Semiconductores

Todos los cuerpos o elementos qumicos

existentes en la naturaleza poseen
caractersticas diferentes, agrupadas todas
en la denominada Tabla de Elementos
Qumicos. Desde el punto de vista
elctrico, todos los cuerpos simples o
compuestos formados por esos elementos
se pueden dividir en tres amplias
categoras:
Conductores
Aislantes
Semiconductores
Los materiales conductores ofrecen una
baja resistencia al paso de la corriente
elctrica. Los cuerpos aislantes ofrecen una
alta resistencia al paso de la corriente
elctrica. Los semiconductores se
encuentran a medio camino entre los
conductores y los aislantes.
Banda de Valencia
Todos los tomos que integran cualquier
cuerpo material poseen rbitas o capas,
denominadas tambin niveles de energa,
donde giran electrones alrededor de sus
ncleos. La ltima de esas capas se
denomina banda de valencia y es donde
giran los electrones que en unos casos el
tomo puede ceder, como ocurre con los
metales y en otros casos puede atraer o
captar de la banda de valencia de otros
tomos cercanos. La banda de valencia es
el nivel de energa que determina que un
cuerpo se comporte como conductor,
aislante o semiconductor.

En el caso de los metales en la ltima rbita
o banda de valencia de sus tomos slo
giran entre uno y tres electrones como
mximo, por lo que su tendencia es
cederlos cuando los excitamos empleando
mtodos fsicos o qumicos.

Banda de Valencia
Los tomos de los elementos
semiconductores pueden poseer dos, tres,
cuatro o cinco electrones en su ltima
rbita, de acuerdo con el elemento
especfico al que pertenecen. No obstante,
los elementos ms utilizados por la industria
electrnica, como el silicio (Si) y el germanio
(Ge), poseen solamente cuatro electrones
en su ltima rbita. En este caso, el
equilibrio elctrico que proporciona la
estructura molecular cristalina caracterstica
de esos tomos en estado puro no les
permite ceder, ni captar electrones.
Banda de Valencia
Normalmente los tomos de los elementos
semiconductores se unen formando enlaces
covalentes y no permiten que la corriente
elctrica fluya a travs de sus cuerpos
cuando se les aplica una diferencia de
potencial o corriente elctrica. En esas
condiciones, al no presentar conductividad
elctrica alguna, se comportan de forma
similar a un material aislante.
Banda de Valencia
La mayor o menor conductividad elctrica
que pueden presentar los materiales
semiconductores depende en gran medida
de su temperatura interna. En el caso de los
metales, a medida que la temperatura
aumenta, la resistencia al paso de la
corriente tambin aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con
los elementos semiconductores, pues
mientras su temperatura aumenta, la
conductividad tambin aumenta.
En resumen, la conductividad de un
elemento semiconductor se puede variar
aplicando uno de los siguientes mtodos:

Elevacin de su temperatura
Introduccin de impurezas (dopaje) dentro
de su estructura cristalina
Incrementando la iluminacin.

Los materiales semiconductores, segn su
pureza, se clasifican de la siguiente forma:

Intrnsecos
Extrnsecos

Se dice que un semiconductor es
intrnseco cuando se encuentra en estado
puro, o sea, que no contiene ninguna
impureza, ni tomos de otro tipo dentro de
su estructura.

En la actualidad el elemento ms utilizado
para fabricar semiconductores para el uso
de la industria electrnica es el cristal de
silicio (Si) por ser un componente
relativamente barato de obtener.

El segundo elemento tambin utilizado
como semiconductor, pero en menor
proporcin que el silicio, es el cristal de
germanio (Ge).


Materiales extrnsecos
En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge)
cuando se encuentran en estado puro, es
decir, como elementos intrnsecos, los
electrones de su ltima rbita tienden a
unirse formando "enlaces covalentes", para
adoptar una estructura cristalina. Los
tomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de
electrones que contengan en su ltima
rbita, tratan siempre de completarla con un
mximo de ocho, ya sea donndolos o
aceptndolos, segn el nmero de valencia
que le corresponda a cada tomo en
especfico.

Tanto los cristales de silicio (Si) como los de
germanio (Ge) en estado puro se pueden
convertir en dispositivos semiconductores,
capaces de conducir la corriente elctrica si
para ello alteramos su estructura molecular
cristalina introduciendo ciertas cantidades
de "impurezas".

Materiales extrnsecos
Para realizar ese cambio ser necesario
introducir tomos de otros elementos
semiconductores apropiados que posean
tres electrones en su banda de valencia o
ltima rbita (tomos trivalentes) o tambin
cinco electrones en esa propia rbita
(tomos pentavalentes). A tales efectos se
consideran impurezas los siguientes
elementos con tomos trivalentes: aluminio
(Al), galio (Ga) e indio (In). Tambin se
consideran impurezas los tomos
pentavalentes de arsnico (As), fsforo (P)
o de antimonio (Sb).

