Professional Documents
Culture Documents
Gambar 3. Transistor NMOS dengan vGS > Vt dengan tegangan vDS terpasang
3
Gambar 4. Karakteristik iD vDS dari MOSFET
5
Gambar 6. Hubungan iD dengan vDS pada transistor NMOS jenis
enhancement yang beroperasi dengan vGS > Vt
vDSsat = vGS - Vt
6
Gambar 7. Kenaikan vDS penyebabkan kanal menyempit
7
Perhatikan gambar dan sebuah strip pada gate yang berjarak x dari source.
Kapasitansi strip ini: CoxWdx. Untuk mendapatkan muatan pada strip ini,
kalikan kapasitansinya dengan tegangan efektif antara gate dan kanal pada
titik x yaitu: [vGS v(x) Vt]; v(x) adalah tegangan pada kanal di titik x.
ox
Cox
t ox
9
Walaupun dievaluasi pada titik tertentu, arus i harus konstan pada
semua titik di sepanjang kanal. i harus sama dengan arus dari source
ke drain dan berlawan arah dengan arus dari drain ke source (iD)
iD i n CoxW vGS v ( x ) Vt
dv ( x )
dx
iD dx n CoxW vGS v ( x ) Vt dv ( x )
L v DS
i D dx n CoxW vGS v ( x ) Vt dv ( x )
0 0
W
iD n Cox
L
vGS Vt v DS 1
2 v DS
2
Harga arus pada ujung daerah trioda atau permulaan daerah jenuh dapat
diperoleh dengan menggantikan vDS=vGS Vt
iD 1
2
n Cox
W
vGS Vt 2
L
iD 1
2 k n'
W
vGS Vt 2 (daerah jenuh)
L
Jadi arus drain sebanding dengan perbandingan lebar kanal dan panjang
kanal, yang disebut aspect ratio dari MOSFET
MOSFET kanal-p
MOSFET kanal-p jenis enchancement (PMOS), dibuat pada substrate jenis
n dengan daerah p+ pada drain dan source. Cara kerjanya sama dengan
NMOS hanya saja vGS, vDS dan Vt negatif.
11
Complementary MOS atau CMOS
12
Karakteristik arus dan tegangan.
Lambang rangkaian
13
Gambar 11(a) MOSFET kanal n jenis enhancement
15
iD k n'
W
L
vGS Vt vDS 1
2
2
vDS
k n' n Cox
iD k n'
W
vGS Vt v DS
L
rDS adalah resistansi linier yang dikendalikan oleh vGS.
Jika vGS = VGS, maka
1
r DS
v DS
k n'
W
VGS Vt
iD L
(untuk v DS kecil dan v GS VGS )
VOV VGS Vt
W
r DS 1 k n' VOV
L
16
MOSFET bekerja di daerah jenuh jika:
vGS Vt (induced channel)
vGD Vt (pinched-off channel)
vDS vGS Vt (pinched-off channel)
Jadi MOSFET kanal n jenis enhancement bekerja pada daerah jenuh jika
vGS lebih besar dari Vt dan tegangan drain tidak lebih kecil dari tegangan
gate melebihi Vt volt
Batas antara daerah trioda dan daerah jenuh:
vDS = vGS Vt
18
Gambar 13. Rangkaian ekivalen model sinyal besar dari NMOS pada daerah
jenuh
19
Gambar 14. Level relatif tegangan terminal transistor NMOS yang beroperasi
pada daerah trioda dan daerah jenuh.
20
Resistansi keluaran pada keadaan jenuh
Gambar 15. Kenaikan vDS melebihi vDSsat yang menyebabkan titik pinch-off
sedikit menjauh dari drain
vDS naik melebihi vDSsat, titik pinched-off dari kanal bergeser menjauhi drain
menuju source, sehingga ada daerah depletion antara drain dan ujung
kanal. Akibatnya panjang kanal akan berkurang.
Keadaan ini disebut channel-length modulation
Karena iD berbanding terbalik dengan panjang kanal, maka iD naik dengan
naiknya vDS.
