Dispositivos de Potencia

Universidad de Oviedo
Leccin 2
Seleccin de dispositivos
electrnicos de potencia
Diseo de Sistemas Electrnicos de

Potencia
4 Curso. Grado en Ingeniera en Tecnologas
y Servicios de Telecomunicacin
Dispositivos a estudiar
El Diodo de potencia
El MOSFET de potencia
El Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)
El Rectificador Controlado de Silicio (SCR)

Nuevos
para
El Tiristor Apagado por Puerta (GTO)
vosotros
El Triodo de Corriente Alterna (TRIAC)

Encapsulados de diodos

Axiales
DIODOS DE POTENCIA
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA
Para grandes potencias
DO 5
DIODOS DE POTENCIA
B 44
Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA
2 diodos en ctodo comn 2 diodos en serie

Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA
Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA
Nombre del dispositivo

Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados
para el mismo dispositivo
Nombre del Encapsulados

dispositivo
DIODOS DE POTENCIA
Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)
DIODOS DE POTENCIA
Dual in line
Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)
DIODOS DE POTENCIA
Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor
DIODOS DE POTENCIA
Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos
Dan origen a mdulos de potencia
- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parsitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA
Electrnica militar
Control de Motores
Circuito equivalente esttico
Curva caracterstica
i real
Curva
caracterstica ideal Curva caracterstica
asinttica.
Pendiente = 1/rd
V
DIODOS DE POTENCIA
0
V
ideal
Circuito equivalente asinttico
rd
Modelo asinttico V
Caractersticas fundamentales de cualquier diodo
1 -Mxima tensin inversa soportada

2 -Mxima corriente directa conducida
3 -Cada de tensin en conduccin
4 -Corriente inversa en bloqueo
5 -Velocidad de conmutacin
1 Mxima tensin inversa soportada

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin inversamente
DIODOS DE POTENCIA
polarizada
Baja tensin Media tensin Alta tensin
15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 800 V
200 V
clasificacin
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
1 Mxima tensin inversa soportada
El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensin inversa mxima de pico repetitivo VRRM
- Tensin inversa mxima de pico no repetitivo VRSM

DIODOS DE POTENCIA
La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
2 Mxima corriente directa conducida
El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente eficaz mxima IF(RMS)
- Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM

DIODOS DE POTENCIA
Depende de la cpsula
3 Cada de tensin en conduccin
La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la

corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente
ideal
rd
V
i
DIODOS DE POTENCIA
ID
5A
V
VD
La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin

soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA
Se obtiene directamente de las curvas tensin corriente
IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V
1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA
IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V
En escala lineal no son muy tiles

Frecuentemente se representan en
escala logartmica
2,2V @ 25A
Curva caracterstica en escala logartmica
IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA
0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
Los Schottky tienen mejor

comportamiento en
conduccin para VRRM < 200
(en silicio)
DIODOS DE POTENCIA
0,5V @ 10A
Schottky de VRRM relativamente

alta
DIODOS DE POTENCIA
0,69V @ 10A
La cada de tensin en conduccin no slo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN
Schottky
Schottky
DIODOS DE POTENCIA
Similares valores
de VRRM y similares
cadas de tensin
en conduccin
PN
4 Corriente de inversa en bloqueo
Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco)

y de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
DIODOS DE POTENCIA

4 Corriente de inversa en bloqueo Crece con IF(AV)
Crece con Tj
Dos ejemplos de diodos
Schottky Decrece con VRRM

DIODOS DE POTENCIA
5 Velocidad de conmutacin
Comportamiento ideal de un diodo en conmutacin
R
i
a b
Transicin de a a b,
+ es decir, de conduccin
V2 V a bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA
V1/R
t
V t
-V2
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo

(apagado)
R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
- ts
DIODOS DE POTENCIA
-V2/R tf (i= -0,1V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de cada (fall time ) t
trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time ) -V2
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
Transicin de b a a, es decir, de bloqueo conduccin
(encendido)
R i
i 0,9V1/R
a b +
V2 V
0,1V1/R
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA
tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )
El tiempo de recuperacin directa genera menos

problemas reales que el de recuperacin inversa
Informacin suministrada
por los fabricantes
Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento
inductivo
DIODOS DE POTENCIA

