UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO

INGENIERA ELECTRONICA

RESUMEN DE LA MATERIA
Nombre : Flavio Sisa

ING. Geovanny cusco

Es el dispositivo semiconductor mas sencillo dos terminales que, en

una situacin ideal, se comporta como un interruptor. Son
unidireccionales, por tanto por ellos no puede circular la corriente en
sentido contrario al de conduccin.

Los diodos de unin pn, estn constituidos por la unin de dos

materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n. Hay que
destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene
carga elctrica, ya que en cada cristal, el nmero de electrones
y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es
0).la caracterstica de la unin pn dan lugar a que este
dispositivo conduzca en un sentido y que no lo haga en forma
contraria.

A).En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restriccin,

provocando una cada de potencial que suele ser de 0,7 V. Este voltaje de 0,7
V se debe a que usualmente se utilizan diodos de silicio. En el caso del
germanio, que es el segundo mas usado el voltaje es de 0,3 V
B)En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La tensin
de salida es nula, al igual que la intensidad de la corriente

ES UN DISPOSITIVO CAPAS DE VARIAR SU RESISTENCIA

INTERNA EN FUNCIN DE LA TENCIN APLICADA EN SUS
TERMINALES. EL DIODO ZENER, RECIBE ESTE NOMBRE POR
SU INVENTOR, EL DR. CLARENCE MELVIN ZENER, ES UN DIODO
DE SILICIO QUE SE HA CONSTRUIDO PARA QUE FUNCIONE EN
LAS ZONAS DE RUPTURAS.

ESTOS DISPOSITIVOS NO ESTN CONSTITUIDOS POR UNA

UNIN PN, EL DIODO SCHOTTKY TIENE UNA UNIN METALN. ESTOS DIODOS SE CARACTERIZAN POR SU VELOCIDAD
DE CONMUTACIN, UNA BAJA CADA DE VOLTAJE CUANDO
ESTN POLARIZADOS EN DIRECTO.LA TENCIN UMBRAL DE
LOS DIODOS SCHOTTKY DE SILICIO OSCILA ENTRE LOS 0,3
Y 0,7V.

ES UN SEMICONDUCTOR CONSTRUIDO CON UNA UNIN PN,

SENSIBLE A LA INCIDENCIA DE LA LUZ VISIBLE O INFRARROJA.
PARA QUE SU FUNCIONAMIENTO SEA CORRECTO SE POLARIZA
INVERSAMENTE, CON LO QUE SE PRODUCIR UNA CIERTA
CIRCULACIN DE CORRIENTE CUANDO SEA EXCITADO POR LA
LUZ. DEBIDO A SU CONSTRUCCIN, LOS FOTODIODOS SE
COMPORTAN COMO CLULAS FOTOVOLTAICAS, ES DECIR, EN
AUSENCIA DE LUZ EXTERIOR GENERAN UNA TENSIN MUY
PEQUEA CON EL POSITIVO EN EL NODO Y EL NEGATIVO EN
EL CTODO. ESTA CORRIENTE PRESENTE EN AUSENCIA DE LUZ
RECIBE EL NOMBRE DE CORRIENTE DE OSCURIDAD.

ES UN TIPO DE DIODO QUE BASA SU FUNCIONAMIENTO EN EL

FENMENO QUE HACE QUE LA ANCHURA DE LA BARRERA DE
POTENCIAL EN UNA UNIN PN VARE EN FUNCIN DE LA TENSIN
INVERSA APLICADA ENTRE SUS EXTREMOS. AL AUMENTAR DICHA
TENSIN, AUMENTA LA ANCHURA DE
ESA BARRERA,
DISMINUYENDO AS LA CAPACIDAD DEL DIODO. DE ESTE MODO SE
OBTIENE UN CONDENSADOR VARIABLE CONTROLADO POR
TENSIN.

