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MATERIAIS
Propriedades Eltricas dos
Materiais
Plano de Aula
1. Introduo;
2. Conduo Eltrica;
3. Semicondutividade;
4. Conduo Eltrica em Cermicas Inicas e em
Polmeros;
5. Bibliografia.
1. Introduo
http://mste.illinois.edu/users/Murphy/Resistance/default.html
2. Conduo Eltrica
Condutividade Eltrica
Intensidade
Campo Eltrico
2. Conduo Eltrica
2.1 Estrutura das Bandas de Energia nos Slidos
Nmero de eltrons disponveis para participar do processo
de conduo (eltrons livres).
Mas o que uma banda de energia eletrnica?
uma srie de estados de
energia dos eltrons que
tm energias prximas na
separao interatmica
de equilbrio.
2. Conduo Eltrica
Quatro tipos diferentes de estruturas de bandas so
possveis a 0 K.
Energia de Fermi (Ef): Nos metais a energia correspondente
ao eletrnico preenchido mais elevado a 0 K, nos isolantes e
semicondutores, dentro do espaamento entre as bandas.
metais (Cu)
metais (Mg)
isolantes
semicondutores
2. Conduo Eltrica
2.2 Conduo em Termos de Bandas e Modelos de
Ligao Atmica
Metais
ligao metlica
pouca energia
excitao
alta
condutividade
2. Conduo Eltrica
2.2 Conduo em Termos de Bandas e Modelos de
Ligao Atmica
Isolantes e
semicondutores
ligao inica
ou covalente
energia
excitao
trmica
baixa ou nenhuma
condutividade
2. Conduo Eltrica
2.3 Mobilidade Eletrnica
Segundo a mecnica quntica no existe nenhuma interao
entre eltrons em acelerao e os tomos em um reticulo
cristalino perfeito.
Assim todos os eltrons livres devem acelerar enquanto o
campo eltrico aplicado, fazendo com que a corrente
eltrica aumente continuamente, no entanto, sabemos que a
corrente atinge um valor constante.
Por qu?
2. Conduo Eltrica
2.3 Mobilidade Eletrnica
movimento em um
reticulo cristalino perfeito
(baixa temperatura)
movimento em
temperatura mais alta
movimento em uma
estrutura com impurezas
2. Conduo Eltrica
2.4 Resistividade Eltrica dos Metais
Resistividade
deformao
Resistividade
trmica
Resistividade
impurezas
3. Semicondutividade
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores no
to elevada quanto a dos metais, entretanto eles apresentam
certas
caractersticas
eltricas
especiais
destinadas
aplicaes especficas.
As propriedades eltricas destes materiais so extremamente
sensveis a presena de impurezas.
3. Semicondutividade
Existem dois tipos de semicondutores:
Semicondutores Intrnsecos: o comportamento eltrico
baseado na estrutura eletrnica relacionada com o material
puro (sem impurezas).
3. Semicondutividade
3.1 Semicondutores Intrnsecos
Os semicondutores intrnsecos so
caracterizados por apresentarem a
estrutura de banda mostrada na figura.
A 0 K apresentam a banda de valncia
completamente preenchida e separada
da banda de conduo por uma banda
proibida.
3. Semicondutividade
3.1 Semicondutores Intrnsecos
Os dois semicondutores mais importantes so o silcio (Si) e o
germnio (Ge) com o GAP de energia de 0,7 eV e 1,1 eV,
respectivamente.
3. Semicondutividade
3.1 Semicondutores Intrnsecos
3. Semicondutividade
3.2 Semicondutores Extrnsecos
Neste caso as caractersticas eltricas so determinadas pelos
tomos de impurezas. o caso de praticamente todos os
semicondutores comerciais.
Os semicondutores extrnsecos so divididos em duas
categorias, com uma relao direta valncia da impureza
adicionada.
3. Semicondutividade
3.2.1 Semicondutores Extrnsecos Tipo n
eltron livre
3. Semicondutividade
3.2.1 Semicondutores Extrnsecos Tipo n
Os eltrons so os portadores de carga majoritrios em funo
de sua concentrao, enquanto os buracos so os portadores
minoritrios.
Nos semicondutores do tipo n,
o nvel de Fermi deslocado
para cima no espaamento
entre bandas.
3. Semicondutividade
3.2.2 Semicondutores Extrnsecos Tipo p
buraco
3. Semicondutividade
3.2.2 Semicondutores Extrnsecos Tipo p
Neste caso os buracos so os portadores majoritrios e os
eltrons, em menor concentrao so os portadores
minoritrios.
Nos semicondutores
do tipo p, o nvel de Fermi
est posicionado dentro do
espaamento entre as bandas
e prximo ao receptor.
Nanotechnology
9,
960961
(2014)
doi:10.1038/nnano.2014.293
Spintronics: A lucky break, John Schaibley, Xiaodong Xu,
Nature Physics 10, 798799 (2014) doi:10.1038/nphys3138