MOSFET

Struktur dan operasi fisik dari MOSFET jenis enhancement

Gambar 1. Struktrur fisik transistor NMOS jenis enhancement 1

 Cara kerja tanpa tegangan gate
Tanpa tegangan gate akan ada 2 dioda yang diserikan secara back-to-
back antara source dan drain. Kedua dioda ini akan mencegah adanya
arus dari drain ke source jika vDS dipasang. Resistansi pada jalur antara
drain dan source sangat tinggi (pada orde 1012 ).

Membuat kanal untuk aliran arus.

Gambar 2. Transistor NMOS jenis enhancement dengan tegangan positif

pada gate
2
 Pemasangan tegangan vDS yang kecil.

Gambar 3. Transistor NMOS dengan vGS > Vt dengan tegangan vDS terpasang

Konduktansi kanal sebanding dengan vGS vt

Arus iD sebanding dengan vGS vt.

3
 Gambar 4. Karakteristik iD vDS dari MOSFET

MOSFET bekerja seperti resistansi linier yang dikendalikan oleh vGS.

Untuk vGS Vt, resistansinya tidak terhingga, dan harganya menurun jika
vGS melebihi Vt.
Jadi, agar MOSFET terkonduksi harus ada kanal induksi. Dengan
bertambahnya vGS melebihi Vt meningkatkan kemampuan kanal, oleh
karena itu MOSFET jenis ini disebut MOSFET enchancement-type.
Arus yang meninggalkan source (is) sama dengan arus yang memasuki
drain (iD), jadi arus gate iG = 0 4
 Operasi bila vDS dinaikkan.

Gambar 5. Cara kerja transistor NMOS jenis enhancement dengan

meningkatnya vDS

5
Gambar 6. Hubungan iD dengan vDS pada transistor NMOS jenis
enhancement yang beroperasi dengan vGS > Vt

vDSsat = vGS - Vt

6
Gambar 7. Kenaikan vDS penyebabkan kanal menyempit

7
Perhatikan gambar dan sebuah strip pada gate yang berjarak x dari source.
Kapasitansi strip ini: CoxWdx. Untuk mendapatkan muatan pada strip ini,
kalikan kapasitansinya dengan tegangan efektif antara gate dan kanal pada
titik x yaitu: [vGS v(x) Vt]; v(x) adalah tegangan pada kanal di titik x.

dq = - Cox (W dx)[v\GS v(x) Vt]

Tegangan vDS menghasilkan medan listrik sepanjang kanal. Medan listrik

pada titik x:
dv ( x )
E ( x)
dx
Medan listrik E(x) menyebabkan muatan elektron dq bergerak ke arah
drain dengan kecepatan:
dx dv ( x )
n E ( x) n
dt dx
dq
i
dt
dq dx

dx dt
i n CoxW vGS v ( x ) Vt
dv ( x )
dx 8
Hubungan iD - vDS

Gambar 8. Penurunan karakterisitk iD vDS pada transistor NMOS

ox
Cox
t ox
9
Walaupun dievaluasi pada titik tertentu, arus i harus konstan pada
semua titik di sepanjang kanal. i harus sama dengan arus dari source
ke drain dan berlawan arah dengan arus dari drain ke source (iD)

iD i n CoxW vGS v ( x ) Vt
dv ( x )
dx
iD dx n CoxW vGS v ( x ) Vt dv ( x )
L v DS

i D dx n CoxW vGS v ( x ) Vt dv ( x )
0 0

W
iD n Cox
L

vGS Vt v DS 1
2 v DS
2

Harga arus pada ujung daerah trioda atau permulaan daerah jenuh dapat
diperoleh dengan menggantikan vDS=vGS Vt

iD 1
2
n Cox

W
vGS Vt 2
L

nCox disebut parameter transkonduktansi proses. Dituliskan sebagai kn

dan mempunyai dimensi A/V2
kn = nCox
10
iD k n'
W

L
vGS Vt vDS 1
2
2
v DS (daerah tr ioda)

iD 1
2 k n'
W
vGS Vt 2 (daerah jenuh)
L

Jadi arus drain sebanding dengan perbandingan lebar kanal dan panjang
kanal, yang disebut aspect ratio dari MOSFET

MOSFET kanal-p
MOSFET kanal-p jenis enchancement (PMOS), dibuat pada substrate jenis
n dengan daerah p+ pada drain dan source. Cara kerjanya sama dengan
NMOS hanya saja vGS, vDS dan Vt negatif.

