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CURSO:

ELECTRONICA DE POTENCIA

INTEGRANTES:
ALARCON BAUTISTA LUIS
GUERRERO ORTIZ HECTOR
NUEZ VASQUEZ HUGO JOHAN
TORRES RAMOS ANGY ANDREINA

2016

EL TRANSISOR DE
POTENCIA

INTRODUCCION

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico de los


transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e
intensidades que soportan.
EXISTEN 3 TIPS DE TRANSISTORES DE POTENCIA:

BIPOLAR.
UNIPOLAR O FET(transistor de efecto de campo).
IGBT.

TRANSISTOR BIPOLAR DE
POTENCIA(BJT)
El inters actual del BJT es muy limitado, ya que
existen
dispositivos
de
potencia
con
caractersticas muy superiores. Sin embargo, le
dedicamos un tema dentro de esta asignatura
porque
es
necesario
comprender
sus
limitaciones para poder comprender el
funcionamiento y limitaciones de otros
dispositivos de gran importancia en la actualidad
dentro del campo de la electrnica.

MODOS DE TRABAJO

EXISTEN CUATRO CONDICIONES DE POLARIZACION DEPENDIENDO DEL


SENTIDO O SIGNO DE LOS VOLTAJES DE POLARIZACION:
REGION ACTIVA DIRECTA: corresponde a una polarizacin directa de la unin
emisor-base y a una polarizacin inversa de la unin colector-base.
REGION ACTIVA INVERSA: corresponde a una polarizacin inversa de la unin
emisor-base y a una polarizacin directa de la unin colector-base
REGION DE CORTE: corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones.
REGION DE SATURACION: corresponde a una polarizacin directa de ambas
uniones

CARACTERISTICAS DINAMICAS
Cuando el transistor esta en saturacin o en corte las perdidas son despreciables.
Como siempre podemos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido y tiempo
de apagado:
TIEMPO DE RETADO(delay time): Es el tiempo que transcurre desde el instante
en que se aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador.
TIEMPO DE SUBIDA(rise time): tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
TIEMPO DE ALMACENAMIENTO(storage time): tiempo que transcurre desde que
se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90%
de su valor final.
TIEMPO DE CAIDA(fall time): tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final.

Con la caractersticas antes mencionas se pueden definir las siguientes relaciones:

Se hace notar que el tiempo


de apagado ser siempre
mayor que el tiempo de
encendido como ocurre en a
mayora de conmutadores.

Los tiempos de encendido y apagado limitan la frecuencia


mxima a la cual puede conmutar el transistor:

EL TRANSISTOR MOSFET
El nombre MOSFET, viene dado por las iniciales de los
elementos que los componen; una fina pelcula metlica
(metal-M);
oxido
de
silicio(oxido-O);
regin
semiconductora(semiconductor-S).
Las aplicaciones mas tpicas de os transistores de
potencia MOSFET se encuentra en la conmutacin a
altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para
controlar motores generadores de altas frecuencia para
induccin de calor, ultrasonido, de audio y transmisores
de radiofrecuencia.

VENTAJAS DE LOS MOSFET FRENTE A


LOS BJT
La velocidad de conmutacin para los MOSFET esta en el orden de los
nanosegundos
Los mosfet no tienen el problema de segunda ruptura
Mayor rea de funcionamiento
Mayores ganancias
Circuito de mando mas simple
Alta impedancia de entrada

INCONVENIENTES
Los mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las
descargas electrostticas y requieren un embalaje especial.
Es relativamente difcil su proteccin.
Los mosfet son mas caros que sus equivalentes bipolares.
La resistencia esttica entre drenador-surtidor, es mas grande, lo
que provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en
conmutacin.

TIPOS DE MOSFET
MOSFET DE DEPLEXION O EMPOBRECIMIENTO: existe un canal
por el cual la corriente aunque no se aplique tensin en la puerta.
MOSFET DE ACUMULACION O ENRIQUECIMIENTO: el canal por
el cual circula la corriente se crea cuando se le aplica una tensin
en la puerta.
Dentro de los transistores MOSFET de enriquecimiento podemos
distinguir dos tipos :
canal n o de canal p, dependiendo del tipo de sustrato utilizado y
del tipo de portadores mayoritarios por el canal.

En la figura se pueden observar la estructura fsica y el smbolo mas habitual para un


MOSFET de canal n.

REGIONES DE TRABAJO

REGION CORTE.- en la figura anterior se puede ver como existen corrientes


residuales cuando el dispositivo esta en corte

REGION ACTIVA(saturacin de canal).- en esta regin se utiliza el transistor MOS


como amplificador. En esta regin el valor de la tensin entre puerta y surtidor,
controla la magnitud de la corriente del drenador.

REGION OHMICA.- la definicin parte de la caracterstica que satisface la condicin


que:

Para un MOSFET de canal p se definen las tres regiones anteriores de la siguiente


manera:

EL TRANSISTOR IGBT

Combina las ventajas de los BJT y MOSFET. Tiene una impedancia de entrada
elevada, como los MOSFET y bajas perdidas en conmutacin, como los BJT, pero
sin el problema de segunda ruptura, por lo que puede trabajar a elevada frecuencia y
con grandes intensidades.

Fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida debido a que
han demostrado tener una resistencia en conduccin muy baja y una elevada
velocidad de conmutacin.

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