5 Velocidad de conmutacin Ms informacin suministrada por
los fabricantes
STTA506D
DIODOS DE POTENCIA
La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a

clasificar los diodos
VRRM IF trr
Standard 100 V - 600 V 1 A 50 A > 1 s

Fast 100 V - 1000 V 1 A 50 A 100 ns 500 ns
Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A 50 A 20 ns 100 ns
Schottky 15 V - 150 V (Si) 1 A 150 A < 2 ns
300 V 1200 V (SiC) < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA
1 A 20 A
Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto,

tambin de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)
www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
Prdidas en diodos
Son de dos tipos:
- Estticas en conduccin (en bloqueo son despreciables)
- Dinmicas
Prdidas estticas en un diodo

Forma de onda frecuente
iD
iD
ideal
DIODOS DE POTENCIA
rd Potencia instantnea perdida en conduccin:

pDcond (t) = vD (t)iD (t) = (V + rd iD(t)) iD(t)
V
Potencia media en un periodo:
T
1
PDcond
T
p Dcond (t )dt PDcond = VIM + rd Ief2
0
IM : Valor medio de
iD(t)
Prdidas dinmicas (prdidas de conmutacin) en un diodo
Las conmutaciones no son perfectas
Hay instantes en los que conviven tensin y corriente
La mayor parte de las prdidas se producen en la salida de conduccin
10 A iD
tf
t
DIODOS DE POTENCIA
3A
Potencia instantnea perdida
0,8 V VD en la salida de conduccin:
t pDsc (t) = vD (t)iD (t)
Potencia media en un periodo:

trr
1
PD
T
p Dsc ( t )dt
-200 V 0
Informacin de los fabricantes sobre prdidas
Estticas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

Dinmicas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)
Dinmicas
DIODOS DE POTENCIA
(de las hojas de caractersticas

(Datasheet) del diodo STTA506)
Caractersticas Trmicas
Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado
El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150C
Magnitudes trmicas:
- Resistencias trmicas, RTH en C/W
- Increm. de temperaturas, T en C
- Potencia perdida, P en W
Si Ley de Ohm trmica: T=PRTH

RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA
P Magnitudes elctricas:
(W) a - Resistencias elctricas, R en
j Ambiente
- Difer. de tensiones, V en voltios
Unin
(oblea) - Corriente, I en A
c RTH R
Encapsulado Equivalente
elctrico
T
V
RTH R
Equivalente
elctrico
T
V
PI
TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P
j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA
Unin
0K
c
Encapsulado
Por tanto: T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca)

Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = PRTHca
La resistencia trmica unin-cpsula es baja ( 0,5-5 C/W)
La resistencia trmica cpsula-ambiente es alta ( 30-100 C/W)
Cpsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

DIODOS DE POTENCIA
RTHca [C/W] 30 105 45 60 40
Para reducir la temperatura de la unin hay que disminuir la

resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente.
Para ello se coloca un radiador en la cpsula.
RTHrad
j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si RTHjc RTHca
P 0 K
(W) a
j Ambiente
DIODOS DE POTENCIA
Unin
c
Encapsulado
Por tanto: Tj-Ta = P[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = P(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin de seal
Zonas de trabajo de un MOSFET de seal
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5K 4
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
+
EL MOSFET DE POTENCIA
VGS VGS = 2,5V

- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo
Comportamiento como fuente de corriente

(sin inters en electrnica de potencia)
Comportamiento como circuito abierto

Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin de seal
Precauciones en el uso de transistores MOSFET

- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los
dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin
- Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
Estructura de los MOSFETs de Potencia
Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente
Algunas celdas posibles (dispositivos verticales):
Fuente Fuente Puerta

Puerta
n+ n+ n+ p
p n-
n-
n+ S
n+ G
Drenador
Drenador Estructura en
trinchera D
Estructura planar
(D MOS) (V MOS)
Encapsulados de MOSFETs de Potencia
En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los

encapsulados axiales)
Existe gran variedad de encapsulados
Ejemplos: MOSFET de 60V
RDS(on)=9,4m, ID=12A
RDS(on)=12m, ID=57A
RDS(on)=5,5m, ID=86A RDS(on)=9m, ID=93A

RDS(on)=1.5m, ID=240A
Encapsulados de MOSFETs de Potencia
Otros ejemplos de MOSFET de 60V

RDS(on)=3.4m, ID=90A
Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia
1 -Mxima tensin drenador-fuente Fuen Puerta

te
2 -Mxima corriente de drenador N Diodo
P Fuente
3 -Resistencia en conduccin +
N- Drenado
r
4 -Tensiones umbral y mximas de puerta N
5 -Proceso de conmutacin +
Drenador
MOSFET con puerta en
1 Mxima tensin drenador-fuente trinchera
Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a
la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea
circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
1 Mxima tensin drenador-fuente
La mxima tensin drenador-fuente de representa como

