SLIDOS

SLIDOS
INTRODUCCIN
Estado de la materia que se caracteriza, a
diferencia de los lquidos y gases por tener una
dureza.
Cuando un lquido se enfra, las molculas se
mueven ms lentamente hasta que alcanzan un
punto donde ya no hay movimiento y las
molculas se agrupan en disposicin definida.
En este punto el lquido pasa a slido.


PROPIEDADES GENERALES

-Volumen y forma independiente

del recipiente que lo contiene.
-Son rgidos.
-Se difunden con lentitud.
-Prcticamente incomprensibles.
-Altas densidades.
-Altos puntos de fusin y
ebullicin.
-La mayora cristaliza,
presentando formas
geomtricas definidas.
CLASIFICACIN

SLIDO CRISTALINO
Presenta un ordenamiento
geomtrico regular. Sus
propiedades son funcin de
la direccin.
Se llaman sustancias
anisotrpicas porque sus
propiedades varan con la
direccin.
Presentan puntos de fusin
definidos.Ejemplo: hielo,
NaCl.
SLIDO AMORFO

No presenta un
ordenamiento geomtrico
regular. Se le considera
como un estado intermedio
entre los lquidos y cristales.
Sus propiedades no son
funcin de la direccin.
Se llaman sustancias
istropas porque sus
propiedades fsicas son las
mismas en todas las
direcciones.
No presentan puntos de
fusin definidos. Ejemplo:
goma, algunos plsticos y el
vidrio.
Ejemplos: Formas de la Slice

a) SiO2 cristalino
Cuarzo

b) SiO2 amorfo
Vidrio
SLIDOS CRISTALINOS
-ESTRUCTURA CRISTALINA
Localizacin completa de todas las partculas del
cristal en el espacio.
-RED CRISTALINA
Patrn tridimensional repetitivo o peridico de
partculas que forman el cristal. Se podra decir
que es un arreglo tridimensional de celdas
unitarias.
Celda Translacin Translacin Translacin
unidad eje Y eje X eje Z
-CELDA UNITARIA O ELEMENTAL
Parte ms pequea que permite reproducir toda
la red por traslacin.
El tamao y la forma de la celda unitaria estn
representados por las distancias a, b y c y por
los tres ngulos entre pares de lados que se
designan por , y .
-PARMETRO DE RED (CONSTANTE
RETICULAR)
Son las longitudes de los lados de las celdas
unitarias.
CS CBC (CCuC) CFC (CCaC)
SISTEMAS CRISTALINOS
Existen siete clases de celdas unitarias que se
denominan sistemas cristalinos.

REDES CRISTALINAS
Puede haber 14 modos de ordenar la partcula
en el espacio que se llaman las 14 redes de
Bravais.
SISTEMA EJES NGULOS ENTRE
CRISTALINO EJES
Cbico a=b=c = = = 90

Tetragonal a=bc = = = 90

Ortorrmbico abca = = = 90

Hexagonal a=bc = = 90; = 120

Trigonal (o a = b = c = = 90
Rombodrica)
Monoclnico abca = = 90; 90

Triclnico abca (Todos

distintos de 90)
NMERO DE TOMOS EN UNA CELDA
UNITARIA

UBICACIN DEL CONTRIBUYE A LA

TOMO CELDA UNITARIA
Vrtice o esquina 1/8 de tomo

Arista 1/4 de tomo

Centro de la cara 1/2 de tomo

Centro de la celda 1 tomo

NMERO DE COORDINACIN
Es el nmero de partculas que estn en
contacto con una determinada partcula en el
cristal.
CS CFC CBC

NC = 6 NC = 12 NC = 8

HCP

NC = 12
FACTOR DE ACOMODAMIENTO (F.A.)

Fraccin de espacio ocupado por los tomos en

la celda.

