CIRCUIITOS INTEGRADOS

En cuanto a funciones integradas , los circuitos se clasifican en dos grupos:

Circuitos integrados analgicos: Pueden constar desde simples transistores
encapsulados juntos, sin unin entre ellos, hasta dispositivos completos como
amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos.

Circuitos integrados digitales: Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (Y, O,
NO) hasta los ms complicados microprocesadores o microcontroladores.
Tipos:

Existen tres tipos de circuitos integrados:

Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal, habitualmente de
silicio, pero tambin existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.

Circuitos hbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolticos, pero,
adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa monoltica. Muchos
conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnologa hbrida hasta que los
progresos en la tecnologa permitieron fabricar resistencias precisas.

Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos monolticos.

De hecho suelen contener circuitos monolticos sin cpsula , transistores, diodos, etc,
sobre un sustrato dielctrico, interconectados con pistas conductoras. Las resistencias
se depositan por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se
encapsula, tanto en cpsulas plsticas como metlicas, dependiendo de la disipacin de
potencia que necesiten. En el mercado se encuentran circuitos hbridos para mdulos
de RF, fuentes de alimentacin, circuitos de encendido para automvil, etc.
CIRCUITOS INTEGRADOS
(TTL CMOS)
Si los circuitos integrados no
existieran, las placas de circuito
impreso para los aparatos seran
muy grandes y adems estaran
llenos de componentes.

Un C.I, es aquel en la cual los

transistores, diodos, resistencias,
condensadores y alambres de
conexin se interconectan
completamente sobre un chip o
pastilla semiconductora de silicio.
 VENTAJAS E INCONVENIENTES DE LOS
CIRCUITOS INTEGRADOS

VENTAJAS:
Bajo coste.
Debido a su integracin, es ms fcil almacenarlos por el espacio
que ocupan.
Tienen un consumo energtico inferior al de los circuitos anteriores.
Permiten que las placas de circuitos impresos de las distintas
aplicaciones existentes tengan un tamao ms pequeo.
Son ms fiables.

DESVENTAJAS:
Reducida potencia de salida.
Limitacin en los voltajes de funcionamiento.
Dificultad en la integracin de determinados componentes (bobinas,
resistencia y condensadores de valores considerables...).
Encapsulado DIP o DIL (Dual In
Line)
Este es el encapsulado ms empleado en montaje por taladro
pasante en placa.
Este puede ser cermico (marrn) o de plstico (negro).
La distancia entre pines o patillas que poseen, en los circuitos
integrados es de vital importancia este dato, as en este tipo el
estndar se establece en 0,1 pulgadas (2,54mm).
Se suelen fabricar a partir de 4, 6, 8, 14, 16, 22, 24, 28, 32, 40, 48,
64 pines, estos son los que ms se utilizan.
 Encapsulado flat-pack
Se disean para ser soldados en mquinas automticas o
semiautomticas, ya que por la disposicin de sus patillas se
pueden soldar por puntos.
El material con el que se fabrican es cermico.
Sus terminales tienen forma de ala de gaviota.
La distancia entre patillas es de 1,27mm, la mitad que en los DIP.
Encapsulado SOIC (Small Outline
Integrated Circuit)
Son los ms populares en los circuitos de lgica combinacional,
tanto en TTL como en CMOS.
Tambin la terminacin de las patillas es en forma de ala de
gaviota.
La distancia entre patillas es de 1,27mm (0,05").
Encapsulado PLCC (Plastic Lead
Chip Carrier)
Se emplea en tcnicas de montaje superficial pero, generalmente,
montados en zcalos, esto es debido a que por la forma en J que
tienen sus terminales la soldadura es difcil de verificar con
garantas.
Se fabrican en material plstico.
En este caso la numeracin, el punto de inicio se encuentra en uno
de los lados del encapsulado, y siguiendo en sentido antihorario.
La distancia entre terminales es de 1,27mm.
 Encapsulado LCCC ( Leaded
Ceramic Chip Carrier)
Al igual que el anterior se monta en zcalo y puede utilizarse tanto
en montaje superficial como en montaje de taladro pasante.
Se fabrica en material cermico y la distancia entre terminales es
cermico.
 CATEGORIAS DE C.I.