Materiales extrnsecos
Cuando aadimos a la estructura cristalina
del silicio o del germanio una pequea
cantidad de tomos de un elemento
pentavalente en funcin de impurezas,
estos tomos adicionales reciben el nombre
de "donantes", porque cada uno dona o
cede uno de sus cinco electrones a la
estructura cristalina del semiconductor. Si,
por el contrario, los tomos que se aaden
como impurezas son trivalentes, se
denominan entonces "aceptantes, porque
cada uno tendr que captar o aceptar un
electrn procedente de la propia estructura
cristalina del silicio o del germanio.

Materiales extrnsecos
Cuando aadimos a la estructura cristalina
del silicio o del germanio una pequea
cantidad de tomos de un elemento
pentavalente en funcin de impurezas,
estos tomos adicionales reciben el nombre
de "donantes", porque cada uno dona o
cede uno de sus cinco electrones a la
estructura cristalina del semiconductor. Si,
por el contrario, los tomos que se aaden
como impurezas son trivalentes, se
denominan entonces "aceptantes, porque
cada uno tendr que captar o aceptar un
electrn procedente de la propia estructura
cristalina del silicio o del germanio.

Materiales extrnsecos
La conductividad que presente finalmente
un semiconductor dopado depender de la
cantidad de impurezas que contenga en su
estructura cristalina. Generalmente para una
proporcin de un tomo de impureza que se
aade por cada 100 millones de tomos del
elemento semiconductor, la conductividad
aumenta en 16 veces.

Materiales extrnsecos
SEMICONDUCTOR "TIPO-N"

Ni los tomos de silicio, ni los de germanio
en su forma cristalina ceden ni aceptan
electrones en su ltima rbita; por tanto, no
permiten la circulacin de la corriente
elctrica, por tanto, se comportan como
materiales aislantes.

Pero si la estructura cristalina de uno de
esos elementos semiconductores la
dopamos aadindole una pequea
cantidad de impurezas provenientes de
tomos de un metaloide como, por ejemplo,
antimonio (Sb), estos tomos se integrarn
a la estructura del silicio y compartirn
cuatro de sus cinco electrones con otros
cuatro pertenecientes a los tomos de silicio
o de germanio, mientras que el quinto
electrn restante del antimonio, al quedar
liberado, se podr mover libremente dentro
de toda la estructura cristalina.
SEMICONDUCTOR "TIPO-N"

De esa forma se crea un semiconductor
extrnseco tipo-N, o negativo, debido al
exceso de electrones libres existentes
dentro de la estructura cristalina del material
semiconductor.
SEMICONDUCTOR "TIPO-N"

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos
una diferencia de potencial o corriente
elctrica en sus extremos, los electrones
libres portadores de cargas negativas
contenidos en la sustancia impura
aumentan. Bajo esas condiciones es posible
establecer un flujo de corriente electrnica a
travs de la estructura cristalina del
semiconductor si le aplicamos una
diferencia de potencia o corriente elctrica.

SEMICONDUCTOR "TIPO-N"

SEMICONDUCTOR "TIPO-N"

Si en lugar de introducir tomos
pentavalentes al cristal de silicio o de
germanio lo dopamos aadindoles tomos
o impurezas trivalentes como de galio (Ga)
al unirse esa impureza en enlace covalente
con los tomos de silicio quedar un hueco
o agujero, debido a que faltar un electrn
en cada uno de sus tomos para completar
los ocho en su ltima rbita.
SEMICONDUCTOR "TIPO-P"

En este caso, el tomo de galio tendr que
captar los electrones faltantes, que
normalmente los aportarn los tomos de
silicio, como una forma de compensar las
cargas elctricas. De esa forma el material
adquiere propiedades conductoras y se
convierte en un semiconductor extrnseco
dopado tipo-P (positivo), o aceptante,
debido al exceso de cargas positivas que
provoca la falta de electrones en los huecos
o agujeros que quedan en su estructura
cristalina.
SEMICONDUCTOR "TIPO-P"

MECANISMO DE
CONDUCCIN DE UN
SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le
aplicamos una diferencia de potencial o
corriente elctrica, se producen dos flujos
contrapuestos: uno producido por el
movimiento de electrones libres que saltan a
la banda de conduccin y otro por el
movimiento de los huecos que quedan en la
banda de valencia cuando los electrones
saltan a la banda de conduccin.

Si analizamos el movimiento que se
produce dentro de la estructura cristalina del
elemento semiconductor, notaremos que
mientras los electrones se mueven en una
direccin, los huecos o agujeros se mueven
en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo
de conduccin de un elemento
semiconductor consiste en mover cargas
negativas (electrones) en un sentido y
cargas positivas (huecos o agujeros) en
sentido opuesto.

MECANISMO DE
CONDUCCIN DE UN
SEMICONDUCTOR

Ese mecanismo de movimiento se
denomina "conduccin propia del
semiconductor", que para las cargas
negativas (o de electrones) ser
"conduccin N", mientras que para las
cargas positivas (de huecos o agujeros),
ser "conduccin P".

MECANISMO DE
CONDUCCIN DE UN
SEMICONDUCTOR