VOLUMEN .DE .LAS.ESFERAS.DENTRO.DE .LA.CELDA

F . A.
VOLUMEN .DE .LA.CELDA

% Volumen ocupado = Eficiencia de

empaquetamiento
= F.A. x 100
% Espacio libre = (1- F.A.) x 100
DENSIDAD
A partir de las caractersticas de la red, puede
obtenerse la densidad terica mediante la
siguiente expresin:
m m N 0 tomos.x.masa.atmica

V V VCELDA .x.N A
ESTRUCTURAS CRISTALINAS COMUNES
Son los empaquetamientos compactos.
EMPAQUETAMI N DE PARTCULAS PARME NMERO F.A.
ENTO POR CELDA TRO DE DE
UNITARIA RED COORDINA
CIN
CBICO 1 x 8 =1 a= 2 r 6 0,52
SIMPLE 8

CBICO DE 1x8+1x6=4 a = 2 2 r 12 0,74

CARA 8 2
CENTRADA
CBICO DE 1x8+1=2 a = 43 r 8 0,68
CUERPO 8 3
CENTRADO
HEXAGONAL 1 x 12 + 1 x 2 + 3 = 6 a = 2 r 12 0,74
COMPACTO 6 2 c2 = 8
a2 3
CBICA SIMPLE (CS)
Ejemplo: -Po, Hg
 Cbica simple

N de coordinacin:6
tomos por celda: 8 vrtices*1/8 =1
Relacin entre la longitud de arista y el
radio del tomo: 2r = a

Eficacia del empaquetamiento: 52%

r Vocupado 4 3r 3 4 3r 3
F.A.= 3
3
0.52
Vcelda a ( 2r ) 6
a
CBICA DE CARA CENTRADA (CFC)
Ejemplos: NaCl, Cu, Au, Al, Ag
4r

F.A.=
a
CBICA DE CUERPO CENTRADO(CBC)
Ejemplos: Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba
 Cbica centrada en el cuerpo
N de coordinacin:8
Cbica
tomos por celda: centrada
8 aristas*1/8 en el=2cuerpo
+ 1centro
Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo:
cc b N de coordinacin:8
3a
r tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 1centro =2
4
Relacin entre la longitud de arista y el radio del t
c b Eficacia del empaquetamiento: 68%
b 3a
r
Vocupado 424 3 r 3 24 3 r 3 3
0.68
2 2 2
b =a +a F.A.= 3
2 2 2
c a=a +b =3a 2 Vcelda
Eficacia del ( 4r
a empaquetamiento:) 3 8
68%
2 1/2 3
c= 4r =(3a )
Vocupado 24 3 r 3 24 3 r 3 3
0.
2 2 2
b =a +a 3
Cbicac2centrada
=a2+b2en =3ael2cuerpo (BCC): Fe, Cr,VMo, W, Ta, Ba. a
celda ( 4r ) 3 8
2 1/2 3
c= 4r =(3a )

Cbica centrada en el cuerpo (BCC): Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba.

HEXAGONAL COMPACTA (HC)
Ejemplos: Be, Mg, Zn, Cd, Ti
POLIMORFISMO
Fenmeno por el cual las sustancias pueden
cristalizar en ms de una forma geomtrica,
dependiendo de la temperatura y la presin.
Ejemplo: Al2O3 como alumina- y alumina-.
Alotropa: polimorfismo en elementos puros.
Ejemplo: el diamante, el buckminsterfullereno y el
grafito son constitudos por atmos de carbono
organizados en diferentes estructuras cristalinas.
Los polimorfos se representan como , , , ... en el orden
de temperatura creciente.
Ejemplo: Para el Fierro

-Fe (600C) -Fe(1100C)

cubica centrada cubica centrada
en el cuerpo en las caras
ISOMORFISMO
Fenmeno por el cual las sustancias pueden
cristalizar en la misma forma geomtrica.
El CaCO3 y MgCO3 ambos cristalizan en
empaquetamiento hexagonal.
CaCO3 (CALCITA) MgCO3 (MAGNESITA)
DIFRACCIN DE RAYOS X POR CRISTALES