Untuk menghitung ketergantungan iD pada vDS pada keadaan jenuh, ganti L
dengan (L L)
21
iD 1
k n'
W
vGS Vt 2
2
L L
1
k n'
W 1
vGS Vt 2
2
L 1 L L
W L
1
2 k n' 1 vGS Vt 2
L L
L = vDS
W '
iD 1
2 k n' 1 v DS vGS Vt 2
L L
'
L
iD 1
2 k n'
W
vGS Vt 2 1 vDS
L
22
Gambar 15. Efek vDS pada iD pada daerah jenuh
Gambar 17. Model rangkaian sinyal besar dari MOSFET kanal -n pada
keadaan jenuh dengan adanya resistansi ro
24
Channel-length modulation menyebabkan adanya resistansi keluaran
(tidak ), ro
1
iD
ro
v DS vGS k o n s tan
1
k n' W
ro VGS Vt
2
2 L
ro I D
1
VA
ro
ID
25
Karakteristik MOSFET kanal p
26
Untuk menginduksi sebuah kanal harus dipasang tegangan pada gate
lebih kecil dari Vt.
vGS Vt (induced channel)
vSG |Vt|
iD 1
2
'
kp
W
vGS Vt 2 1 vDS
L
vGS, Vt, dan vDS negatif
27
Agar transistor PMOS bekerja, tegangan gate harus dibuat lebih rendah
dari tegangan source sedikitnya sebesar |Vt|. Untuk bekerja di daerah
trioda, tegangan drain harus lebih besar dari tegangan gate minimal
sebesar |Vt|, jika tidak, PMOS bekerja di daerah jenuh.
Gambar 19. Level relatif tegangan terminal transistor PMOS yang beroperasi
pada daerah trioda dan daerah jenuh.
28
Peranan substrate the body effect
Pada IC, banyak MOS menggunakan substrate yang sama. Agar junction
antara substrate dan gate selalu off:
Substrate dihubungkan ke tegangan yang paling negatif untuk
rangkaian NMOS
Substrate dihubungkan ke tegangan yang paling positif untuk rangkaian
PMOS
Akibatnya tegangan reverse-bias antara source dan body (VSB pada divais
kanal n) akan mempengaruhi kerja divais.
Reverse bias ini akan:
Memperlebar daerah depletion
Mengurangi kedalaman kanal
Agar kedalaman kanal tetap sama, vGS harus dinaikkan.
29
Efek dari VSB pada kanal dinyatakan dengan perubahan Vt
Vt Vt 0 2 f VSB 2 f
Vt0 = tegangan ambang untuk VSB = 0
f = parameter fisik; biasanya 2f = 0,6 V
= parameter proses pembuatan
2qN A S
COX
q= 1,6 x 10-19 C
NA = konsentrasi doping
S = permitivitas silikon = 11,7 0 = 11,7 x 8,854 x 10-12
30
Pengaruh suhu
Vt dan k sensitif terhadap suhu
Vt turun 2 mV/C
iD berkurang dengan naiknya suhu
31
Breakdown oksida gate terjadi bila tegangan melebihi 30V.
Breakdown ini menyebabkan kerusakan permanen pada divais
Penyebabnya adanya akumulasi muatan statik pada kapasitor gate yang
dapat melebihi tegangan breakdown-nya.
32
Summary
Transistor NMOS:
Simbol
Tegangan overdrive:
vOV = vGS Vt
vGS =Vt + vOV
Kondisi:
vGS Vt vOV 0
vGD Vt VDS vGS Vt vDS vOV
33
karakteristik i v
iD n COX
W
L
v GS Vt v DS 1
2
2
v DS
Kondisi:
vGS Vt vOV 0
vGD Vt vDS vGS Vt vDS vOV
2 nC
Karakteristik
iD 1 i
OXv
W
vGS Vt 2 1 vDS
L
34
Model rangkaian ekivalen sinyal besar
1
ro 1
2 n COX
W
VGS Vt
2
VA
L ID
dimana
ID 1
2 n COX
W
VGS Vt 2
L
Tegangan ambang:
Vt Vt 0 2 f VSB 2 f
35
Parameter proses:
COX OX tOX F/m 2
k n' n COX A V
V A' V A L V m
1 V A V 1
2qN A S COX V 1
2
Konstanta:
36
Transistor PMOS
Simbol:
Tegangan overdrive:
vOV = vGS Vt
vSG =|Vt| + |vOV|
Kondisi:
vGS Vt vOV 0 vSC |Vt|
vGD |Vt| VDS vGS Vt vSD |vOV|
37
Bekerja di daerah jenuh:
Kondisi:
vGS Vt vOV 0 vSG |Vt|
vDG |Vt| vDS vGS Vt vDS |vOV|
Karakteristik i v
Mempunyai hubungan yang sama seperti pada transistor NMOS
kecuali:
n, kn dan NA diganti dengan p, kp dan ND
Vt, Vt0, VA, dan bernilai negatif
1
ro 1
2 p COX
W
VSG Vt
2
VA
L ID
ID 1
2 p COX
W
VSG Vt 2
38
L
Contoh soal:
Sebuah MOSFET mempunyai Lmin = 0,4m, tOX = 8 nm, n = 450 cm2/Vs
dan Vt = 0,7 V.
