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SERVIO PBLICO FEDERAL

MINISTRIO DA EDUCAO

Departamento de Cincias Ambientais e


Tecnolgicas
B C T / Engenharia de Energia

Dr. Marclio Nunes Freire


2017.1
Disciplina:
Materiais Eltricos
e Magnticos
Aula de hoje:

COMPORTAMENTO
ELTRICO
Literaturas que fundamentam o
tema em explanao:
James F. Shackelford. Cincias dos Materiais. Editora
Pearson Prentice Hall, 6 Edio, So Paulo, 2008;

Willian D. Callister, Jr. Fundamentos da Cincias e


Engenharia de Materiais Uma Abordagem Integrada. Livros
Tcnicos e Cientficos Editora S. A., 2 Edio, Rio de Janeiro
RJ, 2006;

Jacob Millman e Christos C. Halkias. Eletrnica Dispositivos


e Circuitos. Editora McGRAW-HILL do Brasil, Vol. 1, So
Paulo, 1981.
Cincia dos Materiais versus Engenharia dos Materiais

Cincia relao entre estrutura e propriedades;


Engenharia em funo desta relao, projeta a estrutura para
atender determinadas propriedades;
Estrutura relaciona-se com o arranjo de componentes internos do
material, em nvel atmico (tomos e molculas), em nvel
microscpico (grupo de tomos) e em nvel macroscpico;
Propriedade resposta do material a solicitao externa ou de
servio, independentemente da geometria e tamanho. Propriedades
mecnicas, eltricas, magnticas etc.

[Notas de aula da disciplina Materiais de Engenharia do Departamento de Cincias dos Materiais e


Metalurgia da PUC Rio]
Processamento, Estrutura,
Propriedade e Desempenho
Estrutura = f {processamento}

Propriedades = f {estrutura}

Desempenho = f {propriedades}

[Notas de aula da disciplina Materiais de Engenharia do Departamento de


Cincias dos Materiais e Metalurgia da PUC Rio]
Exemplo de
Propriedades = f {estruturas}

Formas transparentes, translcida e opaca


do xido de alumnio.
Um conhecimento da ligao atmica pode
levara um sistema de classificao til para os
materiais de engenharia. A ligao atmica a
base para a classificao. Embora a identidade
qumica de cada tomo seja determinada pelo
nmero de prtons e nutrons dentro do seu
ncleo, A NATUREZA DA LIGAO ATMICA
DETERMINADA PELO COMPORTAMENTO DOS
ELTRONS QUE ORBITAM O NCLEO.
NCLEO
Trs so os tipos de ligaes FORTES, ou PRIMRIAS,
responsveis pela COESO dos SLIDOS, a saber:
- I N I C A : envolve a transferncia de eltrons e no direcional. A
transferncia de eltrons cria um par de ons com cargas opostas =>
NATUREZA COULOMBIANA.
Natureza no-direcional => Nmero de coordenao inico
so determinados estritamente pela eficincia do EMPACOTAMENTO
GEOMTRICO (indicado pela razo dos raios).

- C O V A L E N T E : envolve o compartilhamento de eltrons e


altamente direcional => Nmeros de coordenao relativamente
baixos => ESTRUTURAS ATMICAS MAIS ABERTAS.
- M E T L I C A : envolve o compartilhamento de eltrons
DELOCALIZADO (probabilidade igual dos eltrons estarem
associados a qualquer um de um grande nmero de tomos
adjacentes => a delocalizao est associada ao material todo
=> Nuvem ou gs de eltrons => ALTA CONDUTIVIDADE
ELTRICA nos metais. A ligao metlica de NATUREZA
NO-DIRECIONAL, logo resulta em nmeros de coordenao
relativamente altos, como na ligao inica.
Na ausncia de transferncia ou compartilhamento de
eltrons, uma forma de ligao possvel, SECUNDRIA,
resultante da atrao entre dipolos eltricos temporrios e
permanentes.
AS LIGAES DOS MATERIAIS:
MATERIAIS
- METAIS:
METAIS Ligaes metlicas.
- CERMICAS E VIDROS:
VIDROS Ligaes inicas, mas em conjunto com
uma forte caracterstica covalente.
- POLMEROS:
POLMEROS Normalmente envolvem ligaes covalentes fortes ao
longo da cadeia polimrica, mas possuem ligaes secundrias mais
fracas entre cadeias adjacentes. Essa ligao secundria
responsvel por resistncias e ponto de fuso tipicamente baixos.
- SEMICONDUTORES:
SEMICONDUTORES Ligaes de natureza predominantemente
covalente, mas com alguns compostos semicondutores com
caractersticas inica significativa.
- COMPSITOS:
COMPSITOS So combinaes dos trs primeiros tipos
fundamentais e possuem caractersticas de ligao apropriadas a seus
elementos constituintes.
A facilidade ou a dificuldade de conduo eltrica em um
material pode ser entendida nos termos dos nveis de energia. Nos
materiais slidos, os nveis de energia discretos do caminho s
BANDAS DE ENERGIA => O ESPAAMENTO RELATVO DESSA
BANDA (em escala de energia os tais eV)
eV QUE DETERMINA A
MAGNITUDE DA CONDUTIVIDADE.
CONDUTIVIDADE