11
 Complementary MOS atau CMOS

Gambar 9. Rangkaian terintegrasi CMOS

Pada teknologi CMOS, transistor NMOS diimplementasiikan langsung pada

substrate jenis p, sedangkan transistor PMOS dibuat pada n-well. Kedua divais
diisolasi satu dengan lainnya dengan oksida yang tebal sebagai insulator.

12
Karakteristik arus dan tegangan.
Lambang rangkaian

Gambar 10. Lambang MOSFET kanal n jenis enhancement

Pada FET kanal n: drain selalu positif dibandingkan dengan source

13
 Gambar 11(a) MOSFET kanal n jenis enhancement

Gambar 11(b) Karakteristik iD vDS untuk divais dengan kn(W/L) =

1.0mA/v2
14
Kurva karakteristik menunjukkan 3 daerah kerja:
1. daerah cutoff
2. daerah trioda
3. daerah jenuh.

Daerah jenuh dipakai bila FET bekerja sebagai penguat.

Daerah cutoff dan trioda digunakan bila FET bekerja sebagai saklar.

FET pada daerah cutoff jika: vGS < Vt

Pada daerah trioda:

vGS Vt (induced channel)
vGD > Vt (continuous channel)
vGD = vGS vDS
vGS vDS > Vt
vDS < vGD Vt (continuous channel)

Jadi MOSFET kanal n jenis enchancement berkerja di daerah trioda

jika vGS lebih besar dari Vt dan tegangan pada drain lebih rendah dari
tegangan gate minimal sebesar Vt volt

15
 iD k n'
W
L

vGS Vt vDS 1
2
2
vDS
k n' n Cox

Jika vDS cukup kecil, vDS2 dapat diabaikan.

iD k n'
W
vGS Vt v DS
L
rDS adalah resistansi linier yang dikendalikan oleh vGS.
Jika vGS = VGS, maka
1

r DS
v DS
k n'
W
VGS Vt

iD L
(untuk v DS kecil dan v GS VGS )
VOV VGS Vt
W
r DS 1 k n' VOV
L

VOV : gate-to-source overdrive volltage

16
MOSFET bekerja di daerah jenuh jika:
vGS Vt (induced channel)
vGD Vt (pinched-off channel)
vDS vGS Vt (pinched-off channel)

Jadi MOSFET kanal n jenis enhancement bekerja pada daerah jenuh jika
vGS lebih besar dari Vt dan tegangan drain tidak lebih kecil dari tegangan
gate melebihi Vt volt
Batas antara daerah trioda dan daerah jenuh:
vDS = vGS Vt

Arus iD pada keadaan jenuh iD 1

2 k n'
W
vGS Vt 2
L
Pada keadaan jenuh:
arus iD tidak tergantung dari tegangan drain, vDS
arus iD ditentukan oleh tegangan gate, vGS
MOSFET menjadi sebuah sumber arus ideal yang harganya dikendalikan
oleh vGS

Catatan: ini adalah model rangkaian ekivalen sinyal besar

Pada batas antara daerah trioda dan daerah jenuh:
W 2
iD 1
2 k n' v DS
L
17
Gambar 12. karakteristik iD - vGS transistor NMOS jenis enhancement pada
keadaan jenuh (Vt = 1 V dan kn(W/L) = 1,0 mA/v2

