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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

Facultad de Ingeniera Industrial y de Sistemas


Area de Sistemas y Telemtica

SISTEMAS DIGITALES (TP-123U)

Profesor: Ing. Emerson Carranza Milla

Elementos de Almacenamiento
Jerarqua de Memorias del Computador

Elementos de Almacenamiento
Caractersticas Generales
Las memorias se pueden clasificar atendiendo a diferentes criterios:
Segn mtodo de acceso:
Acceso aleatorio (RAM): acceso directo y tiempo de acceso constante
independiente de la posicin de memoria
Acceso secuencial (SAM): tiempo de acceso dependiente de la
posicin de memoria
Acceso directo (DAM): acceso directo a un sector con tiempo de
acceso dependiente de la posicin, y acceso secuencial dentro del
sector
Asociativas (CAM): acceso por contenido
Segn soporte fsico:
Semiconductor
Magnticas
pticas
Magneto-pticas

Elementos de Almacenamiento
Segn alterabilidad:
RAM: memoria de lectura y escritura
ROM: memoria de solo lectura
Segn volatilidad con la fuente de energa:
Voltiles: necesitan la fuente de energa para mantener la informacin
No voltiles: mantienen la informacin sin aporte de energa
Segn duracin de la informacin:
Estticas: el contenido permanece inalterable mientras estn polarizadas
Dinmicas: el contenido solo dura un corto periodo de tiempo por lo que es
necesario refrescarlo peridicamente
Segn proceso de lectura:
Lectura destructiva: necesitan reescritura despus de una lectura
Lectura no destructiva
Segn ubicacin en el computador:
Interna: registros, Cach L1, L2 y L3, memoria principal
Externa: cintas, discos, etc.

Memorias de Almacenamiento Principal


Una unidad de memoria es una coleccin de registros de
almacenamiento junto a los circuitos asociados necesarios para transferir
la informacin dentro y fuera de los registros. Estos se denominan
registro de memoria.
Estos circuitos digitales se utilizan tanto para almacenar informacin
como para disponer de ella cuando se requiere.

Las memorias semiconductoras habitualmente se dividen como:


memorias de lectura/escritura (RAM ) y las memorias de slo lectura
(ROM)
La informacin binaria se almacena en grupos denominados palabras y
cada palabra se almacena en un registro de memoria.
Un registro de direccin de n bits puede direccionar hasta 2n palabras de
la memoria.
Por ejemplo para 1024 palabras e requiere un registro de direccin de 10
bits

Memoria de Solo Lectura (ROM)


Es un sistema combinatorio
Cada celda est constituido por fusibles electrnicos
No requieren de energa para mantener la informacin
Tipos:
ROM: programadas por mscara, cuya informacin se escribe en el
proceso de fabricacin y no se puede modificar
PROM: ROM programable una sola vez. Utilizan una matriz de diodos
cuya unin se puede destruir aplicndole una sobretensin
EPROM: PROM borrable, cuyo contenido se puede borrar con rayos
ultravioleta para volverlas a escribir
EEPROM: son memorias cuyo contenido se puede volver a escribir por
medios elctricos y por palabras
Memoria Flash: pueden ser borradas y reprogramadas elctricamente y
por bloques. Ofrecen una alta velocidad de acceso y bajo consumo de
energa

Memoria de Solo Lectura

Memoria de Solo Lectura

Memoria de Solo Lectura


Celda de Memoria:

Memorias de Acceso Aleatorio (RAM)


Se trata de una memoria de semiconductor en la que se puede tanto leer
como escribir informacin.
Es una memoria voltil, es decir, pierde su contenido al desconectar la
energa elctrica.
Se utiliza normalmente como memoria temporal para almacenar resultados
intermedios y datos similares no permanentes.
Se dicen "de acceso aleatorio" o "de acceso directo" porque los diferentes
accesos son independientes entre s
Las RAM se dividen en estticas y dinmicas:
Una RAM esttica mantiene su contenido inalterado mientras est
alimentada.
En una RAM dinmica la lectura es destructiva, es decir que la
informacin se pierde al leerla, para evitarlo hay que restaurar la
informacin contenida en sus celdas, operacin denominada refresco.

Memorias de Acceso Aleatorio (RAM)

Memorias de Acceso Aleatorio


Organizacin 2D

Memorias de Acceso Aleatorio


Organizacin 3D

RAM Dinmica
Es una memoria de lectura y escritura
Es voltil
Requiere de refresco peridico para mantener la
informacin grabada
Bajo costo por byte
Relativamente el mas lento
Es el de mayor capacidad

DRAM

DRAM

DRAM
Ceda DRAM

DRAM
RAM de 16 MB

DRAM

DRAM : Organizacin en detalle

Ampliacin de Memoria

Ampliacin de Memoria
Ampliacin del nmero de bits de la palabra de memoria

Diseo de una memoria 1Kx8 a partir de mdulos 1Kx2

Ampliacin de Memoria
Ampliacin del nmero de palabras de memoria

Diseo de una memoria 4Kx8 en base a mdulos 1Kx8

Ampliacin de Memoria
Ampliacin de la longitud y el nmero de palabras de una memoria

En este caso se ampla primero la longitud de palabra, y con los bloques


resultantes, se disea una memoria con mayor nmero de palabras

SRAM

SRAM

SRAM
Celda SRAM

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