = corriente de fuga uA depende de T temperatura
Simil hidraulico de un transistor
Tipos de configuraciones
1. Configuracin de Base Comn
2. Configuracin de Emisor Comn
3. Configuracin de Colector Comn

Configuracin de Base Comn (Transistor NPN)
La direccin de la corriente es la del
flujo convencional (huecos)
Corrientes en un transistor NPN
Configuracin de Base Comn (Transistor PNP)
Corrientes en un transistor PNP
Caractersticas de entrada y salida
Para describir el comportamiento de un
dispositivo de 3 terminales se requiere dos
conjuntos de caractersticas: Entrada y salida
en el punto de trabajo.
Para CBC
: Entrada
Corriente de entrada IE Vs voltaje de entrada VBE
Salida
Corriente de salida IC vs voltaje de salida VCB
Caractersticas de entrada
Caractersticas de salida
IC IE
Ver circuito
Tres regiones
Regin ACTIVA: Es la regin para amplificacin
lineal sin distorsin
Unin Base-Colector Polarizacin INVERSA
Unin Emisor-Base Polarizacin DIRECTA
Regin CORTE: No hay corriente, Ic 0
Unin Base-Colector Polarizacin INVERSA
Unin Emisor-Base Polarizacin INVERSA
Regin SATURACION: alta corriente, para VCB<0,
aumento grande de Ic
Unin Base-Colector Polarizacin DIRECTA
Unin Emisor-Base Polarizacin DIRECTA

EN CORTE O SATURACION
Regin activa
Corriente de saturacin inversa
ICBO =corriente de colector con emisor abierto pequea A
corresponde corriente de saturacin inversa f(Tempertura)
De las caractersticas de entrada
Similar al diodo con polariz. directa
Con buena aproximacin
VBE = 0.7 V
Si se ignora cambios en VCB
Modelo equivalente
Aproximacin de segmentos lineales
VBE = 0.7 V (para todos los anlisis de redes con T)
Para cualquier VCB en la regin activa

Ejemplo

Caractersticas de salida TCBC

Solucin:
a)De la figura se ve IC I E = 3mA
b)El efecto de cambio de VCB puede omitirse e IC
continua siendo 3 mA
c)De las caractersticas de salida IC I E = 4 mA
De las caractersticas de entrada el nivel
resultante de VBE es 0.72 V
d) Una vez mas las caractersticas de salida IC I E
= 4 mA y del modelo aproximado VBE = 0.7 V
para cualquier nivel de corriente de emisor



Alfa () para conf de BC

E
C
DC
I
I
= o
const ant e V
CB
=
A
A
=
E
C
ac
I
I
o
Polarizacin en BC en la Regin activa transistor PNP
Si se utiliza IC IE y suponiendo por el momento
que IB 0 A

Polarizacin en BC en la Regin activa transistor NPN
Accin amplificadora del transistor (A nivel basico)
La polarizacin DC no aparece solo nos interesa la respuesta AC
En configuracin BC de acuerdo a la caractersticas de entrada, la resistencia en
AC es pequea del orden 10 a 100
La resistencia de salida, de acuerdo a las caractersticas de salida es muy alta
entre 50k a 1M. Para el transistor de la figura 100k


Si se asume por el momento que = 1 (IE = IC)
IL = Ii = 10 mA y como VL = ILR = (10mA)(5k)= 50V
mA
mV
R
V
I
i
i
i
10
20
200
=
O
= =
La amplificacin de voltaje
250
200
50
= = =
mV
V
V
V
A
i
L
v
Una aproximacin
Configuracin de Emisor Comn (NPN)
Es la configuracin mas comn:

IE = IC + IB
Configuracin de Emisor Comn (PNP)
IE = IC + IB
Caractersticas de entrada de un transistor de Si en Conf. de emisor
comn
Caractersticas de salida Transistor en CEC
Regin Activa
Unin colector-
base polarizacin
inversa
Base -emisor
Polarizacin
directa
Anlisis
La regin de corte en CEC no esta tan bien definida como para la CBC
Cuando IB = 0 IC no es = 0
Razn: como IC = IE + ICBO
De la ecuacin IE = IC + IB
Entonces IC = (IC + IB ) + ICBO despejando IC


