PRINCIPIO DE MEMORIAS

SEMICONDUCTORAS
INTEGRANTES:

CARLOS RAUL RAMIREZ PEA

FRANCISCO LAZARO MARQUEZ
MARIANO MONTALVO ENRIQUEZ
CARLOS CRUZ VALADEZ

LA MEMORIA

Es un dispositivo fsico capaz de almacenar

informacin.

La memoria es la parte del ordenador en la que

se guardan o almacenan los programas (las
instrucciones y los datos). Sin una memoria de la
que los procesadores leyeran o escribieran la
informacin, no abra ordenadores digitales de
programas almacenados.

QU SON LAS MEMORIAS SEMICONDUCTORAS?

Son aquellas memorias que utilizan circuitos integrados basados en

semiconductores para almacenar informacin . Un chip de memoria de
semiconductor puede contener millones de minsculos transistores o
condensadores

TIPOS DE MEMORIAS SEMICONDUCTORAS

La memoria voltil es aquella cuya informacin se pierde al

interrumpirse el flujo de corriente elctrica, comnmente
conocida como memoria RAM (Memoria de Acceso Aleatorio),
este tipo de memorias son de lectura y escritura.
Ejemplo de memorias volatiles:
DRAM (Memoria Dinmica de Acceso Aleatorio)
SRAM (Memoria Estatica de Acceso Aleatorio)

La memoria no voltil o permanente son aquellas memorias cuyo contenido

de datos almacenados no se pierden an si esta no esta energizada
Ejemplo de memorias no voltiles:
EPROM:
es una memoria borrable y programable, o lo que es lo mismo
reprogramable. Esto quiere decir que puede guardarse informacin
en la memoria, luego borrarla e introducir otra. Esto permite
realizar de manera sencilla modificaciones, ampliaciones y
correcciones del contenido de la memoria.

 EEPROM:
Conocidas como de reprogramacin elctrica este tipo de
memoria permite su reprogramacin por medio de voltajes a
pins especficos.

NVRAM:
(memoria de acceso aleatorio no voltil)
Es un tipo de memoria de acceso aleatorio que, como su
nombre indica, no pierde la informacin almacenada al
cortar la alimentacin elctrica.

QUE ES?

QU HACE?

UNIDADES DE DATOS BINARIOS

BIT

NIBBLES

BYTE

PALABRA

MATRIZ DE MEMORIA
SEMICONDUCTORA BSICA

Cada elemento de almacenamiento en una memoria

puede almacenar un 1 o un 0 y se denomina celda.
Las memorias estn formadas por matrices de celdas.

MATRIZ DE MEMORIA SEMICONDUCTORA BSICA

Cada bloque de la matriz de memoria representa

una celda de almacenamiento y su situacin se puede
especificar mediante una fila y una columna.
La matriz de 64 celdas se puede organizar de muchas
maneras en funcin de las unidades de datos.

MATRIZ DE MEMORIA SEMICONDUCTORA BSICA

muestra una matriz de 8 8, que se puede entender

como una memoria de 64 bits o como una memoria
de 8 bytes.

MATRIZ DE MEMORIA SEMICONDUCTORA BSICA

nos muestra una matriz de 16 4,

que es una memoria de 16 nibbles.

MATRIZ DE MEMORIA SEMICONDUCTORA BSICA

presenta una matriz de 64 1

que es una memoria de 64 bits.

Una
memoria
se
identifica
mediante el nmero de palabras
que puede almacenar, multiplicado
por el tamao de la palabra. Por
ejemplo, una memoria de 16k 8
puede almacenar 16.384 palabras
de ocho bits.

DIRECCIN Y CAPACIDAD DE LAS

MEMORIAS

La posicin de una unidad de datos en una

matriz de memoria se denomina direccin.

DIRECCIN Y CAPACIDAD DE LAS MEMORIAS

la direccin de un bit en la matriz de dos

dimensiones se especifica mediante la fila y
columna en que est, tal como se muestra.

La direccin de un byte se especifica

nicamente mediante la fila.

DIRECCIN Y CAPACIDAD DE LAS MEMORIAS

Las computadoras personales disponen de

memorias organizadas en bytes. Esto significa
que el grupo ms pequeo de bits que se puede
direccionar es ocho.
La capacidad de una memoria es el nmero
total de unidades de datos que puede almacenar.
Por ejemplo, en la matriz de memoria organizada
en bits de la Figura, la capacidad total es de 64
bits.

DIRECCIN Y CAPACIDAD DE LAS MEMORIAS

En la matriz de memoria organizada en bytes de

la Figura (b), la capacidad es de 8 bytes, que es lo
mismo que 64 bits.

OPERACIONES BSICAS DE LA
MEMORIA

La memorias almacenan datos binarios, los datos

deben introducirse en la memoria y deben poder
recuperarse cuando se necesiten.
La operacin de escritura coloca los datos en
una posicin especfica de la memoria.
La operacin de lectura extrae los datos de una
direccin especfica de memoria.

La operacin de direccionamiento, que forma parte

tanto de la operacin de lectura como de la de
escritura, selecciona la direccin de memoria
especfica.
Las unidades de datos se introducen en la memoria
durante la operacin de escritura y se extraen de la
memoria durante la operacin de lectura a travs de
un conjunto de lneas que se denominan bus de
datos. (como mostrado en la figura 10.4)

El bus de datos es bidireccional, lo que significa que

los datos pueden ir en cualquiera de las dos
direcciones (hacia la memoria o desde la memoria).