VDSS o como V(BR)DSS
Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia
Baja tensin Media tensin Alta tensin

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificacin 55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V (SiC)
80 V
2 Mxima corriente de drenador
El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua mxima ID
- Corriente mxima pulsada IDM

La corriente continua mxima ID depende de

la temperatura de la cpsula (mounting base
aqu)
A 100C, ID=230,7=16,1A
3 Resistencia en conduccin
Es uno de los parmetro ms importante en un

MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo
Se representa por las letras RDS(on)
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura
Para un dispositivo particular, decrece con la tensin
de puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.
Drain-source On Resistance, RDS(on) (Ohms)

Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,

RDS(on) crece con el valor de VDSS
En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los

valores de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000
V)
MOSFET de
1984
MOSFET de los aos 2000

4 Tensiones umbral y mximas de puerta
La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conduccin entre drenador y fuente
Los fabricantes definen la tensin umbral VGS(TO) como la tensin
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
La tensin umbral cambia con la temperatura

La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es
tpicamente de 20V
5 Proceso de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos
usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En
ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al
aumento de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son
difciles de eliminar para que el dispositivo deje de conducir
La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades
parsitas del dispositivo

Hay, esencialmente tres:
- Cgs, capacidad de lineal
D
- Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2 Cdg
- Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante
G Cds
S
Cgs
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de
tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con
ellas:
- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada)
- Crss = Cdg (capacidad Miller)
- Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)

Coss
Ciss
Ejemplo de informacin de los fabricantes
Ciss = Cgs + Cgd

Crss = Cdg
Coss = Cds + Cdg
La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan

prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin
de los MOSFET de potencia
Carga y descarga de un condensador desde una resistencia
En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
V1 R - Energa almacenada en C = 0,5CV12
C
En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
Energa total perdida: CV12 = V1QCV1
Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las

variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia
entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en las fuentes de
corriente dependientes que caracterizan la operacin esttica del
MOSFET
Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:

- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento
- Suponiendo diodo ideal
IL
Cdg
Cds V2
V1 R
Cgs
Situacin de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin
- Por tanto: vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0
iDT = 0 y iD = IL
- En esa situacin, el
interruptor pasa de B a A
IL
iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
-
A - vDS V2
V1 R + Cds -
B
vGS Cgs
-
iDT = 0 hasta que vGS = VGS(TO)
vGS vDS = V2 hasta que iDT = IL

BA
VGS(TO)
Pendiente determinada
vDS por R, Cgs y por Cdg(V2)
IL
iDT IL iD
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
La corriente que da V1 a travs de R
se emplea fundamentalmente en
vGS
descargar Cdg prcticamente no
BA
circula corriente porCgs vGS = Cte
VGS(TO)
vDS
IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg + +
- +
A - - vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
Cgs y Cdg se continan cargando
vGS V1
BA
Constante de tiempo determinada
VGS(TO) por R, Cgs y por Cdg (medida a V1)
vDS
IL
iDT IL
vDG
+ iDT
Cdg +
- -
A +
vDS V2
V1 R + + Cds -
B
vGS -
Cgs
-
5 Proceso de conmutacin Valoracin de prdidas de entrada en
conduccin (caso de conmutaciones sin
recuperacin de energa)
vGS V1
BA Valoracin de prdidas entre t0 y
VM
VGS(TO) t2 :
vDS - Hay que cargar Cgs (grande) y

descargar Cdg (pequea) VM voltios
(energa perdida en el circuito de mando)
- Hay convivencia tensin corriente
entre t1 y t2 (energa perdida en la fuente

iDT IL iDT MOSFET)
de corriente dependiente del
iDT
t0 t1 t2 t3 Cdg + + +
PVI - - vDS V2
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
5 Proceso de conmutacin Valoracin de prdidas entre t2 y
t3 :
vGS V1 - Hay que descargar Cds hasta 0
BA
VM (energa perdida en el transistor) e
VGS(TO) invertir la carga de Cdg desde V2-VM hasta
-VM (energa perdida transistor y en el
vDS
circuito de mando)
- Hay convivencia tensin corriente
entre t2 y t3 (energa suministrada
externamente al transistor y perdida)

iDT IL iCdg+i
iCdg iDT = IL
Cds+I
L iCds
t0 t 1 t2 t 3 Cdg + + +
PVI - IL
- vDS
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
Valoracin de prdidas a partir de
vGS V1 t3 :
BA
VM - Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg
VGS(TO)
hasta V1
vDS - No hay convivencia tensin
corriente salvo la propia de las
prdidas de conduccin
iDT iCdg iDT = IL