a. Carilah COX dan kn.
b. Untuk MOSFET dengan W/L = 8 m/0,8m, hitunglah harga VGS dan
VDSmin yang diperlukan agar transistor bekerja di daerah jenuh dengan
arus dc ID = 100 A
c. Untuk MOSFET pada (b), carilah harga VGS yang diperlukan agar
MOSFET bekerja sebagai resistor 1000 untuk vDS yang sangat kecil
Jawab:C OX 3,45 10 11
OX 9
4,32 10 3 F/m 2
a. t OX 8 10
4,32 fF/m 2
k n' n COX 450 (cm 2 / V.s) 4,32 (fF/ m 2 )
194 10 - 6 (F/V.s)
194 A/V 2
39
Untuk bekerja di daerah jenuh:
ID 1
2
k n'
W
v GS Vt 2
L
100 1
2
8
194 VGS 0,7 2
0,8
VGS 0,7 0,32 V
VGS 1,02 V
VDS min VGS Vt 0,32 V
i D k n'
W
v GS Vt v DS
L
v DS
r DS
iD v DS kecil
1 k n'
W
VGS Vt
L
1
1000
194 10 6 10VGS 0,7
VGS 0,7 0,52 V
VGS 1,22 V
40
Rangkaian MOSFET pada DC
Contoh soal
41
Jawab:
VD = 0, 5 V > VG NMOS bekerja pada daerah jenuh.
ID 21
n COX
W
VGS Vt 2
L
VOV = 0,5V
VGS = Vt + VOV = 0,7 + 0,5 = 1,2 V
VG = 0
V V = - 1,2 V
SV
RS S SS
ID
1,2 ( 2,5)
3,25 k
0,4
42
Rancang rangkaian seperti gambar 21 untuk mendapatkan arus ID = 80 A.
Cari harga R dan tegangan DC VD.
Transistor NMOS mempunyai Vt = 0,6 V, nCOX = 200 A/V2, L = 0,8 m dan
W = 4. (asumsikan =0)
43
Jawab:
VDG = 0 VD = VG dan FET bekerja di daerah jenuh
ID 1
2
W
n COX VGS Vt 2
L
W
2
1
n COX 2
VOV
L
2I D
VOV
n COX W L
2 80
0,4 V
200 4 0,8
VGS Vt VOV 0,6 0,4 1 V
VD VG 1 V
VDD VD
R
ID
3 1
25 k
0,080
44
Rancanglah rangkaian pada gambar 22 agar tegangan drain = 0,1V.
Berapakah resistansi antara drain dan source pada titik kerja ini ? Vt = 1 V
dan kn(W/L) = 1 mA/V2.
45
Jawab:
VD = VG 4,9 V dan Vt = 1 V MOSFET bekerja di daerah trioda. Jadi arus
ID :
I D k n'
W
L
VGS Vt VDS 21 VDS
2
ID 1 5 1 0,1 2
1
0,01
0,395 mA
VDD VD
RD
ID
5 0,1
12,4 k
0,395
VDS 0,1
r DS 253
ID 0,395
46
Analisa rangkaian pada gamabr 23(a) untuk menentukan tegangan di
semua node dan arus di semua cabang. Diketahui Vt = 1 V dan kn(W/L) =
1 mA/V2. (asumsikan = 0)
47
Gambar 23 (b) Rangkaian dengan analisis terinci
Jawab:
Karena arus gate = 0, tegangan gate:
RG 2
VG VDD
RG 2 RG1
10
10
10 10
5V
48
VG > 0 transistor NMOS bekerja.
Asumsikan transistor bekerja di daerah jenuh.