TAMBIN SE CONOCEN COMO DIODOS ESAKI, EN HONOR DEL

HOMBRE QUE DESCUBRI QUE UNA FUERTE CONTAMINACIN
CON IMPUREZAS PODA CAUSAR UN EFECTO DE TUNELIZACIN
DE LOS PORTADORES DE CARGA A LO LARGO DE LA ZONA DE
AGOTAMIENTO EN LA UNIN. UNA CARACTERSTICA
IMPORTANTE DEL DIODO TNEL ES SU RESISTENCIA NEGATIVA
EN UN DETERMINADO INTERVALO DE VOLTAJES DE
POLARIZACIN DIRECTA. CUANDO LA RESISTENCIA ES
NEGATIVA, LA CORRIENTE DISMINUYE AL AUMENTAR EL
VOLTAJE.

ESTE DIODO TIENE CARACTERSTICAS MUY DIFERENTES A LOS

ANTERIORES, YA QUE NO ES RECTIFICADOR. SE TRATA DE UN
GENERADOR DE MICROONDAS, FORMADO POR UN SEMICONDUCTOR
DE DOS TERMINALES QUE UTILIZA EL LLAMADO EFECTO GUNN. ESTE
EFECTO GUNN SLO SE DA EN MATERIALES TIPO N (MATERIAL CON
EXCESO DE ELECTRONES) Y LAS OSCILACIONES SE DAN SLO
CUANDO EXISTE UN CAMPO ELCTRICO.

LOS DIODOS EMISORES DE LUZ SON UN TIPO

ESPECIAL DE DIODO, QUE TRABAJA COMO UN
DIODO COMN, PERO QUE AL SER ATRAVESADO
POR LA CORRIENTE ELCTRICA, EMITE LUZ.EXISTEN
DIODOS LED DE VARIOS COLORES QUE DEPENDEN
DEL
MATERIAL
CON
EL
CUAL
FUERON
CONSTRUIDOS. HAY DE COLOR ROJO, VERDE,
AMARILLO, MBAR, INFRARROJO, ENTRE OTROS.
ELCTRICAMENTE EL DIODO LED SE COMPORTA
IGUAL QUE UN DIODO DE SILICIO O GERMANIO.

UN PUENTE DE DIODOS O RECTIFICADOR ES EL ELEMENTO O

CIRCUITO QUE PERMITE CONVERTIR LA CORRIENTE ALTERNA EN
CORRIENTE CONTINUA.
EL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA ES UN CIRCUITO EMPLEADO
PARA ELIMINAR LA PARTE NEGATIVA O POSITIVA DE UNA SEAL DE
CORRIENTE ALTERNA DE ENTRADA (VI) CONVIRTINDOLA EN
CORRIENTE DIRECTA DE SALIDA (VO).ES EL CIRCUITO MS SENCILLO
QUE PUEDE CONSTRUIRSE CON UN DIODO.

UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA ES UN CIRCUITO EMPLEADO

PARA CONVERTIR UNA SEAL DE CORRIENTE ALTERNA DE ENTRADA (VI)
EN CORRIENTE DIRECTA DE SALIDA (VO) PULSANTE. A DIFERENCIA DEL
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA, EN ESTE CASO, LA PARTE NEGATIVA DE
LA SEAL SE CONVIERTE EN POSITIVA O BIEN LA PARTE POSITIVA DE LA
SEAL SE CONVERTIR EN NEGATIVA, SEGN SE NECESITE UNA SEAL
POSITIVA O NEGATIVA DE CORRIENTE CONTINUA.

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE DOBLE DE GRATZ

SE TRATA DE UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA EN EL
QUE, A DIFERENCIA DEL ANTERIOR, SLO ES NECESARIO
UTILIZAR TRANSFORMADOR SI LA TENSIN DE SALIDA DEBE
TENER UN VALOR DISTINTO DE LA TENSIN DE ENTRADA.

