LA ELECTRNICA

DE POTENCIA
CHURATA CHOQUE JULIO CSAR
CARRIN HUACANI DANIEL

Definicin:

DIODOS DE POTENCIA

La electrnica de potencia es aquella parte

de la electrnica que enlaza la electricidad
con la electrnica.
Ejemplos:
- Encendido electrnico de un vehculo
- Encendido de una televisin
- Elevalunas elctrico

Dispositivos de potencia:

DIODOS DE POTENCIA

Los dispositivos de potencia se van a identificar por las

siguientes caractersticas:
Tienen dos estados de funcionamiento: bloqueo y
conduccin
Son capaces de soportar potencias elevadas
El funcionamiento de estos dispositivos tiene que ser
posible con poca potencia

DIODOS DE POTENCIA

CARACTERISTICAS
DEL DIODO DE
POTENCIA

DIODOS DE POTENCIA

Un diodo de potencia es un dispositivo

de unin pn con dos terminales.

Curva caracterstica
A (nodo)

+
V

i [mA]
(exponencial)

P
N

K (ctodo)

DIODOS DE POTENCIA

VD

i [A]
V [Volt.]

-40

-2

V [V]

Concepto de diodo ideal

En polarizacin directa, la cada
de tensin es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida

DIODOS DE POTENCIA

nodo

+
V

Ctodo

curva caracterstica

V
En polarizacin inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensin inversa aplicada

El diodo semiconductor

nodo

DIODOS DE POTENCIA

nodo

Terminal

Encapsulado
(cristal o resina
sinttica)

Contacto metalsemiconductor

P
N

Ctodo

Oblea de
semiconductor
Contacto metalsemiconductor

Marca
sealando el
ctodo

Ctodo

Terminal

DIODOS DE POTENCIA

Tensin umbral, de codoode partida(V ).

Latensinumbral(tambinllamadabarreradepotencial)
sucedealpolarizardirectamenteeldiodo,labarreradepotencial
inicialsevareduciendo,incrementandolacorrienteligeramente.
Sinembargo,cuandolatensinexternasuperalatensin
umbral,labarreradepotencialdesaparece,deformaquepara
pequeosincrementosdetensinseproducengrandes
variacionesdelaintensidaddecorriente.

DIODOS DE POTENCIA

Corriente mxima(I m ax ).
Eslaintensidaddecorrientemxima
quepuedeconducireldiodosin
fundirseporelefectoJoule.Dado
queesfuncindelacantidadde
calorquepuededisipareldiodo,
dependesobretododeldiseodel
mismo.

 Corriente inversa de saturacin(I s ).

DIODOS DE POTENCIA

Eslapequeacorrientequeseestablecealpolarizar
inversamenteeldiodoporlaformacindepareselectrnhueco
debidoalatemperatura,admitindosequeseduplicaporcada
incrementode10Cenlatemperatura.

DIODOS DE POTENCIA

Corriente superficial de fugas.

Eslapequeacorrientequecirculaporlasuperficie
deldiodo(verpolarizacininversa),estacorrientees
funcindelatensinaplicadaaldiodo,conloqueal
aumentarlatensin,aumentalacorrientesuperficial
defugas.

Tensin de ruptura(V r ).
Eslatensininversamximaqueeldiodopuede
soportarantesdedarseelefectoavalancha.

DIODOS DE POTENCIA

Ecuacindeldiodo
Las caractersticas de v-i se pueden expresar por una
ecuacinllamadaecuacin de diodo de Schokleyparael
funcionamientoenestadopermanente
ID=Corrientedeldiodo
VD=Voltajedeldiodo
Is=Corrientedefugaosaturacin10-6y10-15A
n=coeficientedeemisinofactordeidealidad,cuyovalor
vara1a2(1,1y1,8)
VT=voltajetrmico
VT25.7mV

Encapsulados de diodos

Axiales

1N4148
(Si)

DO 201

DIODOS DE POTENCIA

DO 204

1N4007
(Si)

Agrupacin de diodos semiconductores

2 diodos en ctodo
Puente de diodos
comn

Anillo de diodos

+
+ -

DIODOS DE POTENCIA

B380C3700
(Si)

BYT16P-300A
(Si)
B380C1500
(Si)

HSMS2827
(SchottkySi)

Encapsulados de diodos
D 61
TO 220 AC

DOP 31

DIODOS DE POTENCIA

DO 5

TO 247
B 44

Encapsulados de diodos
Mdulos de potencia
Varios dispositivos en un encapsulado comn
Alta potencia
Aplicaciones Industriales