IL
iL
Cdg -
+
t0 t1 t2 t3
+ IL
PVI vDS
+ + Cgs Cds -
vGS -
-
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la

carga de puerta: vGS
- La corriente que da la fuente V1 es aproximadamente
constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial, con
IV1 V1/R)
- De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado
esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una
iV1 Qdg
carga elctrica Qgs
Qgs
- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la
carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg

t0 t2 t 3
- Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg
es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg) Qg
- Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R),
cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg ms rpido ser el iV1 R
transistor
- Obviamente t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 y PV1 = V1QgfS,
V1
siendo fS la frecuencia de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:
Informacin de los fabricantes
IRF 540
BUZ80 MOSFET de 1984

MOSFET de los aos 2000

Otro tipo de informacin suministrada por los fabricantes:

conmutacin con carga resistiva (no es importante para nosotros)
VDS VGS
90%
10%
td on tr td off tf iDT
RD
td on: retraso de encendido
D
+
tr: tiempo de subida RG vDS
G
td off: retraso de apagado + + S -
tf: tiempo de bajada vGS
-
Otro tipo de informacin suministrada por los fabricantes:

conmutacin con carga resistiva (no es importante para nosotros)
IRF 540
iDT
RD
td on: retraso de encendido
D
+
tr: tiempo de subida RG vDS
G
td off: retraso de apagado + + S -
tf: tiempo de bajada vGS
-
Prdidas en un MOSFET de potencia
Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente
vGS
vDS Pcond = RDS(on)iDT(rms)2

Pconm = fS(w on + w off)
iDT
PVI Prdidas en conmutacin
Prdidas en Won
conduccin Woff
Prdidas en un MOSFET de potencia
Prdidas en la fuente de gobierno

iV1
vGS V1 R
Circuito terico
iV1 Qdg
Qgs
iV1
t0 t2 t 3 V1
Qg
RB
PV1 = V1QgfS
Circuito real
El diodo parsito de los MOSFETs de potencia
El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre

todo en MOSFETs de alta tensin
IRF 540
G
S
El diodo parsito de los MOSFETs de potencia
El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin

Caractersticas trmicas de los MOSFETs de potencia
Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia
Este fabricante denomina mounting base a la

cpsula y suministra informacin de la RTHja = RTHjc +
RTHca
Principio de operacin y estructura
El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) se basa en una

estructura que permite:
Modulacin de la conductividad (lo que implica bajas
prdidas en conduccin)
Antisaturacin del transistor bipolar interno (no tan
lento como si se saturara completamente)
Control desde una puerta MOS (como un MOSFET).
R R
P P
N N
D
P
P V2
EL IGBT
S1 V2
G
S
Colector
(Collector) Colector
P E (C)
N
D B Puerta
P
C (G)
G Emisor (E)
S
Puerta
(Gate) Smbolo de un IGBT de canal N
Emisor
(Emitter)
Circuito
equivalente
simplificado de un
IGBT
EL IGBT
Otro smbolo usado

Concepto de nivel de inyeccin en una unin PN

Bajo nivel de inyeccin :
nN3(0+) >> pNV(0+)
Portadores/cm
1016
1014 pP nN
1012
1010 P+ N-
108
nPV pNV
10 6
104
- -0.2 - 0- 0. 0. 0.3
0. Longitud
0.1 0 [mm]
+
1 2
3
Bajo nivel de inyeccin es lo que siempre hemos
EL IGBT
considerado hasta ahora en otros casos de

uniones PN y P+N-
En el caso de uniones P+N- esto es vlido para
Concepto de nivel de inyeccin en una unin PN
Alto nivel de inyeccin:

nN(0+) pNV(0+)
Portadores/cm3
pP nN
P+
N-
nPV
No es posible! pNV
- -0.2 - 0- 0. 0. 0.3
0. Longitud
0.1 0+ [mm]
1 2
3
EL IGBT
Si la tensin de polarizacin directa es