Guillermo Bragg y su hijo Laurencio (fsicos

ingleses), indicaron que se podra considerar
que los rayos x son reflejados por los distintos
planos que forman el cristal.
Para comprender cmo se genera un patrn de
difraccin, considrese la dispersin de rayos X
producida por tomos en dos planos paralelos.
La diferencia del camino de los rayos x para
los dos planos ser igual a:

xy + yz = 2xy = 2d Sen
As resulta que la ecuacin de BRAGG,
formulada en 1913, es la siguiente:

n = 2d Sen

Si n=1 reflexin de primer orden

n=2 reflexin de segundo orden
.
.
.
 DISPOSITIVO PARA OBTENER UN PATRN
DE DIFRACCIN DE RAYOS X DE UN CRISTAL

Pantalla

Cristal

Haz de
rayos X Placa fotogrfica

Tubo de
rayos X
 TIPOS DE SLIDOS CRISTALINOS
TIPO DE INICO
CRISTAL

UNIDADES EN LOS Iones positivos y

PUNTOS RETICULARES negativos

FUERZA (S) QUE Atraccin electrosttica NaCl

MANTIENEN LAS
UNIDADES JUNTAS
PROPIEDADES Duros, quebradizos,
GENERALES altos puntos de fusin,
malos conductores del
calor y la electricidad.
EJEMPLO NaCl, LiF, MgO
TIPO DE COVALENTE O C: Grafito
CRISTAL MACROMOLECU-
LARES

UNIDADES EN LOS tomos

PUNTOS RETICULARES

FUERZA (S) QUE Unin covalente

MANTIENEN LAS Diamante
UNIDADES JUNTAS
PROPIEDADES Duros, altos puntos
GENERALES de fusin, malos
conductores del
calor y la
electricidad.

EJEMPLO C(diamante,grafito),
SiO2(cuarzo)
TIPO DE MOLECULAR
CRISTAL
UNIDADES EN LOS Molculas o tomos
PUNTOS RETICULARES
FUERZA (S) QUE Fuerzas de dispersin,
MANTIENEN LAS fuerzas dipolo- dipolo,
UNIDADES JUNTAS enlaces de hidrgeno Agua H2O
PROPIEDADES Suaves, bajos puntos
GENERALES de fusin, malos
conductores del calor y
de la electricidad.

EJEMPLO Ar, CO2, I2, H2O,

C12 H22O11 (sacarosa)
TIPO DE METLICO
CRISTAL
UNIDADES EN LOS tomos
PUNTOS RETICULARES
FUERZA (S) QUE Enlace metlico
MANTIENEN LAS
-Fe
UNIDADES JUNTAS
PROPIEDADES Suaves o duros, de
GENERALES bajos o altos puntos
de fusin, buenos
conductores del
calor y de la
electricidad.

EJEMPLO Todos los

elementos
metlicos por ejem.
Hg, Fe, Cu.
 ALEACIN
Debido a la naturaleza del cristal metlico, es
posible introducir otros elementos con relativa
facilidad para producir sustancias llamadas
aleaciones.
Una aleacin se define mejor como una
sustancia que contiene una mezcla de
elementos y tiene propiedades metlicas.
Las aleaciones metlicas
estn formadas por un
agregado cristalino de dos
o ms metales o de metales
con metaloides.
Las aleaciones se obtienen
fundiendo los diversos
metales en un mismo crisol
y dejando luego solidificar
la solucin lquida formando
una estructura granular
cristalina apreciable a
simple vista o con el
microscopio ptico.
Los siguientes son ejemplos de aleaciones
empleadas en ingeniera:

Acero: aleacin de hierro y carbono.

Acero inoxidable: aleacin de hierro, carbono,
cromo y nquel.
Latn: aleacin de cobre y zinc.
Bronce: aleacin de cobre y estao.
TIPOS COMUNES DE ALEACIONES
ALEACIN DE SUSTITUCIN

Parte de los tomos

metlicos originales son
sustituidos por otros
tomos de tamao similar.
Ejm. Zn-Cu y Ni-Cu
Aproximadamente la
tercera parte de los
tomos del nquel son
sustituidos por tomos de
cobre (Ni-Cu).
Para que un sistema de aleacin, tenga solubilidad
slida ilimitada, deben satisfacerse ciertas
condiciones conocidas como las Reglas de Hume-
Rothery:

El radio atmico de cada uno de los dos elementos no debe diferir

en ms del 15%,para minimizar la deformacin de la red.