De acuerdo a su complejidad los circuitos integrados digitales se

clasifican en 4 categoras bsicas llamadas:

1. SSI= Integracin en pequea escala (Small Scale Integration) y

comprende los chips que contienen menos de 13 compuertas.
Ejemplo: compuertas y Flip Flop. Los C.I se fabrican empleando
tecnologas TTL, CMOS y ECL.

2. MSI=Integracin de mediana escala (Mediun Scale integration) y

comprende los chips que contienen de 13 a 100 compuertas. Ej.:
codificadores, registros contadores, multiplexores, decodificadores y
demultiplexores. Los C.I MSI se fabrican empleando tecnologas TTL,
CMOS y ECL.
3. LSI= Integracin de alta escala (Larg scale Integration) y
comprenden los chips que contienen de 100 a 1000 compuertas.
Ej.: memorias, Unidades Aritmticas y Lgicas (ALU),
microprocesadores de 8 a 16 bits. Los LSI se fabrican empleando
tecnologas 12L, NMOS y PMOS.

4. VLSI= Integracin de muy alta escala (Very large scale

Integration) y comprende los chips que contienen ms de 1000
compuertas ej.: microprocesadores de 32 bits,
microcontroladores, sistemas de adquisicin de datos. Los VLSI
se fabrican tambin empleando tecnologas 12L, NMOS y PMOS.
La capacidad de integracin depende fundamentalmente de: El
rea ocupada por cada puerta y el consumo de potencia.
FAMILIAS LGICAS DE LOS C.I

Una Familia Lgica es un conjunto de componentes

digitales que comparten una tecnologa comn de
fabricacin y tienen estandarizadas sus caractersticas de
entrada y salida; es decir que son compatibles unos con
otros.

La electrnica digital de alta velocidad actual se encuentra

dominada por dos tecnologas fundamentales : una
basada en la lgica transistor-transistor (TTL) y la otra en
la lgica MOSFET complementario (CMOS).
 FAMILIA TTL

Es la ms antigua y comn de todas las familias lgicas de C.I. La

mayora de los chips SSI y MSI se fabrican utilizando tecnologas
TTL.
Los C.I. TTL implementan su lgica interna exclusivamente a base
de transistores bipolares NPN y PNP, diodos, resistencia.
Se usan en toda clase de aplicaciones digitales, los TTL son
rpidos, verstiles y muy econmicos. La familia TTL esta
disponible en dos versiones: Serie 54 y la serie 74. la primera es de
uso militar que opera en un rango de temperatura y voltajes ms
flexibles de 55 a 125c y la segundas se usa en aplicaciones
industriales y de propsito general y operan a una temperatura de 0
a 75c.
 CARACTERSTICAS DEL C. I. TTL

Diseado para una Alta velocidad, trabajan en

frecuencias de 18 Mhz hasta 80 Mhz.
Alta disipacin de potencia de 1 a 25 miliwatts
por compuerta.
Tensin de alimentacin normal es de 5 voltios
Los niveles de voltaje de 0 a 0.8 voltios para el
estado bajo (0) y de 2.4 a 5 voltios para el
estado alto (1).
 FAMILA CMOS