suficientemente intensa, pNV(0+) se
aproxima a nN(0+). En este caso, nN no
permanece constante, sino que se
Modulacin de la Conductividad
P+ N- N+
NA = 1019ND1 = 1014ND2 = 1019
nN- pN-
Huecos 1016
Electrones
inyectados
1014 inyectados
desde la zona
desde la zona
P+ n
P+ N+
pN+
106
10 10
EL IGBT
Hay inyeccin de portadores desde las regiones

adyacentes muy dopadas (doble inyeccin) , lo
que disminuye la resistividad de la regin poco
dopada cuando est en conduccin. Este
Transistores bipolares (BJTs) de potencia
Se utilizaban antes del desarrollo

de los MOSFET de potencia. Hoy Corrien
se utilizan poco (como te de
interruptores principales) Base
Son mucho ms lentos que los
Si B E
O2
MOSFETs (como unas 10 veces N P-
ms lentos) N-
+
Adems, hay que inyectar una

corriente bastante apreciable por N+
la base (slo 5-20 veces menor
que la corriente de colector)
Sin embargo, tienen modulacin
C
de la conductividad, lo que Corriente de colecto
EL IGBT
implica que se pueden hacer

dispositivos que soporten mucha
tensin (zona N- poco dopada) y
que tengan baja resistencia en
Comparacin entre BJTs y MOSFETs de potencia
Conmutac Control Modulacin Prdidas en

in de la conduccin en
Conductivid dispositivos de alta
ad tensin
BJTs Lenta Difcil S Bajas
MOSF Rpida Fcil No Altas
ETs
Se puede conseguir un dispositivo
con las ventajas de ambos?
La respuesta es el IGBT, que presenta
muy buenas caractersticas en
EL IGBT
aplicaciones de mayor potencia que las

de uso de los MOSFET (sacrificando
frecuencia de conmutacin)
Estructura interna de un IGBT

(modelo muy simple)
Emisor Emisor (E)
Puer
ta Puerta
(G)
Emisor Puerta
Colector
Colector
(C)
N+ N+
N- P
N+
EL IGBT
P
+
Colector
Estructura interna de un IGBT

(modelo un poco ms elaborado)
Puerta Emisor
Emisor Puer
ta
N+ N+
P
Rdrift N -
Rdrift
N +
P
+
Colector
EL IGBT
Colector
El IGBT bloqueando (soportando) tensin
Zona de Emisor
transici
Puer
n ta
Puerta
Emisor V2
N+ N+ V2
Rdrift
P
N -
R
N +
R
P
+ Colector
EL IGBT
Colector
El IGBT conduciendo corriente

Modulacin
de la
Conductivida
Efecto
d Emisor
V1
transist
or Puer
V1 Puerta ta
Emisor V2
N+ N+ V2
Rdrift
P
Rdrift N -
R
N +
R
P
+
EL IGBT
Colector
Colector
Modelo completo de la estructura interna de un IGBT
Emisor Emisor
Puer
ta Puer
N ta
Rbody
+
Rbody
P
Rdrift
N
- Rdrift
N
+
P
+ Colector
Colect
EL IGBT
or
Hay un tiristor parsito que creaba problemas
en los primeros IGBTs. El problema est hoy
solucionado, cortocircuitando R
Modelo completo de la estructura interna de un IGBT

actual (solucionado el problema del tiristor parsito
interno)
Corriente que dispara Para evitar el disparo
el tiristor parsito de tiristor parsito
Emiso Emiso
r r
Puer Puert
ta a
N N
+ Canal +
Rbody P P P
Tiristor +
Canal
N- parsito N -
N N
+ +
P P
EL IGBT
+ +
Colect Colect
or or
Corriente por el BJT Corriente por el BJT
El IGBT no puede conducir corriente

inversa con tensin cero en puerta, como s
ocurra en los MOSFETs
C
C
P
P
D N
N
Diodo P
G G P
parsito G
S Diodo
E
E extern
o
Corriente inversa
Corriente inversa Corriente inversa
El IGBT por tanto puede soportar tensin inversa
Los IGBTs simtricos se disean para este fin. Sin
EL IGBT
embargo, la cada de tensin directa es mayor en

ellos.
Para conducir corriente inversa hay que colocar un
Estructuras asimtrica y simtrica
Emiso
Emiso
r
Puer r
Puer
ta
ta
N N
+
P P +
P
P
+
N- +
N-
N
+
P P
+
Colect +
Colect
or
or
IGBT asimtrico IGBT simtrico
EL IGBT
(tambin llamado (tambin llamado

punch-through IGBT) non-punch-through IGBT)
Curvas caractersticas de salida de los IGBTs
C
vEB_BJT+
iD [A] - iC [A]
6 vGS = 10V 6 vGE = 10V
vGS = 8V G vGE = 8V
vGS = 6V E vGE = 6V
4 4
vGS = 5V vGE = 5V
2 2
vGS = 4V vGE = 4V
vGS < VGS(TO) = 3V vGE < VGE(th) = 3V
0 0
2 4 vDS [V] 2 4 vCE [V]
vEB_BJT
Caso de un MOSFET.
Tambin es as en la Caso de un IGBT.
EL IGBT
parte MOSFET del Se obtienen sumando