18
Gambar 13. Rangkaian ekivalen model sinyal besar dari NMOS pada daerah
jenuh

19
Gambar 14. Level relatif tegangan terminal transistor NMOS yang beroperasi
pada daerah trioda dan daerah jenuh.

20
Resistansi keluaran pada keadaan jenuh

Gambar 15. Kenaikan vDS melebihi vDSsat yang menyebabkan titik pinch-off
sedikit menjauh dari drain
vDS naik melebihi vDSsat, titik pinched-off dari kanal bergeser menjauhi drain
menuju source, sehingga ada daerah depletion antara drain dan ujung
kanal. Akibatnya panjang kanal akan berkurang.
Keadaan ini disebut channel-length modulation
Karena iD berbanding terbalik dengan panjang kanal, maka iD naik dengan
naiknya vDS.
Untuk menghitung ketergantungan iD pada vDS pada keadaan jenuh, ganti L
dengan (L L)
21
iD 1
k n'
W
vGS Vt 2
2
L L
1
k n'
W 1
vGS Vt 2
2

L 1 L L
W L
1
2 k n' 1 vGS Vt 2
L L

Diasumsikan (L/L) << 1

Jika L sebanding dengan vDS :

L = vDS

parameter teknologi proses dengan dimensi m/V

W '
iD 1
2 k n' 1 v DS vGS Vt 2
L L
'

L
iD 1
2 k n'
W
vGS Vt 2 1 vDS
L

22
 Gambar 15. Efek vDS pada iD pada daerah jenuh

Ektrapolasi garis lurus pada kurva karakteristik iD vDS akan memotong

sumbu vDS pada titik vDS = - 1/ -VA.
vA = 1/
Untuk suatu proses tertentu, VA sebanding dengan panjang kanal L.
VA = VAL
VA = 5 50 V/m
23
Catatan: divais dengan kanal yang lebih pendek lebih terpengaruh dengan
efek channel-length modulation.

Gambar 17. Model rangkaian sinyal besar dari MOSFET kanal -n pada
keadaan jenuh dengan adanya resistansi ro

24
Channel-length modulation menyebabkan adanya resistansi keluaran
(tidak ), ro

1
iD
ro
v DS vGS k o n s tan
1
k n' W
ro VGS Vt
2

2 L
ro I D
1

VA
ro
ID

Dimana ID adalah arus drain tanpa memperhitungkan channel-length

modulation
Resistansi keluaran berbanding terbalik dengan arus bias dc, ID

25
Karakteristik MOSFET kanal p

Gambar 18. MOSFET kanal p jenis enhancement

26
Untuk menginduksi sebuah kanal harus dipasang tegangan pada gate
lebih kecil dari Vt.
vGS Vt (induced channel)
vSG |Vt|

Untuk bekerja di daerah trioda:

vDS vGS Vt (continuous channel)
iD k p
' W
L
vGS Vt v DS 1
2
2
v DS
'
kp p Cox

vGS, Vt dan vDS negatif

p = 0,25 0,5 n

Untuk bekerja di daerah jenuh:

vDS vGS Vt (pinched-off channel)

iD 1
2
'
kp
W
vGS Vt 2 1 vDS
L
vGS, Vt, dan vDS negatif
27
Agar transistor PMOS bekerja, tegangan gate harus dibuat lebih rendah
dari tegangan source sedikitnya sebesar |Vt|. Untuk bekerja di daerah
trioda, tegangan drain harus lebih besar dari tegangan gate minimal
sebesar |Vt|, jika tidak, PMOS bekerja di daerah jenuh.

Gambar 19. Level relatif tegangan terminal transistor PMOS yang beroperasi
pada daerah trioda dan daerah jenuh.

28
Peranan substrate the body effect

Dalam banyak pemakaian:

substrate dihubungkan dengan source
pn junction antara substrate dan gate selalu off.
Pada keadaan ini substrate tidak berperan dalam kerja rangkaian.

Pada IC, banyak MOS menggunakan substrate yang sama. Agar junction
antara substrate dan gate selalu off:
Substrate dihubungkan ke tegangan yang paling negatif untuk
rangkaian NMOS
Substrate dihubungkan ke tegangan yang paling positif untuk rangkaian
PMOS

Akibatnya tegangan reverse-bias antara source dan body (VSB pada divais
kanal n) akan mempengaruhi kerja divais.
Reverse bias ini akan:
Memperlebar daerah depletion
Mengurangi kedalaman kanal
Agar kedalaman kanal tetap sama, vGS harus dinaikkan.
29
Efek dari VSB pada kanal dinyatakan dengan perubahan Vt
Vt Vt 0 2 f VSB 2 f
Vt0 = tegangan ambang untuk VSB = 0
f = parameter fisik; biasanya 2f = 0,6 V
= parameter proses pembuatan
2qN A S

