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UNIDAD 4

DEFECTOS CRISTALINOS

Unidad 4: Defectos Cristalinos


objetivo general
Distinguir y explicar los diferentes defectos cristalinos existentes en la
materia.

Cristal

Vidrio

Imagen de microscopa electrnica de alta resolucin de una nanopartcula


de Hematita (Fe2O3) rodeada por una matriz polimrica de poliestireno.

Sistemas cristalinos

En 1850 Bravais demostr que


solo existen 14 redes
cristalina

Cbico
a=b=c
= = =
90
1811-1863

Simple

Centrado en el
cuerpo (bcc)

Centrado en las
caras (fcc)

1895: descubrimiento de los rayos X


(W. C. Roentgen). 1 premio Nobel de
Fsica 1901.

1912: aplicacin de los rayos X para


revelar la estructura interna de los
cristales (Max Von Laue). 1914 recibe
premio Nobel de Fsica.

DEFECTOS PUNTUALES
- Son interrupciones localizadas en los arreglos atmicos

- La alteracin afecta una regin donde intervienen uno


varios tomos
Defectos puntuales:
Defecto de vacancia
(a)
Defecto Insterticial
(b)
Defecto sustitucional
(c, d)

Defectos Intersticiales
Se produce cuando se inserta un tomo en una
estructura cristalina en
una posicin normalmente
desocupada.
Los tomos intersticiales son de mayor tamao que los
sitios intersticiales, por lo cual la regin cristalina vecina
esta comprimida y distorsionada.
El aumento de sitios intersticiales ocupados produce un
aumento de la resistencia de los materiales metlicos
La cantidad de tomos intersticiales en la estructura
generalmente es constante (an cuando cambie la
temperatura)

DEFECTOS LINEALES
Resistencia de un cristal perfecto:

x
L

Esfuerzo terico de corte:

En 1934, G. I. Taylor, E. Orowan y M.


Polanyi postularon que puede existir una
imperfeccin dentro de la red de los
cristales y que el movimiento de la
imperfeccin a bajos niveles de esfuerzos
conduzca a la deformacin.
El
concepto
de
dislocacin
fue
introducido por Volterra y Timpe en la
teora de la elasticidad del continuo, en
1900.
Las dislocaciones
fueron vistas por
primera vez a comienzo de 1950, en los
cristales de haluros de plata por una
tcnica de decolorado

Dislocacin de borde
Una dislocacin de borde se crea en un cristal por la interseccin de un
semiplano extra de tomos

Dislocacin de tornillo (helicoidal)


Una dislocacin de tornillo se puede formar en un cristal perfecto aplicando
tensiones de cizalladura en las regiones del cristal perfecto que han sido
separadas por un plano cortante.
Estas tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una regin
de distorsin en forma de una rampa en espiral de tomos distorsionados.

Dislocacin mixta
La lnea de dislocacin puede presentar partes de
carcter de borde y otras de carcter de tornillo. El
desorden atmico varia a lo largo de la curva AB

Desplazamiento de una dislocacin

Cambios en las posiciones atmicas que acompaan al movimiento


de una dislocacin de borde (cua) a medida que sta se mueve en
respuesta a una tensin de cizalle aplicada.

Representacin de la analoga entre el movimiento de una oruga


y el de una dislocacin.
Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el defecto
y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de deslizamiento, en
el plano de deslizamiento.

Multiplicacin de dislocaciones
Cuando existe deformacin plstica, se produce un aumento de la densidad
de dislocaciones.
Fuente de dislocacin Frank-Read:

Energa involucrada en una dislocacin


Como las dislocaciones son un defecto, su existencia incrementa la energa del
cristal.
Energa involucrada en una dislocacin de tornillo.

E/L=(Gb2/4 )ln (R/ro)

La energa por unidad de longitud de la dislocacin de borde es:


E/L=(Gb2/4 ))ln (R/ro)

Razn de Poisson: 0,2-0,4 metales

DEFECTOS DE SUPERFICIE
Borde de grano (grain boundary): es la superficie que separa los granos
individuales, siendo una zona estrecha donde los tomos no se encuentran
espaciados de manera apropiada a la red cristalina.
Grano (grain): por ser un monocristal un grano es una porcin de materia donde
dentro de la cual el ordenamiento de los tomos es idntico.
Se puede controlar las propiedades de un material mediante el endurecimiento por
tamao de grano debido a que los lmites de grano actan como barreras al
movimiento de dislocaciones.

Al-4% masa Cu

Al

Simulacin

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