DIODOS DE POTENCIA

Se pueden pedir a medida

Motores

Satlites

Curvas caractersticas y circuitos equivalentes

i
Curva
caracterstica real

Curva caracterstica
ideal

Curva caracterstica
asinttica

DIODOS DE POTENCIA

pendiente = 1/rd

V
0 V
ideal
Circuito equivalente asinttico

rd
real (asinttico)

Parmetros
Parmetros en inversa:
VR=TensinInversa(Tensincontinuacapazqueesdesoportareldiodo)
VRM=Tensindepico
VBR=Tensinderuptura
IR=Corrienteinversa(corrientedefuga)
Parmetros en directa:
VD=Tensinendirecta
I=Corrientedirecta

DIODOS DE POTENCIA

IAV=Corrientemediadirecta
IFM=Corrientemximaendirecta
IFRM=Corrientedepicorepetitiva
IFSM=Corrientedirectadesobrecarga

Caractersticas fundamentales
Tensin de ruptura
Cada de tensin en
conduccin
Corriente mxima
Velocidad de conmutacin

DIODOS DE POTENCIA

Tensin de ruptura
Baja tensin

Media tensin

Alta tensin

15 V

100 V

500 V

30 V

150 V

600 V

45 V

200 V

800 V

55 V

400 V

1000 V

60 V
80 V

1200 V

Tensin de codo

i
Curva
caracterstica real

pendiente = 1/rd

DIODOS DE POTENCIA

V
0 V
A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin
Seal
VRuptura
VCodo

< 100 V
0,7 V

Potencia
200 1000 V
<2V

Alta tensin
10 20 kV
>8V

Datos del diodo en corte

DIODOS DE POTENCIA

Tensin inversa VRRM

Repetitive Peak Voltage

La tensin mxima es crtica

Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo

DIODOS DE POTENCIA

Datos del diodo en conduccin

Corriente directa IF

Forward Current

Corriente directa de pico repetitivo IFRM

Repetitive Peak Forward Current

La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est

atornillado a un radiador

Caractersticas dinmicas
Indican capacidad de conmutacin del diodo

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2
i

V1/R

V
-V2

i
+

Transicin de a a b

V
t
t

Comportamiento
Comportamiento
dinmicamente
dinmicamenteideal
ideal

Caractersticas dinmicas

Transicin de a a b

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2

i
+

V1/R

trr

V
-

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )

ts
-V2/R

tf = tiempo de cada (fall time )

trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time )

-V2

t
tf (i= -0,1V2/R)

Caractersticas dinmicas

R
a

b
V2

V1

El
Elproceso
procesode
deencendido
encendidoes
esms
ms
rpido
rpidoque
queelelapagado.
apagado.

i
+
V
-

i
DIODOS DE POTENCIA

Transicin de b a a (encendido)

0,9V1/R
0,1V1/R

td

tr

tfr

td = tiempo de retraso (delay time )

tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa
(forward recovery time )

DIODOS DE POTENCIA

Caractersticas dinmicas

Caractersticas Principales

DIODOS DE POTENCIA

Corriente directa
Tensin inversa
Tiempo de recuperacin
Cada de tensin
en conduccin

Encapsulado

Tiempo de recuperacin en inversa

Undiododepotenciatienequepoderconmutarrpidamentedel
estadodecortealestadodeconduccin.
Eltiempoquetardaenconmutarsellama:
TIEMPODERECUPERACINENINVERSA

DIODOS DE POTENCIA

Losdiodossepuedenclasificarenfuncindesutiempode
recuperacin:

Tipos de diodos
Se clasifican en funcin de la rapidez (trr)

DIODOS DE POTENCIA

VRRM

IF

trr
> 1 s

Standard

100 V - 600 V

1 A 50 A

Fast

100 V - 1000 V

1 A 50 A

100 ns 500 ns

Ultra Fast

200 V - 800 V

1 A 50 A

20 ns 100 ns

Schottky

15 V - 150 V

1 A 150 A

< 2 ns

Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web
www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com

Aplicaciones:
DIODOSDEGAMAMEDIA:
Fuentesdealimentacin
Soldadores
DIODOSRPIDOS
Aplicacionesenquelavelocidaddeconmutacinescrtica

DIODOS DE POTENCIA

ConvertidoresCDCA
DIODOSSCHOTTKY
Fuentesdealimentacindebajovoltajeyaltacorriente
Fuentesdealimentacindebajacorrienteeficientes

DIODO RECTIFICADOR

MULTIPLICADOR DE TENSION

INVERSOR DE CD

COMMUTACION