COX
q= 1,6 x 10-19 C
NA = konsentrasi doping
S = permitivitas silikon = 11,7 0 = 11,7 x 8,854 x 10-12

30
Pengaruh suhu
Vt dan k sensitif terhadap suhu
Vt turun 2 mV/C
iD berkurang dengan naiknya suhu

Breakdown dan proteksi input

Breakdown terjadi jika tegangan drain naik mencapai harga dimana pn
junction antara drain dan substrate mengalami breakdown avalanche.
Akibatnya akan ada peningkatan arus.
Keadaan ini terjadi pada tegangan 20 150 V.

Punch-through adalah efek lain dari breakdown.

Terjadi pada tegangan yang lebih rendah (20V).
Terjadi pada divais yang mempunyai kanal pendek yaitu pada saat
tegangan drain naik ke suatu titik di mana daerah depletion sekitar drain
melewati kanal dan mencapai source.
Arus drain akan naik dengan cepat.
Punch-through tidak menyebabkan kerusakan yang permanen.

31
Breakdown oksida gate terjadi bila tegangan melebihi 30V.
Breakdown ini menyebabkan kerusakan permanen pada divais
Penyebabnya adanya akumulasi muatan statik pada kapasitor gate yang
dapat melebihi tegangan breakdown-nya.

Untuk mencegah akumulasi muatan statik pada kapasitor gate, dipasang

alat proteksi pada terminal masukan dari IC MOS yang terdiri dari rangkaian
dioda penjepit (clamping diodes)

32
Summary

Transistor NMOS:
Simbol

Tegangan overdrive:
vOV = vGS Vt
vGS =Vt + vOV

Bekerja di daerah trioda:

Kondisi:
vGS Vt vOV 0
vGD Vt VDS vGS Vt vDS vOV

33
 karakteristik i v
iD n COX
W
L
v GS Vt v DS 1
2
2
v DS

Untuk vDS << 2(vGS Vt) vGS << 2 vOV

rDS
vDS
1 n COX
W
vGS Vt
iD L

Bekerja di daerah jenuh:

Kondisi:
vGS Vt vOV 0
vGD Vt vDS vGS Vt vDS vOV

2 nC
Karakteristik
iD 1 i
OXv
W
vGS Vt 2 1 vDS
L

34
Model rangkaian ekivalen sinyal besar

1

ro 1
2 n COX
W
VGS Vt
2

VA
L ID

dimana
ID 1
2 n COX
W
VGS Vt 2
L

Tegangan ambang:

Vt Vt 0 2 f VSB 2 f

35
Parameter proses:
COX OX tOX F/m 2

k n' n COX A V
V A' V A L V m
1 V A V 1

2qN A S COX V 1
2

Konstanta:

0 = 8,854 x 10-12 F/m

OX = 3,9 0 = 3,45 x 10-11 F/m
S = 11,7 0 = 1,04 x 10-10 F/m
q = 1,602 x 10-19 C

36
Transistor PMOS

Simbol:

Tegangan overdrive:
vOV = vGS Vt
vSG =|Vt| + |vOV|

Bekerja di daerah trioda:

Kondisi:
vGS Vt vOV 0 vSC |Vt|
vGD |Vt| VDS vGS Vt vSD |vOV|

37
Bekerja di daerah jenuh:

Kondisi:
vGS Vt vOV 0 vSG |Vt|
vDG |Vt| vDS vGS Vt vDS |vOV|

Karakteristik i v
Mempunyai hubungan yang sama seperti pada transistor NMOS
kecuali:
n, kn dan NA diganti dengan p, kp dan ND
Vt, Vt0, VA, dan bernilai negatif