METAIS => CONDUTORES

CERMICAS, VIDROS E POLMEROS = > ISOLANTE

SEMICONDUTORES => VALORES INTERMEDIRIOS DE


CONDUTIVIDADE, so mais bem definidos pela NATUREZA MPAR
de sua conduo eletrnica.
Caractersticas do sistema Cbico
de Corpo Centrado

Dois tomos por clula


unitria;
Nmero de coordenao
(NC) = 8;
Fator de empacotamento
= 0,68 (os tomos se
tocam na diagonal
principal do cubo);
Ex.: Fe (at 912 C), Li,
Na, Cr, Mo, W, V, Ta, Nb
etc.
Clculo do FEA para a estrutura CCC:
A estrutura CCC possui uma clula unitria com
tomos localizados nos oito vrtices, e um tomo
localizado no centro do cubo.

A relao entre a aresta (a = parmetro de rede)


da clula unitria e o raio atmico (R)
Representao esquemtica da estrutura
cbica de corpo centrado CFC (FCC)
(a) Representao da clula
unitria atravs de
esferas rgidas;

(b) Clula unitria com


esferas reduzidas;

(c) Agregado de muitos


tomos.
Calcule o FEA da
estrutura CFC. Entregar
na prxima aula
sexta-feira.

Detalhamento da
estrutura CFC.
A estrutura cristalina Hexagonal
Compacta (HC)
So clulas unitrias com as bases na forma hexagonal
regular. As faces superior e inferior da clula unitria so
compostas por seis tomos dispostos nos vrtices desse
hexgono, e que se encontram em torno de um tomo no
centro. Um plano intermedirio composto de trs tomos
localizados entre os planos superior e inferior. Seja a e c
as dimenses menor e maior respectivamente da clula
unitria (Ver figura no prximo slide). A razo c/a deve de
1,633. O nmero de coordenao e o fator de
empacotamento atmico para estrutura HC o mesmo da
estrutura CFC.
Representao esquemtica da estrutura
cristalina Hexagonal Compacta HC
Detalhamento da estrutura HC.
Portadores de carga e conduo: responsveis
pela conduo da eletricidade nos materiais. So espcies
individuais em escala atmica => ELTRONS, por
exemplo!

Um conceito mais abstrato a LACUNA


ELETRNICA, ou BURACO, que a ausncia de um
eltron em uma nuvem eletrnica, de carga absoluta igual
a do eltron.

Dentre os ons, o NION tem carga NEGATIVA,


NEGATIVA e
os CTIONS so os portadores POSITIVOS.
POSITIVOS
Calma!
Um mtodo simples de determinar a condutividade
eltrica ilustrado a seguir:
A magnitude do fluxo de
corrente, i, atravs de um
circuito com uma determinada
resistncia eltrica, R, e a
diferena de potencial eltrico,
U => LEI DE OHM:
OHM

R = U / i
Resistividade! Condutividade!
A condutividade, mais
adiante ser o parmetro mais
conveniente para estabelecer
um sistema de classificao
eltrica para os materiais.
A tabela, a seguir, lista valores de
condutividade para uma grande variedade de
materiais da engenharia. Fica aparente que a
magnitude da condutividade produz categorias
distintas de materiais. Discutiremos esse sistema
de classificao eltrica a fim de entender por
que a condutividade varia em mais de 20 ordens
de grandeza entre materiais de engenharia
comuns.
EXERCCIOS
1. Uma amostra de fio (1 mm de dimetro por 1 m de comprimento) de
uma liga de alumnio (contendo 1,2 % Mn) colocado num circuito
como mostrado na figura esquemtica de um circuito para medir
condutividade eltrica. Uma queda de tenso de 432 mV medida entre
as extremidades do fio quando este percorrido por uma corrente de 10
A. Calcule a condutividade dessa liga.
2. Supondo que a condutividade para o cobre na tabela apresentada no
slide anterior seja inteiramente devida aos eltrons livres [com uma
mobilidade de 3,5E-3 m2/(V.s)], calcule a densidade de eltrons livres
no cobre a temperatura ambiente.
3. Compare a densidade de eltrons livres no cobre do exerccio anterior
com a densidade de tomos. Considere a densidade do Cu igual a 8,93
g/cm3 com uma massa atmica de 63,55 uma.
4. Calcule a velocidade de arraste dos eltrons livres no cobre para uma
intensidade de campo eltrico de 0,5 V/m.
PRXIMAS AULAS:
Nveis de energia e bandas de energia;

Condutores;

Termopares;

Supercondutores;

Isolantes;

Semicondutores;

Compsitos;

Classificao dos materiais.


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