IGBT vEB_BJT a las curvas
caractersticas de un
EL IGBT Caractersticas generales de un IGBT
Caractersticas generales de un IGBT
Informacin general del IRG4PC50W.

EL IGBT
EL IGBT Caractersticas estticas de un IGBT
Caractersticas estticas de un IGBT
IC_max @ T = 50 oC: 55 A
IC_max @ T = 75 oC: 48 A
EL IGBT
Asymmetrical IGBT
EL IGBT
Curva caracterstica esttica para una tensin v GE dada
iC [A]
6 vGE = 15V
0
2 4 vCE [V]
vEB_BJT
EL IGBT
vEB_BJT
1V
Comportamien
to trmico
como un
MOSFET
Comportamien
to trmico
como un BJT
EL IGBT
Caractersticas dinmicas de los IGBTs
Apagado con carga inductiva y diodo ideal

vGE
C
vGE(th)
G
iC
E
Apagado de
la parte
MOSFET
Apagado
de la IL
parte
Cola del
BJTIGBT
RG iC V
vCE A C
D
+C
EL IGBT
V G
B + vC
G
V vGE E
-
- E
Comparacin de IGBTs y MOSFETs en el apagado
vGE
C
vGE(th) D
G
G
S
vGS
iC E vDS(TO)
Parte MOSFET iD
Parte BJT
Cola
vCE Periodo con
vDS
EL IGBT
prdidas de
apagado
Prdidas de
conmutacin
Encendido con carga inductiva y diodo ideal
vGE C
vGE(th)
iC E
Periodo con
prdidas de
encendido
IL
RG iC V
vCE Encendido A C
D
+C
EL IGBT
de la parte V G
MOSFET B + vC
Parte BJT G
V vGE E
-
- E
Caractersticas dinmicas de un IGBT
Conmutaciones reales del IGBT IRG4PC50W

teniendo en cuenta el comportamiento real del
diodo y las inductancias parsitas
EL IGBT
EL IGBT Caractersticas dinmicas de un IGBT
Caractersticas dinmicas de un IGBT
Capacidades parsitas y
carga de puerta
EL IGBT
Prdidas en un IGBT
Las de conduccin se calculan

desde las curvas
caractersticas estticas:
Las de conmutacin a
partir de curvas
especficas de los
fabricantes:
EL IGBT
Introduccin a los Tiristores
Los tiristores fueron, durante muchos aos, los

dispositivos que dominaban la electrnica de
potencia
Son dispositivos bipolares de ms de dos uniones
Por ser bipolares, son lentos, pero capaces de
manejar grandes corrientes y tensiones
(modulacin de la conductividad)
Los ms importantes son:
- El Rectificador Controlado de Silicio (Silicon
Controlled Rectifier, SCR), al que se le aplica
muchas veces el nombre de Tiristor
Los Tiristores
- El GTO (Gate Turn-Off thyristor) o Tiristor

apagado por puerta
- El TRIAC (Triode AC ) o Triodo para Corriente
Alterna
La estructura de 3 uniones (4 capas)
La base de los tiristores es la estructura PNPN
P P
E2
N N N
B2
P P P C1
C2
N N B1
E1
Los Tiristores
Se trata de una estructura realimentada que admite dos

estados estables (es como un biestable)
Ahora inyectamos corriente
en la unin B1-E1 desde una
Polarizac fuente externa Vg
in
+
E directa
-
R
2
C2 B2
+ +
Pol.
E2 - R
inversa -B 1
C1
VCC C2 B2
+
+ E1 ig
Polarizac -
Rg
-B 1
C1
in + E1 VCC
directa Vg
iB1
-
La estructura de 4 capas
Los Tiristores
puede soportar tensin

sin conducir corriente, ya Ahora circula iB1 = ig
que una unin queda por la unin B1-E1
polarizada inversamente
iB1 genera iC1 = 1iB1

iB2 Pero iC1 = iB2; por tanto:
2
R
iC2 = 2iB2 = 2 1iB1
iC1
ig iC2 - La corriente iB1 ser ahora:
+ 1 VCC iB1 = ig + iC2 = ig + 2 1iB1
Rg iB1
Vg Es decir, iB1 2 1iB1 >>
iB1 iB1
Conclusiones:
Los Tiristores
- La corriente de base crece hasta saturar a los dos transistores