EL TRANSISTOR ES UN DISPOSITIVO ELECTRNICO

SEMICONDUCTOR
QUE
CUMPLE
FUNCIONES
DE
AMPLIFICADOR, OSCILADOR, CONMUTADOR O RECTIFICADOR.
ES UN DISPOSITIVO DE 3 PATILLAS CON LOS SIGUIENTES
NOMBRES:
EMISOR, QUE SE DIFERENCIA DE LAS OTRAS DOS POR ESTAR

FUERTEMENTE DOPADA, COMPORTNDOSE COMO UN METAL.

SU NOMBRE SE DEBE A QUE ESTA TERMINAL FUNCIONA COMO
EMISOR DE PORTADORES DE CARGA.
BASE, LA INTERMEDIA, MUY ESTRECHA, QUE SEPARA EL
EMISOR DEL COLECTOR.
COLECTOR, DE EXTENSIN MUCHO MAYOR.

EL CONSUMO DE ENERGA ES RELATIVAMENTE BAJO.

EL TAMAO DE LOS TRANSISTORES ES RELATIVAMENTE

MS

PEQUEO QUE LOS TUBOS DE VACO.

EL PESO.
UNA VIDA LARGA TIL (MUCHAS HORAS DE SERVICIO).
PUEDE
PERMANECER
MUCHO
TIEMPO
EN
DEPOSITO
(ALMACENAMIENTO).
NO NECESITA TIEMPO DE CALENTAMIENTO.
RESISTENCIA MECNICA ELEVADA.
LOS TRANSISTORES PUEDEN REPRODUCIR EL FENMENO DE LA
FOTOSENSIBILIDAD (FENMENOS SENSIBLES A LA LUZ).

LOS TRANSISTORES BIPOLARES O DE UNIN BJT

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAPO (JFET,MOSFET)

EL TRANSISTOR BIPOLAR ES EL MS COMN DE LOS

TRANSISTORES, Y COMO LOS DIODOS, PUEDE SER DE
GERMANIO O SILICIO. EXISTEN DOS TIPOS TRANSISTORES, EL
NPN Y EL PNP, Y LA DIRECCIN DEL FLUJO DE LA CORRIENTE EN
CADA CASO, LO INDICA LA FLECHA QUE SE VE EN EL GRFICO
DE CADA TIPO DE TRANSISTOR.

NPN ES UNO DE LOS DOS TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES,

EN LOS CUALES LAS LETRAS "N" Y "P" SE REFIEREN A LOS
PORTADORES DE CARGA MAYORITARIOS DENTRO DE LAS
DIFERENTES REGIONES DEL TRANSISTOR
LOS TRANSISTORES NPN CONSISTEN EN UNA CAPA DE MATERIAL
SEMICONDUCTOR DOPADO P (LA "BASE") ENTRE DOS CAPAS DE
MATERIAL DOPADO N. UNA PEQUEA CORRIENTE INGRESANDO A
LA BASE EN CONFIGURACIN EMISOR-COMN ES AMPLIFICADA
EN LA SALIDA DEL COLECTOR.

ESTRUCTURA INTERNA

EL OTRO TIPO DE TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR ES EL

PNP CON LAS LETRAS "P" Y "N" REFIRINDOSE A LAS
CARGAS MAYORITARIAS DENTRO DE LAS DIFERENTES
REGIONES DEL TRANSISTOR. POCOS TRANSISTORES
USADOS HOY EN DA SON PNP, DEBIDO A QUE EL NPN
BRINDA MUCHO MEJOR DESEMPEO EN LA MAYORA DE LAS
CIRCUNSTANCIAS.
LOS TRANSISTORES PNP CONSISTEN EN
UNA CAPA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR
DOPADO N ENTRE DOS CAPAS DE
MATERIAL DOPADO P. LOS TRANSISTORES
PNP SON COMNMENTE OPERADOS CON
EL COLECTOR A MASA Y EL EMISOR
CONECTADO AL TERMINAL POSITIVO DE
LA FUENTE DE ALIMENTACIN A TRAVS
DE UNA CARGA ELCTRICA EXTERNA.