En una operacin de escritura o de lectura, se

selecciona una direccin introduciendo un cdigo
binario, que representa la direccin deseada, en un
conjunto de lneas denominado bus de direcciones.
El cdigo de direccin se decodifica internamente y de
esa forma se selecciona la direccin adecuada.

El nmero de lneas del bus de direcciones depende

de la capacidad de la memoria.

LA OPERACIN DE ESCRITURA

LA OPERACIN DE LECTURA

MEMORIA RAM
Las dos principales categoras de memorias
semiconductoras son las memorias RAM y ROM.
La memoria RAM (Random-Access Memory,
memoria de acceso aleatorio) es un tipo de
memoria en la que se tarda lo mismo en acceder a
cualquier direccin de memoria y stas se pueden
seleccionar en cualquier orden, tanto en una
operacin de lectura como de escritura.
Todas las RAM poseen la capacidad de lectura y
escritura. Debido a que las memorias RAM
pierden los datos almacenados cuando se
desconecta la alimentacin, reciben el nombre de
memorias voltiles

LA MEMORIA ROM

La memoria ROM (Read-Only Memory, memoria de

slo lectura) es un tipo de memoria en la que los
datos se almacenan de forma permanente o
semipermanente. Los datos se pueden leer de una
ROM, pero no existe la operacin de escritura como
en las RAM. La ROM, al igual que la RAM, es una
memoria de acceso aleatorio pero, tradicionalmente,
el trmino RAM se reserva para las memorias de
acceso aleatorio de lectura/escritura. En este
captulo veremos varios tipos de memorias RAM y
ROM. Debido a que las ROM mantienen los datos
almacenados
incluso
si
se
desconecta
la
alimentacin, reciben el nombre de memorias no
voltiles.

FAMILIA DE MEMORIA RAM

RAM ESTTICA (SRAM)

ORGANIZACIN DE LA SRAM
ASNCRONA BSICA

Una SRAM asncrona es aqulla en la que su

funcionamiento no est sincronizado con un reloj
de sistema. Para ilustrar la organizacin general
de una SRAM, vamos a utilizar una memoria de
32 K 8 bits. En la Figura 10.10 se muestra el
smbolo lgico de esta memoria.

SRAM sncrona de rfaga

A diferencia de la SRAM asncrona, una SRAM
sncrona est sincronizada con el reloj del sistema.
Por ejemplo, en un sistema informtico, la SRAM
sncrona opera con la misma seal de reloj que el
microprocesador, de modo que el microprocesador y la
memoria estn sincronizados para conseguir una
operacin ms rpida.
Organizacin bsica de una DRAM
La principal aplicacin de las DRAM se encuentra en la
memoria principal de las computadoras. La diferencia
principal entre las DRAM y las SRAM es el tipo de
celda de memoria.

La celda de la memoria DRAM est formada por un

transistor y un condensador, y es mucho ms sencilla
que la celda de la SRAM. Esto permite densidades
mucho mayores en las DRAM, lo que da lugar a
mayores capacidades de bits para una determinada
rea de chip, aunque el tiempo de acceso es mucho
mayor.

MEMORRIAS ROM
Una ROM mantiene de forma permanente o
semipermanente los datos almacenados, que
pueden ser ledos de la memoria pero, o no se
pueden cambiar en absoluto, o se requiere un
equipo especial para ello.
Las ROM mantienen los datos almacenados
cuando se desconecta la alimentacin y son, por
tanto, memorias no voltiles.

La ROM de mscara es un tipo de memoria en la que los datos se

almacenan permanentemente en la memoria durante el proceso de
fabricacin.
La PROM, o ROM programable, es aquel tipo de ROM en la que el
usuario, con ayuda de equipos especializados, almacena elctricamente los
datos. Tanto la ROM de mscara como la PROM pueden ser de cualquier
tecnologa MOS o bipolar. La EPROM, o memoria PROM borrable
(erasable PROM) es exclusivamente un dispositivo MOS. La UV EPROM
puede ser programada elctricamente por el usuario, pero los datos
almacenados deben borrarse mediante la exposicin a la luz ultravioleta
durante un perodo de varios minutos. La PROM borrable elctricamente
(EEPROM o E2PROM, Electrically Erasable PROM) se puede borrar en
unos pocos milisegundos.

MEMORIAS FLASH

La memoria ideal debera tener una alta

capacidad de almacenamiento, ser no voltil,
disponer de capacidad de lectura y escritura en el
propio sistema, tener una velocidad de operacin
comparativamente rpida y ser efectiva en
trminos de coste. Las tecnologas de memorias
tradicionales, como ROM, PROM, EPROM,
EEPROM, SRAM y DRAM exhiben, cada una de
ellas, una o ms de estas caractersticas, pero
ninguna tecnologa las tiene todas, salvo la
memoria flash.

Las
memorias
flash
son
memorias
de
lectura/escritura de alta densidad (alta densidad
equivale a gran capacidad
de almacenamiento de bits) no voltiles, lo que
significa que pueden almacenarse los datos
indefinidamente en ausencia de alimentacin. Estas
memorias se utilizan frecuentemente en lugar de las
unidades de disquete o de las unidades de disco duro
de baja capacidad en las computadoras porttiles.