- Como consecuencia, el dispositivo se comporta como un
cortocircuito
- La corriente ig puede eliminarse y la situacin no cambia
Por tanto, el mismo circuito puede estar en dos estados,

dependiendo de la historia anterior:
- Con la estructura de 4 - Con la estructura de 4

capas sin conducir capas conduciendo
iCC =0 A iCC VCC/R
+
+ 0V + + 0,7 V
-
R
-
R
VCC VCC
+ 0,5 V -
- +
Los Tiristores
VCC 0,9 V
+
VCC
0V
+
- - 0,7 V
-
-
Cmo se puede conseguir que la estructura de 4 capas

conduzca? (I)
- Aumentando mucho VCC: las
- Inyectando corriente en B1
corrientes inversas de las uniones
(ya explicado) base-colector alcanzan valores
suficientes para la saturacin
i V /R mutua de los transistores
CC CC
iCC VCC/R
+ 0,9 V
R + 0,9 V
R
iC1
iC2
Los Tiristores
VCC
Rg B1 VCC
Esto slo ocurre cuando
Vg - las son suficientemente
grandes, lo que se alcanza -
cuando las corrientes
inversas tambin lo son
Cmo se puede conseguir que la estructura de 4 capas

conduzca? (II)
- Sometiendo a la estructura a una - Haciendo incidir radiacin
fuerte derivada de tensin: la (luz) en la zona B1
corriente de carga de la capacidad
parsita colector base pone en
conduccin la estructura
iCC VCC/R
iCC VCC/R
+ 0,9 V
+ 0,9 V iB2 R
iB2 R
+ iC2
iC1 iB1
Los Tiristores
iC2
VCC
VCC B1
iB1
Luz -
-
El SCR
Es el tiristor por antonomasia
Su smbolo es como el de un diodo con un
terminal ms (la puerta)
Se enciende (dispara) por puerta
No se puede apagar por puerta
Estructura interna
nodo
A
(A) iA
+ P
VAK
N-
Los Tiristores
- P-
Ctodo N
(K)
Puerta K G
(G)
El SCR
Curva caracterstica sin corriente de
puerta
Polarizacin directa cuando
iA [A] est ya disparado (como un
diodo en polarizacin directa)
Disparo por
sobretensin
nodo-ctodo
-600 V VAK [V]

0 600 V
Polarizacin directa a
Los Tiristores
tensin menor de la
Polarizacin inversa disparo por sobretensin
(como un diodo) nodo-ctodo (como un
diodo en polarizacin
inversa)
El SCR
Curva caracterstica con corriente de
puerta

iA [A] est ya disparado (como un
Disparo por
Disparo sobretensin
por puerta nodo-ctodo
ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VAK [V]
Los Tiristores
0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4

El SCR
Disparo por puerta:
- Es el modo de disparo deseado
Lmite de disipacin
iA de potencia
+ A VGK Unin
fra
VAK Vg
K G ig
-
+ Unin caliente
Rg Vg/Rg ig
VGK 0
Vg Zona de disparo
- imposible
Los Tiristores
- Para que se mantenga disparado, la corriente nodo-ctodo

tiene que ser mayor que el valor llamado latching current
En disparo se realiza con poca potencia

(bajos niveles de corriente y tensin)
El SCR
Apagado del SCR :

- No se puede hacer por puerta
- Para apagarse, el valor de su corriente nodo-ctodo tiene
que bajar por debajo de un valor llamado corriente de
mantenimiento (holding current)
- Aunque en el pasado los SCRs se usaban en todo tipo de
convertidores, su dificultad para apagarlos los ha relegado
a conversiones con entrada en alterna y a aplicaciones de
altsima potencia
- En aplicaciones de entrada en continua, se usaban
Los Tiristores
circuitos auxiliares para conseguir el apagado (con

bobinas, condensadores y SRCs auxiliares)
Caractersticas de un
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
Los Tiristores
ejemplo de SCR
Los Tiristores
El GTO
nodo Es un SCR que se puede apagar por puerta