Los elementos no deben formar compuestos entre s. Es decir, no

debe haber diferencias apreciables en la electronegatividad de

cada elemento.

Los elementos deben tener la misma valencia.

La estructura cristalina de cada elemento de la disolucin slida

debe ser la misma.

Sustitucional pequeo

Sustitucional grande
ALEACIN INTERSTICIAL

Se forma cuando algunos

intersticios (huecos) entre
los tomos metlicos con
empaquetamientos
cercanos son ocupados
por tomos mucho ms
pequeos.
Ejm. El acero
Contiene tomos de
carbono en los huecos
de un cristal de hierro.
La presencia de tomos
intersticiales cambia las
propiedades del metal
original.
Muchos tipos de acero
contienen otros elementos Fe C
adems de hierro y carbono;
se llaman ALEACIONES DE
ACERO y se consideran
como aleaciones mixtas de
tipo intersticial (carbono) y
de sustitucin (otros Estructura granular
metales). del acero
DEFECTOS CRISTALINOS
La cristalizacin nunca es perfecta. Como en
cualquier proceso natural se producen
imperfecciones en el crecimiento. Estas
imperfecciones reciben el nombre de defectos
cristalinos. Son las responsables de
variaciones en el color o la forma de los
cristales.
DEFECTOS DE PUNTO
Se presentan en un cristal formado por un solo
tipo de tomos o molculas.
-Vacancias: Se producen por la ausencia en la
red de un elemento. Las vacancias, al igual que
otros defectos, pueden desplazarse libremente a
lo largo de la red.
-tomos intersticiales: Inclusin en la red de un
tomo fuera de las posiciones reticulares. Con
frecuencia este defecto se presenta unido a una
vacancia, pues la formacin de una vacante
favorece la aparicin de un tomo intersticial.
-Sustituciones: Entrada en la red de un tomo
diferente, pero de similar radio inico que el que
la compone.
-Dislocaciones: Aparicin de nuevas filas de
elementos cuando en el plano anterior no
existan.
 En los slidos inicos se dan ciertos casos
especiales de estos defectos de punto.
-Defecto FRENKEL
Es una imperfeccin combinada Vacancia
Defecto intersticial. Ocurre cuando un in salta
de un punto normal dentro de la red a un sitio
intersticial dejando entonces una vacancia.
 catin intersticial

vacante catinica

Se da en: - AgCl (Ag+ intersticial)

- CaF2 (F- intersticial)
-Defecto SCHOTTKY
Es un par de vacancias en un material con
enlaces inicos. Para mantener la neutralidad,
deben perderse de la red tanto un catin como
un anin.
-Centros F de color
Un centro F es un electrn (e-) atrapado en una
vacante aninica.

e-
DEFECTOS DE LINEA (DISLOCACIONES)
-Dislocacin de arista. Hay un plano parcial
adicional de tomos.
-Dislocacin de tornillo. Parte de un conjunto
de planos de la red se ha desplazado una o
ms unidades de red en relacin con los planos
vecinas.
DEFECTOS DE PLANO

Los slidos suelen

tener estructura
microcristalina, la
interfaz entre dos
microcristales con
orientaciones
diferentes es un
ejemplo de defecto
de superficie o de
plano.
SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es una sustancia que se comporta
como conductor o como aislante, dependiendo de la
temperatura del ambiente en que se encuentre.
Los semiconductores son usualmente materiales
cuyos intervalos de banda de energa son menores de
2 eV.
Tienen resistividad variable, pueden variar entre 10-5 y
107 m.
Pueden ser cristalinos o amorfos.
Su composicin:
-Elementales, intrnsecos o puros (silicio, germanio).
-Compuestos, extrnsecos, o impuros.
Ejemplos:
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio
(Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y
InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y
CdTe
Tabla peridica donde se indica los elementos semiconductores y los
elementos que forman compuestos semiconductores (columnas III/V
y II/VI)
Segn las caractersticas principales de los materiales, un
clasificacin puede ser:

Conductores Aislantes Semiconductores

(.cm) 10-5 1010 101

n (cm-3) 1020 102 1010

Para romper uno de los enlaces covalentes hay que aplicar una
energa de 0,7 eV (Si) 1,1 eV (Ge) > Energa de ionizacin.