ESTRUCTURA INTERNA

ES EN REALIDAD UNA FAMILIA DE TRANSISTORES QUE SE

BASAN EN EL CAMPO ELCTRICO PARA CONTROLAR LA
CONDUCTIVIDAD DE UN "CANAL" EN UN MATERIAL
SEMICONDUCTOR. LOS FET PUEDEN PLANTEARSE COMO
RESISTENCIAS CONTROLADAS POR DIFERENCIA DE
POTENCIAL
LA MAYORA DE LOS FET ESTN HECHOS USANDO LAS
TCNICAS DE PROCESADO
DE SEMICONDUCTORES
HABITUALES, EMPLEANDO LA OBLEA MONOCRISTALINA
SEMICONDUCTORA COMO LA REGIN ACTIVA O CANAL

TIENE UNA RESISTENCIA DE ENTRADA EXTREMADAMENTE

ALTA (CASI 100M).

NO TIENE UN VOLTAJE DE UNIN CUANDO SE UTILIZA
CONMUTADOR (INTERRUPTOR).
HASTA CIERTO PUNTO INMUNE A LA RADIACIN.
ES MENOS RUIDOSO.
PUEDE OPERARSE PARA PROPORCIONAR UNA MAYOR
ESTABILIDAD TRMICA .

MOSFET SON LAS SIGLAS DE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

FIELD EFFECT TRANSISTOR. TAMBIN SON DISPOSITIVOS DE
TRES TERMINALES, EN LOS QUE UNO DE ELLOS ESTA AISLADO
DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR POR UNA PELCULA DE XIDO
METLICO, ESTE TERMINAL SE DENOMINA PUERTA, MIENTRAS
QUE LOS OTROS DOS RECIBEN EL NOMBRE DE DRENADOR Y DE
SURTIDOR O FUENTE ES EL TRANSISTOR MS UTILIZADO EN LA
INDUSTRIA
MICROELECTRNICA.
PRCTICAMENTE
LA
TOTALIDAD DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE USO.

Estructura interna deplexin

UN TRANSISTOR MOSFET CONSISTE EN UN SUSTRATO DE

MATERIAL SEMICONDUCTOR DOPADO EN EL QUE, MEDIANTE
TCNICAS DE DIFUSIN DE DOPANTES, SE CREAN DOS ISLAS
DE TIPO OPUESTO SEPARADAS POR UN REA SOBRE LA
CUAL SE HACE CRECER UNA CAPA DE DIELCTRICO
CULMINADA POR UNA CAPA DE CONDUCTOR .

EL TRANSISTOR MOSFET TIENE

TRES ESTADOS DE FUNCIONAMIENTO
Estado de corte: Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del
sustrato, el MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente
fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de potencial
entre ambos
Conduccin lineal:Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS)
o positiva (nMOS), se crea una regin de deplexin en la regin que separa
la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern
portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la
regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin.
Saturacin:Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite,
el canal de conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las
cercanas del drenador y desaparece.

Es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos

valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de

salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo
elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas.
El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo

intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de

"canal N" y "de canal P" .
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado

por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan

dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones
con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales
conectados entre s (puerta).