(A)
La corriente de encendido es similar a la de
un SCR
Se apaga por corriente saliente en puerta,
que llega a ser tan grande como un tercio de
Puerta la de nodo-ctodo
(G)
Su capacidad de soportar tensin directa
Ctodo cuando no est disparado es alta
(K)
Su capacidad de soportar tensin inversa es
Smbolo muy limitada (unos 30 V)
Es un dispositivo lento, pensado para
Los Tiristores
aplicaciones de muy alta potencia

La estructura interna es muy compleja
Los Tiristores El GTO
Estructura interna de un GTO (obtenida del texto "Power Electronics:

Converters, Applications and Design de N. Mohan, T. M. Undeland y W.
P. Robbins. Editorial John Wiley and Sons.)
El TRIAC Es el equivalente a dos SCRs
conectados en antiparalelo
No se puede apagar por puerta
Terminal 2 T2
(T2) T2
N
P
N-
P-
N N
Puerta
Los Tiristores
Terminal 1 (G) G
(T1) G
T1 T1
Smbolo
Equivalente Estructura
interna
El TRIAC
Curva caracterstica sin corriente de
puerta
iT2 [A] est ya disparado (como un
Disparo por
sobretensin
T2-T1
-600 V VT2T1 [V]

0 600 V
Polarizacin directa a
Los Tiristores
tensin menor de la
Polarizacin inversa: se disparo por sobretensin
comporta como en T2-T1
polarizacin directa
El TRIAC
Curva caracterstica con corriente de
puerta
iT2 [A]
Disparo por
Disparo sobretensin
por puerta T2-T1
ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VT2T1 [V]
ig = 0 ig1 ig2 ig3 ig4
Disparo por Facilidad

Hay 4 modos posibles:
sobretensin
Los Tiristores
T2-T1 - Modo I+: VT2T1 > 0 y iG > 0 1
Las corrientes de - Modo I-: VT2T1 > 0 y iG < 0 3

puerta pueden ser
- Modo III+: VT2T1 < 0 y iG > 0 4
positivas o
negativas - Modo III-: VT2T1 < 0 y iG < 0 2
Desaconsejado
El DIAC
No es un componente de potencia, sino que es un
componente auxiliar para el disparo de TRIACs
Slo tiene dos terminales y es simtrico
A2
iA2 A2
iA2 [A]
+
P N
VA2A1
A1 - -30 V VA2A1 [V] N

0 30 V
Smbolo P
N
A1
Los Tiristores
Estructura
Curva caracterstica interna
Cpsula
DO-35
Ejemplo de DIAC

Dispositivos de Potencia

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Dispositivos de Potencia

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Universidad de Oviedo

Diseo de Sistemas Electrnicos de

El Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)

El Rectificador Controlado de Silicio (SCR)

El Triodo de Corriente Alterna (TRIAC)

Para usar radiadores

Para grandes potencias

2 diodos en ctodo comn 2 diodos en serie

Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

Nombre del dispositivo

Nombre del Encapsulados

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

1 -Mxima tensin inversa soportada

1 Mxima tensin inversa soportada

El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensin inversa mxima de pico no repetitivo VRSM

La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser

El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM

- Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM

La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la

La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin

En escala lineal no son muy tiles

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

Los Schottky tienen mejor

Schottky de VRRM relativamente

La cada de tensin en conduccin no slo va creciendo al

Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco)

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

Comportamiento ideal de un diodo en conmutacin

Comportamiento real de un diodo en conmutacin

Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo

-V2/R tf (i= -0,1V2/R)

El tiempo de recuperacin directa genera menos

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a

Standard 100 V - 600 V 1 A 50 A > 1 s

Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto,

Prdidas estticas en un diodo

rd Potencia instantnea perdida en conduccin:

t pDsc (t) = vD (t)iD (t)

Potencia media en un periodo:

(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

(de las hojas de caractersticas

(de las hojas de caractersticas

Si Ley de Ohm trmica: T=PRTH

Por tanto: T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca)

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cpsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

RTHca [C/W] 30 105 45 60 40

Para reducir la temperatura de la unin hay que disminuir la

Por tanto: Tj-Ta = P[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = P(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

VGS VGS = 2,5V

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

Precauciones en el uso de transistores MOSFET

Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son

Fuente Fuente Puerta

En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los

RDS(on)=5,5m, ID=86A RDS(on)=9m, ID=93A