COBRE: = 10-6-cm
MICA: = 1012-cm
SILICIO: = 50x103-cm
GERMANIO: = 50 -cm

Enlaces covalentes
Para que la conduccin de la electricidad sea posible, es
necesario que haya electrones que no estn ligados a
un enlace determinado (banda de valencia), sino que
sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de
conduccin). La separacin entre la banda de valencia y
la de conduccin se llama banda prohibida, porque en
ella no puede haber portadores de corriente (la
diferencia de energa entre ambas bandas es el gap de
energa semiconductor, Eg).
El nmero de electrones libres de un semiconductor
depende de los siguientes factores: calor, luz, campos
elctricos y magnticos.
El ms importante de los materiales electrnicos es el
silicio puro, al que se puede modificar para cambiar sus
caractersticas elctricas. Con estos materiales se han
podido crear, fabricar los circuitos integrados que han
revolucionado la industria electrnica y de ordenadores.
De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear
tambin el azufre. La caracterstica comn de todos
ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una
configuracin externa de 3s2 3p2.
 SILICIO

Despus del oxgeno, -Fabricacin de componentes

el silicio es el elemento electrnicos.
ms abundante en la - Construccin de ladrillos, vidrios
corteza terrestre en: y otros materiales.
arena, cuarzo, granito, -Silicona para implantes mdicos.
arcilla, etc.
El Silicio: El Germanio:
Ms utilizado. No muy usado.
Material gris quebradizo, con Material gris quebradizo, con
estructura cbica de diamante. estructura cbica de diamante.
Banda de energa es de 1.1 eV. Banda de energa es de 0.67 eV.
Ventaja: opera a mayores Opera a temperaturas no
temperaturas. mayores de 80C.
Estructura atmica: red cristalina. Estructura atmica: red cristalina
Enlaces entre tomos: Enlaces entre tomos:
covalentes. covalentes
Electrones de valencia: 4 Electrones de valencia: 4
ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR

Los semiconductores son

elementos que tienen en
su ltimo orbital entre 2 y
6 electrones de valencia.
Los semiconductores
estn formados por
arreglos ordenados
cristalinos de tomos en
los cuales los vecinos
ms cercanos estn
unidos por enlaces
covalentes.
NIVELES ENERGTICOS
Mientras ms distante se encuentre el electrn del
ncleo, mayor es el estado de energa, y cualquier
electrn que haya dejado a su tomo, tiene un estado
de energa mayor que cualquier electrn en la
estructura atmica.

Energa

Banda de conduccin

Banda prohibida

Banda de valencia
 1 eV = 1,6 x 10-19 J
Eg = 1,1 eV (Si)
Eg = 0,67 eV (Ge)
Eg = 1,41 eV (GaAs)

Energa Electrones Energa Energa

libres para
Banda de conduccin establecer la Banda de conduccin Banda de conduccin
conduccin Las bandas
se traslapan
Eg 0,5-5 eV Banda de valencia
Banda prohibida
Eg > 5 eV

Banda de valencia
Banda prohibida Electrones
de valencia
unidos a la
Banda de valencia estructura
atmica

Aislante Semiconductor Conductor

BANDAS DE ENERGA

Son los niveles de un tomo los cuales pueden estar

influenciados por energa externa o energa interna, en
el tomo con estructura cristalina ordenada estn: la
banda de conduccin, la banda de valencia.
BANDAS DE ENERGA DE UN
SEMICONDUTOR
A simple vista sera imposible que un semiconductor
permitiera el movimiento de electrones a travs de sus
bandas de energa.
Sin embargo esta situacin solo se presentara cerca
de los 0 K (cero absoluto).
 Electrones exitados
trmicamente

A temperaturas ms
altas algunos de los
electrones de la banda
de valencia rompen sus
enlaces y saltan
espontneamente hacia
la banda de conduccin