Si tomamos IB = 0 A y sustituimos por un valor tpico 0.996, la IC



o o
o

=
1 1
CBO B
I I
I
C
996 . 0 1 1
) 0 (

=
CBO
I A
I
C
o
o
CBO
CBO
I
I
I
C
250
004 . 0
= =
contina

Aproximacin para las caractersticas de entrada

Ejemplo
Utilizando las caractersticas de salida de un
transistor en CEC, determine IC cuando IB = 30 A
y VCE = 10 V
Empleando las caractersticas de entrada y salida
del transistor en CEC , determine IC cuando VBE =
0.7 y VCE = 10 V
Solucin
a) En la interseccin de IB = 30 A y VCE = 10 V, IC
= 3.4 mA
b) De las caractersticas de entrada cuando VBE =
0.7 V entonces IB = 15 A y de las caractersticas
de salida se encuentra que IC = 1.8 mA en la
interseccin de IB = 15A y VCE = 10 V
Beta () Factor de amplificacin

B
C
dc
I
I
= |
te cons V
B
C
ac
CE
I
I
tan =
A
A
= |
Como hallar dc y ac de las caractersticas IC -vCE
Ejemplo: Hallar dc y ac utilizando las caractersticas IC-
vCE definidas para para el punto de operacin de IB = 25A y
VCE = 7.5V
Solucin
De la grafica se puede inferir en el punto Q






1 2
1 2
tan
B B
C C
te cons V
B
C
ac
I I
I I
I
I
CE

=
A
A
=
=
|
A
mA
A A
mA mA
ac

|
10
1
20 30
3 . 2 3 . 3
=

=
100 =
ac
|
Determinacin de dc y ac
Para dc en el punto Q




Se puede observar que ac dc

Si las caractersticas fueran como en la figura siguiente
A
mA
I
I
B
c
dc

|
25
7 . 2
= =
108 =
dc
|
Caractersticas ideales
Caractersticas ideales
200
10
2
35 45
7 9
= =

=
A
mA
A A
mA mA
ac

|
te cons V
B
C
ac
CE
I
I
tan =
A
A
= |
200
40
8
= = =
A
mA
I
I
B
c
dc

|
Encontrar una relacion entre y
Delas relaciones

B C E
I I I + =
B
C
I
I
= |
E
C
I
I
= o
| o
C
C
C
I
I
I
+ =
Se tiene
Por lo tanto
| o
1
1
1
+ =
1 +
=
|
|
o
o
o
|

=
1
A su vez recuerde que
o
=
1
CBO
CEO
I
I
Pero al utilizar
1
1
1
+ =

|
o
Se encuentra que
CBO CEO
I I ) 1 ( + = |
CBO CEO
I I | ~
O bien
Demostrar
B E
I I ) 1 ( + = |
Polarizacin
Como polarizar un transistor npn en la regin activa?

Hacerlo lo mismo para un transistor pnp
Configuracin de colector comn
Se utiliza para propsitos de acoplamiento de impedancia:
Alta impedancia de entrada Baja impedancia de salida
Limites de operacin
Para cada transistor hay una regin de operacin sobre las
caractersticas para que no se exceda los valores mximos
Ecuaciones limites
Transistor en configuracin de emisor comn (TCEC)





Transistor en configuracin de base comn (TCBC)
La curva de potencia mxima se define:

max
max
max
C C CE
CE CE CEsat
C C CEO
P I V
V V V
I I I
s
s s
s s
C CB C
I V P =
max
Hoja de especificaciones transistor NPN 3904
Hoja de especificaciones transistor NPN 3904
Hoja de especificaciones transistor NPN 3904
VARIACION DE LA GANANCIA DE CORRIENTE