Model rangkaian ekivalen sinyal besar

1

ro 1
2 p COX
W
VSG Vt
2

VA
L ID

ID 1
2 p COX
W
VSG Vt 2
38
L
Contoh soal:
Sebuah MOSFET mempunyai Lmin = 0,4m, tOX = 8 nm, n = 450 cm2/Vs
dan Vt = 0,7 V.
a. Carilah COX dan kn.
b. Untuk MOSFET dengan W/L = 8 m/0,8m, hitunglah harga VGS dan
VDSmin yang diperlukan agar transistor bekerja di daerah jenuh dengan
arus dc ID = 100 A
c. Untuk MOSFET pada (b), carilah harga VGS yang diperlukan agar
MOSFET bekerja sebagai resistor 1000 untuk vDS yang sangat kecil

Jawab:C OX 3,45 10 11
OX 9
4,32 10 3 F/m 2
a. t OX 8 10
4,32 fF/m 2
k n' n COX 450 (cm 2 / V.s) 4,32 (fF/ m 2 )
194 10 - 6 (F/V.s)
194 A/V 2

39
Untuk bekerja di daerah jenuh:
ID 1
2
k n'
W
v GS Vt 2
L
100 1
2
8
194 VGS 0,7 2
0,8
VGS 0,7 0,32 V
VGS 1,02 V
VDS min VGS Vt 0,32 V

Untuk MOSFET di daerah trioda dengan vDS sangat kecil:

i D k n'
W
v GS Vt v DS
L
v DS
r DS
iD v DS kecil

1 k n'
W
VGS Vt

L
1
1000
194 10 6 10VGS 0,7
VGS 0,7 0,52 V
VGS 1,22 V
40
Rangkaian MOSFET pada DC

Contoh soal

Rancanglah rangkaian seperti pada gambar di

samping ini sehingga transistor bekerja pada ID
= 0,4 mA dan VD = +0,5 V. Transistor NMOS
mempunyai Vt = 0,7 V, nCOX = 100 A/V2, L =
1m dan W = 32 m. Abaikan pengaruh
channel-length modulation ( = 0)

Gambar 20. Contoh soal

41
Jawab:
VD = 0, 5 V > VG NMOS bekerja pada daerah jenuh.
ID 21
n COX
W
VGS Vt 2
L

VGS Vt = VOV; ID = 0,4 mA = 400 A;

nCOX = 100 A/V2 dan W/L = 32/1
32
400 1
2
100 2
VOV
1

VOV = 0,5V
VGS = Vt + VOV = 0,7 + 0,5 = 1,2 V
VG = 0
V V = - 1,2 V
SV
RS S SS

ID
1,2 ( 2,5)
3,25 k
0,4

Untuk mendapatkan VD = +0,5 V:

VDD VD
RD
ID
2,5 0,5
5 k
0,4

42
Rancang rangkaian seperti gambar 21 untuk mendapatkan arus ID = 80 A.
Cari harga R dan tegangan DC VD.
Transistor NMOS mempunyai Vt = 0,6 V, nCOX = 200 A/V2, L = 0,8 m dan
W = 4. (asumsikan =0)

Gambar 21. Contoh soal

43
Jawab:
VDG = 0 VD = VG dan FET bekerja di daerah jenuh

ID 1
2
W
n COX VGS Vt 2
L
W
2
1
n COX 2
VOV
L
2I D
VOV
n COX W L
2 80
0,4 V
200 4 0,8
VGS Vt VOV 0,6 0,4 1 V
VD VG 1 V
VDD VD
R
ID
3 1
25 k
0,080

44
Rancanglah rangkaian pada gambar 22 agar tegangan drain = 0,1V.
Berapakah resistansi antara drain dan source pada titik kerja ini ? Vt = 1 V
dan kn(W/L) = 1 mA/V2.