VG = 5 V
VS = ID x RS = ID (mA) x 6 k = 6 ID
VGS = VG VS = 5 6ID
ID 1
2
W
k n' VGS Vt 2
L
1 5 6I D 1
1 2
2
2
18I D 25I D 8 0
I D1 0,89 mA; I D 2 0,5 mA
I D1 0,89 mA VS 6 0,89 5,34 V
VS VG transistor ' off'
Jadi :
I D 0,5 mA
VS 0,5 6 3 V
VGS 5 3 2 V
VD 10 6 0,5 7 V
49
Rancang rangkaian seperti pada gambar 24 sehingga transistor bekerja di
daerah jenuh dengan ID = 0,5 mA dan VD = +3 V. Transistor PMOS jenis
enchancement mempunyai Vt = -1 V dan kp(W/L) = 1 mA/V2. Asumsikan = 0.
Berapa harga terbesar RO agar tetap bekerja di daerah jenuh?
50
Jawab:
MOSFET bekerja di daerah jenuh: ID 1
2
'
kp
W
VGS Vt 2
L
W
1
2
'
kp 2
VOV
L
VGS = Vt + VOV = - 1 1 = - 2 V
VS =+5 V VG = +3 V
VG = +3 V dapat diperoleh dengan memilih harga RG1 dan RG2. Salah satu
kemungkinan RG1 = 2 M dan RG2 = 3 M
VD 3
RD 6 k
ID 0,5
Bekerja pada mode jenuh: VD harus lebih besar dari VG sebanyak |Vt|
VDmax= 3 + 1 = 4 V
RD = 4/0,5 = 8 k
51
Gambar 25. Rangkaian contoh soal
52
Transistor NMOS dan PMOS mempunyai kesesuaian dengan kn(W/L) =
kp(W/L) = 1 mA/V2, Vtn = -Vtp = 1 V.
Asumsikan = 0 untuk kedua transistor. Carilah arus drain iDN dan iDP dan
vO untuk vI = 0 V, +2,5V dan -2,5V
Jawab:
Gambar (b) menunjukkan bila vI = 0V. Kedua transistor matched dan
bekerja pada |VGS| = 2,5V vO = 0V
Jadi QN dan QP bekerja dengan |VGD| = 0 V bekerja pada daerah jenuh.
IDN = IDP = x 1 x (2,5 1)2 = 1,125 mA
Gambar (d) menunjukkan bila vI = -2,5 V. Kasus ini kebalikan dari kasus
gambar (c). Transistor QN akan cutoff IDN = 0. QP bekerja pada daerah
trioda dengan IDP= 2,44 mA dan vO =+2,44 V 53
MOSFET sebagai Penguat dan Saklar
54
Cara kerja Sinyal Besar Karakteristik Transfer
55
Gambar 26(c) Karakteristik transfer penguat pada titik kerja Q
56
Penurunan karakteristik transfer secara grafis.
Pada rangkaian CS drain dihubungkan ke catu daya VDD melalui RD,
sehingga diperoleh hubungan iD dan vDS sebagiai berikut:
v DS VDD R D i D
VDD 1
iD v DS
RD RD
Untuk titik Q tertentu, VIQ =VGS dan VOQ = VDSQ serta arus = IDQ.
57
vI < Vt vDS = vGS Vt MOSFET memasuki daerah kerja trioda. Pada
kurva ditunjukkan dengan titik B yang memotong garis beban dengan kurva
garis terputus yang mendefinisikan batas antara daerah jenuh dan daerah
trioda. Ttitk B didefinisikan sebagai:
VOB = VIB Vt
58
MOSFET Bekerja Sebagai Saklar.
Jika MOSFET dipakai sebagai saklar, MOSFET bekerja pada titik-titik ekstrim
dari kurva transfer.
MOSFET off bila vI < Vt bekerja pada titiik antara X dan A dengan vO = VDD.
Saklar on dengan vI mendekati VDD bekerja mendekati titik C dengan vO
sangat kecil.
Jadi CS MOS dapat digunakan sebagai inverter logik dengan level tegangan
low mendekati o danhigh mendekati VDD.
Syarat linier:
vi harus dijaga tetap kecil
59
Faktor penguatan:
dv o
Av
dv i v VIQ i
Jika VDSQ terlalu dekat dengan VDD, harga simpangan maksimum sinyal
keluaran akan terpotong (clipped off). Pada keadaan ini dikatakan penguat
tidak mempunyai cukup headroom.
Jika VDSQ terlalu dekat dengan batas trioda, harga simpangan minimum
sinyal keluaran akan terdistorsi. Pada keadaan ini dikatakan penguat tidak
mempunyai cukup legroom.
60
Gambar 27. Dua garis beban dan titik kerjanya.
Titik Q1 terlalu dekat dengan VDD, dan titik Q2 terlalu dekat dengan batas
daerah trioda.
61