SEMICONDUCTORES "INTRNSECOS"

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la

siguiente forma:
Intrnsecos
Extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de
otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos
que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento
semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se
rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se
liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all
funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar
libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura

Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los

semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida
es mucho ms estrecho en comparacin con los materiales
aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los
electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin
es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio
(Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es
de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta

solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como
se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo
poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia),
se unen formando enlaces covalente para completar ocho
electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un
cuerpo aislante.

SEMICONDUCTOR DOPADO

Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila

intentar atraer los electrones y el negativo los huecos
favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor,

pues son pocos los electrones que podemos arrancar de los
enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de
dicha corriente tenemos dos posiblidades:
Aplicar una tensin de valor superior
Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos
desde el exterior
La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho
el valor de la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de
suficiente valor. La solucin elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado".
El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por
tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el
nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el
que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos
clases de semiconductores.
Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N