Gambar 22. Contoh soal

45
Jawab:
VD = VG 4,9 V dan Vt = 1 V MOSFET bekerja di daerah trioda. Jadi arus
ID :

I D k n'
W
L
VGS Vt VDS 21 VDS
2

ID 1 5 1 0,1 2
1
0,01
0,395 mA

VDD VD
RD
ID
5 0,1
12,4 k
0,395
VDS 0,1
r DS 253
ID 0,395

46
Analisa rangkaian pada gamabr 23(a) untuk menentukan tegangan di
semua node dan arus di semua cabang. Diketahui Vt = 1 V dan kn(W/L) =
1 mA/V2. (asumsikan = 0)

Gambar 23. Rangkaian contoh soal

47
Gambar 23 (b) Rangkaian dengan analisis terinci

Jawab:
Karena arus gate = 0, tegangan gate:
RG 2
VG VDD
RG 2 RG1
10
10
10 10
5V

48
VG > 0 transistor NMOS bekerja.
Asumsikan transistor bekerja di daerah jenuh.

VG = 5 V
VS = ID x RS = ID (mA) x 6 k = 6 ID
VGS = VG VS = 5 6ID
ID 1
2
W
k n' VGS Vt 2
L
1 5 6I D 1
1 2
2
2
18I D 25I D 8 0
I D1 0,89 mA; I D 2 0,5 mA
I D1 0,89 mA VS 6 0,89 5,34 V
VS VG transistor ' off'
Jadi :
I D 0,5 mA
VS 0,5 6 3 V
VGS 5 3 2 V
VD 10 6 0,5 7 V

Karena VD > VG Vt, transistor bekerja di daerah jenuh

49
Rancang rangkaian seperti pada gambar 24 sehingga transistor bekerja di
daerah jenuh dengan ID = 0,5 mA dan VD = +3 V. Transistor PMOS jenis
enchancement mempunyai Vt = -1 V dan kp(W/L) = 1 mA/V2. Asumsikan = 0.
Berapa harga terbesar RO agar tetap bekerja di daerah jenuh?

Gambar 24 Contoh soal

50
Jawab:
MOSFET bekerja di daerah jenuh: ID 1
2
'
kp
W
VGS Vt 2
L
W
1
2
'
kp 2
VOV
L

ID = 0,5 mA dan kpW/L = 1 mA/V2 maka:

VOV = -1 V
(untuk PMOS Vt negatif)

VGS = Vt + VOV = - 1 1 = - 2 V

VS =+5 V VG = +3 V

VG = +3 V dapat diperoleh dengan memilih harga RG1 dan RG2. Salah satu
kemungkinan RG1 = 2 M dan RG2 = 3 M
VD 3
RD 6 k
ID 0,5

Bekerja pada mode jenuh: VD harus lebih besar dari VG sebanyak |Vt|

VDmax= 3 + 1 = 4 V

RD = 4/0,5 = 8 k
51
Gambar 25. Rangkaian contoh soal

52
Transistor NMOS dan PMOS mempunyai kesesuaian dengan kn(W/L) =
kp(W/L) = 1 mA/V2, Vtn = -Vtp = 1 V.
Asumsikan = 0 untuk kedua transistor. Carilah arus drain iDN dan iDP dan
vO untuk vI = 0 V, +2,5V dan -2,5V

Jawab:
Gambar (b) menunjukkan bila vI = 0V. Kedua transistor matched dan
bekerja pada |VGS| = 2,5V vO = 0V
Jadi QN dan QP bekerja dengan |VGD| = 0 V bekerja pada daerah jenuh.
IDN = IDP = x 1 x (2,5 1)2 = 1,125 mA

Gambar (c) menunjukkan bila vI = 2,5V. Transistor QP mempunyai VGS = 0

V cutoff vO negatif VGD > Vt bekerja pada daerah trioda.
IDN = kn (Wn/Ln)(VGS Vt)VDS
= 1[(2,5 (-2,5) 1][vO (-2,5)]
IDN (mA) = (0 vO)/10 (k)
IDN = 0,244 mA ; vO = -2,44 V
VDS = -2,44 (-2,5) = 0,06 V

Gambar (d) menunjukkan bila vI = -2,5 V. Kasus ini kebalikan dari kasus
gambar (c). Transistor QN akan cutoff IDN = 0. QP bekerja pada daerah
trioda dengan IDP= 2,44 mA dan vO =+2,44 V 53
MOSFET sebagai Penguat dan Saklar

MOSFET sebagai penguat:

Bekerja di daerah jenuh
Berperan sebagai sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan
(VCCS). Perubahan pada tegangan vGS akan mengubah arus
drain iD.