ECUACIONES DEL TRANSISTOR JFET

Grfica de entrada y de salida de un transistor JFET canal n. Las
correspondientes al canal p son el reflejo horizontal de stas
Mediante la grfica de entrada del transistor se pueden deducir las
expresiones analticas que permiten analizar matemticamente el
funcionamiento de este. As, existen diferentes expresiones para
las distintas zonas de funcionamiento. Para |VGS| < |Vp| (zona
activa), la curva de valores lmite de ID viene dada por la
expresin:
donde:
ID =
IDSS =

Corriente de Drenaje
Corriente de Drenaje de Saturacin

VGS =

Voltaje Puerta-Fuente

VP =

Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

Grfica de entrada y de salida de

un transistor JFET canal n. Las
correspondientes al canal p son
el reflejo horizontal de stas

WILLIAM BRADFORD SHOCKLEY (13 DE FEBRERO DE 1910 - 12 DE AGOSTO DE 1989)

FUE UN FSICO ESTADOUNIDENSE, GALARDONADO CON EL PREMIO NOBEL DE FSICA

EN 1956, POR SUS INVESTIGACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES Y EL
DESCUBRIMIENTO DEL EFECTO TRANSISTOR. JUNTO CON JOHN BARDEEN Y WALTER
HOUSER BRATTAIN INVENT EL TRANSISTOR DE UNIN EL 5 DE JULIO DE 1951.
EN 1954 WILLIAM SHOCKLEY ABANDON LOS LABORATORIOS BELL PARA FUNDAR

UNA EMPRESA PROPIA. ELIGI COMO EMPLZAMIENTO SU CIUDAD NATAL DE PALO

ALTO, EN CALIFORNIA, DONDE SE CONTABA CON UNAS CONDICIONES FAVORABLES
PARA LA CONSTRUCCIN DE UNA EMPRESA MODERNA. ALL HABA UNA UNIVERSIDAD,
LA UNIVERSIDAD STANFORD QUE SE ENCUENTRA HOY ENTRE LAS UNIVERSIDADES
MS SELECTAS DE LOS EE.UU.
A FINALES DE LOS AOS 1960, SHOCKLEY REALIZ UNAS CONTROVERTIDAS

DECLARACIONES ACERCA DE LAS DIFERENCIAS INTELECTUALES ENTRE LAS RAZAS,

DEFENDIENDO QUE LOS TEST DE INTELIGENCIA MOSTRABAN UN FACTOR GENTICO
EN LA capacidad intelectual revelando QUE LOS AFRO-ESTADOUNIDENSES ERAN
INFERIORES A LOS ESTADOUNIDENSES CAUCSICOS, AS COMO QUE LA MAYOR TASA
DE REPRODUCCIN ENTRE LOS PRIMEROS TUVO UN EFECTO REGRESIVO EN LA
EVOLUCIN.
CRE SUS PROPIOS LABORATORIOS EN CALIFORNIA, PERO SU FORMA DE LLEVAR LA

EMPRESA PROVOC QUE OCHO DE SUS INVESTIGADORES EN 1957 ABANDONASEN LA

COMPAA. ENTRE ELLOS ESTABAN ROBERT NOYCE Y GORDON MOORE QUE MS
TARDE CREARAN INTEL.
ENTRE

SUS PUBLICACIONES DESTACA "ELECTRONES

SEMICONDUCTOR", OBRA PUBLICADA EN 1950.

HUECOS

EN

EL

 los diodos son elementos importantes en la electrnica que

nos rodea hoy en da, que para su comprensin hay que estar
al tanto de ciertos conocimientos relativos a su
funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en

muchos aspectos con el propsito de resolver algn

problema.
Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
El transistor NPN funciona bsicamente con electrones

mientras que el PNP lo hace con huecos(Mayoritarios del

emisor en cada caso).
Los componentes electrnicos han venido evolucionando a

travs del tiempo y cada da son ms pequeos y complejos.

Al vencer sin obstculos se triunfa sin gloria.

AUTOR: CORNEILLE
Esta reflexin hace relacin que en nuestra vida se presentan
mltiples obstculos que tratan de oscurecernos el camino, pero
para ello hay que ser audaz y sacar provecho de cada uno de
ellos para formarnos ntegramente y no limitarnos a lo fcil dejando
as grandes vacios en nuestro conocimiento y a la hora de
aplicarlos estos conocimientos no sabremos ni cmo empezar.