Esta familia en su construccin usa transistores

MOSFET Complementarios (canal N y canal P)
como elementos bsicos de conmutacin.
CMOS es una abreviatura de Semiconductores
Complementarios de Oxido metlico
(complementary metal oxide semiconductors). El
proceso de fabricacin de CMOS es ms simple
que el TTL y tiene una densidad de empaque
mayor, permitiendo por consiguiente ms
circuitera en un rea dada y adecuando el
costo por funcin. El hecho de que trabajen con
voltajes de puerta de solo 3v y tan arriba como
15 voltios son muy provechosas y muy tiles
en aplicaciones con pilas y su serie de CMOS
es 4000 A la lnea ms usada
 CARACTESTICAS DE CI CMOS
Baja disipacin de potencia de 10 nanovatios
por compuerta.
Los CI CMOS son tpicamente ms lentos que
los TTL tienen una frecuencia de operacin
hasta 10Mhz.
Amplios mrgenes de tensin de alimentacin
desde 3 voltios hasta 15 voltios.
Los niveles lgicos de voltaje del CMOS son de
0v para cero lgico y +Vdd para 1 lgico.
La velocidad de conmutacin de la familia
CMOS 4000 A vara con el voltaje de la puerta.
El CMOS es diseado para un bajo consumo
de energa.
 TTL TTL TTL CMOS CMOS
PARAMETRO STANDAR 74L SCHOTCKY (CON Vcc=10V
DE BAJA POT.
Vcc=5V
(LS)
TIEMPO DE
PROPAGACIN
DE PUERTA 10 nS 33ns 5 nS 40 nS 20 nS

FRECUENCIA
MXIMA DE FUN
35 Hz 3 Mhz 45 Khz 8 Mhz 16Mhz

POTENCIA
DISIPADA X
10 mW 1 mW 2 mW 10 nW 10 nW
PUERTA
MARGEN DE
RUIDO
ADMISIBLE 1V 1V 0.8 V 2V 4V

FON OUT
10 10 20 50 50
 Circuitos integrados TTL

NOR NAND NOT AND

7402 - 74LS02 - 7400 - 74LS00 - 7404 - 74LS04 - 7408 - 74LS08 -

74S02 74S00 74S04 74S08
7405 - 74LS05 - 7411 - 74LS11 -
7427 - 74LS27 7430 - 74LS30
74S05 74S11

Circuitos integrados CMOS

NOR NAND NOT AND

HE4001 HE4011 HE4069 HE4081

HE4002 HE4012 HE4069 HE4081

Cicuito integrado NOR TTL 7402,
74LS02, 74S02
Norma
Cuadro de propiedades Cpsula
CEI
C. I. 7402, 74LS02, 74S02
Operador: NOR
Tecnologa: TTL
Puertas: 4
Entradas: 2 por puerta
Cpsula: DIP 14 pins
 Caractersticas tcnicas
Parmetro 7402 74LS02 74S02 Unidad
Tensin de alimentacin Vcc 5 0.25 50.25 50.25 V
2.0 a 2.0 a 2.0 a
Tensin de entrada nivel alto VIH V
5.5 7.0 5.5
-0.5 a -0.5 a -0.5 a
Tensin de entrada nivel bajo VIL V
0.8 0.8 0.8
Tensin de salida nivel alto VOH
2.4 a 2.7 a 2.7 a
condiciones de funcionamiento: V
3.4 3.4 3.4
V CC = 4.75, VIL = 0.8
Tensin de salida nivel bajo VOL
0.2 a 0.35 a
condiciones de funcionamiento: 0.5 V
0.4 0.5
V CC = 4.75, VIH = 2.0
mx - mx -
Corriente de salida nivel alto IOH mx -1 mA
0.4 0.4
Corriente de salida nivel alto IOL mx 16 mx 8 mx 20 mA
Tiempo de propagacin 10.0 10.0 3.5 ns
 Caractersticas tcnicas
Valor
Parmetro VDD UNIDAD
Tpico Mximo
5 45 90 ns
Tiempo de propagacin In a On de nivel alto a nivel bajo
10 20 40 ns
tPHL
15 15 25 ns
5 40 80 ns
Tiempo de propagacin In a On de nivel bajo a nivel alto
10 20 40 ns
tPLH
15 15 30 ns
5 60 120 ns
Tiempo de transicin nivel alto a nivel bajo tTHL 10 30 60 ns
15 20 40 ns
5 60 120 ns
Tiempo de transicin nivel bajo a nivel alto tTLH 10 30 60 ns
15 20 40 ns