MOSFET yang bekerja di daerah jenuh dapat dipakai untuk

membuat penguat transkonduktansi (transconductance amplifier).

Yang diinginkan penguat linier; jadi harus ada bias dc agar

MOSFET bekerja pada VGS dan ID tertentu, kemudian ditumpangkan
tegangan vgs yang akan diperkuat pada tegangan dc VGS. Dengan
menjaga vgs kecil arus drain, id dapat dibuat sebanding dengan vgs

54
Cara kerja Sinyal Besar Karakteristik Transfer

Gambar 26(a) Struktur dasar rangkaian penguat common source

(b) Grafik yang digunakan untuk menentukan karakteristik transfer penguat
pada gambar (a)

55
Gambar 26(c) Karakteristik transfer penguat pada titik kerja Q

56
Penurunan karakteristik transfer secara grafis.
Pada rangkaian CS drain dihubungkan ke catu daya VDD melalui RD,
sehingga diperoleh hubungan iD dan vDS sebagiai berikut:

v DS VDD R D i D
VDD 1
iD v DS
RD RD

Secara kuantitatif,rangkaian bekerja sebagai berikut:

vI = vGS.
Untuk vI < Vt transistor cutoff, iD = 0, vO = vDS = VDD. Transistor
bekerja pada titik A.

vI > Vt transistor on, iD meningkat, vO menurun. Karena vO bermula

dengan harga yang tinggi, transistor bekerja dalam keadaan jenuh.
Keadaan ini ditunjukkan oleh garis beban antara titik A dan B.

Untuk titik Q tertentu, VIQ =VGS dan VOQ = VDSQ serta arus = IDQ.

57
vI < Vt vDS = vGS Vt MOSFET memasuki daerah kerja trioda. Pada
kurva ditunjukkan dengan titik B yang memotong garis beban dengan kurva
garis terputus yang mendefinisikan batas antara daerah jenuh dan daerah
trioda. Ttitk B didefinisikan sebagai:
VOB = VIB Vt

Untuk vI > VIB, transistor makin masuk ke daerah trioda.

Pada titik C, vI= VDD, vOC biasanya kecil sekali.

Titik-titik pada kurva hubungan iD vDS di gambar 26(b) menghasilkan

kurva transfer pada gambar 26(c)

58
MOSFET Bekerja Sebagai Saklar.
Jika MOSFET dipakai sebagai saklar, MOSFET bekerja pada titik-titik ekstrim
dari kurva transfer.
MOSFET off bila vI < Vt bekerja pada titiik antara X dan A dengan vO = VDD.
Saklar on dengan vI mendekati VDD bekerja mendekati titik C dengan vO
sangat kecil.
Jadi CS MOS dapat digunakan sebagai inverter logik dengan level tegangan
low mendekati o danhigh mendekati VDD.

MOSFET Bekerja Sebagai Penguat Linier

MOSFET sebagai penguat bekerja di daerah jenuh.
MOSFET diberi bias dc pada titik di tengah-tengah kurva. Titik ini disebut titik
kerja atau quiescent point.
Sinyal tegangan yang akan diperkuat, ditumpangkan pada tegangan dc VIQ.
(lihat gambar 26(c)).

Syarat linier:
vi harus dijaga tetap kecil

59
Faktor penguatan:
dv o
Av
dv i v VIQ i

Cara memilih titik kerja.

VDSQ harus lebih kecil dari VDD dan lebih besar dari VOB sehingga dapat
mengakomodasi harga simpangan maksimum dan simpangan minimum dari
tegangan keluaran.

Jika VDSQ terlalu dekat dengan VDD, harga simpangan maksimum sinyal
keluaran akan terpotong (clipped off). Pada keadaan ini dikatakan penguat
tidak mempunyai cukup headroom.

Jika VDSQ terlalu dekat dengan batas trioda, harga simpangan minimum
sinyal keluaran akan terdistorsi. Pada keadaan ini dikatakan penguat tidak
mempunyai cukup legroom.

60
 Gambar 27. Dua garis beban dan titik kerjanya.

Titik Q1 terlalu dekat dengan VDD, dan titik Q2 terlalu dekat dengan batas
daerah trioda.

61