Huecos formados por

los electrones
TIPOS DE SEMICONDUCTORES
Intrnsecos
Con propiedades semiconductoras, por su composicin
natural
Extrnsecos
Son semiconductores intrnsecos, a los que se aaden
impurezas (en un proceso llamado dopado), para mejorar sus
propiedades.
Tipo N
El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material (los electrones son
portadores de carga negativa).
Tipo P
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de
huecos (los huecos son portadores de carga positiva).
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Tienen estructura cristalina. Existen el mismo nmero de
portadores positivos (huecos que quedan en la banda de valencia)
que negativos (electrones que estn en la banda de conduccin).
Es un semiconductor puro (sin impurezas, sin dopado). Su
conductividad es debida a los electrones y a los huecos.

n : concentracin electrones n = p = ni
p : concentracin de huecos (concentracin intrnseca)
 Electrones libres y zona de
conduccin (conductor)

En equilibrio (aislante)
Ge: ni = 21013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Se introducen en el material mediante un proceso de
dopado impurezas donadoras (tipo n, tomos del
grupo V) o aceptoras (tipo p, tomos del grupo III).
Aparecen las corrientes de difusin. Las partculas
tienden a dispersarse desde regiones de alta
concentracin a regiones de baja.

Ocurre cuando no es homognea la distribucin de

portadores en la pastilla semiconductora.
Proceso conocido como dopaje del cristal de silicio:

TIPO N:
TIPO P:
Portadores mayoritarios
Portadores mayoritarios
electrones (-)
huecos (+)
MATERIALES MODERNOS
POLMEROS
Son materiales orgnicos, livianos, dbiles y
con un bajo punto de fusin.
Termoplsticos
- Polietileno, PVC, Nylon
- Poliestireno expandido
Termoestables
- Bakelita, epxicos, polyester,
silicona
Elastomricos
- Goma, neopreno, silicona
MATERIALES CERMICOS

Vidrio: producto
inorgnico que se ha
enfriado a una
condicin cristalina
(SiO2).

Cermicas: slidos
inorgnicos
policristalinos. (Al2O3,
SiO2, Si3N4, SiC)
CRISTALES LQUIDOS
Un cristal es precisamente lo
opuesto a un lquido. Y sin
embargo existen sustancias
reales, los cristales lquidos,
que exhiben la dualidad
slido-lquido, es decir, que,
simultneamente, poseen
propiedades de los lquidos,
fluidez y viscosidad, y
propiedades pticas que se
parecen de modo asombroso
a las de los cristales como,
por ejemplo, poder reflejar
colores diferentes
dependiendo del ngulo bajo
el cual se les observe.
SUPERCONDUCTIVIDAD

Por superconductividad
entendemos una
propiedad de
determinados materiales
que por debajo de una
temperatura crtica no
ofrecen resistencia a la
corriente elctrica. En
estas condiciones son
capaces de transportar la
energa elctrica sin
perdidas... o generar
campos magnticos
inmensos.
MATERIALES COMPUESTOS

KEVLAR

FIBRA DE VIDRIO

FIBRA DE CARBONO
SELECCIN DE MATERIALES
-Bsqueda de informacin: Propiedades
(dureza, ductilidad, flexibilidad, limites de
resistencia, peso, costo).
-Matriz de comparacin y seleccin: Se
asignan ponderaciones a cada propiedad segn
la aplicacin.
-Seleccin: Se selecciona el material disponible
que cumpla con el mayor nmero de
requerimientos
PROBLEMA 1: El hierro a temperatura ambiente presenta una
estructura cbica centrada en el cuerpo con un parmetro de red de
2,87 . Sabiendo que su masa atmica es 55,85 g/mol, determinar:
a) La densidad del hierro en kg/m3.
b) El radio atmico del hierro.
c) El nmero de celdas unitarias existentes en 1 g de hierro.
SOL.
a) Fe: CCuC 1 celda: 2 tomos a = 2,8710-8 cm
n tFe.PAFe 2 55,85 g
= = = 7,845
NA.Vc 6,023 1023 .(2,87 10-8)3 cm3

g 1kg 106 cm3

= 7,845 = 7,845 103 kg / m3
cm3 103 g 1m3
b) Fe: CCuC a=2,8710-8 cm
4 3
a= 3 r y r= a
3 4

3
rFe = 2,8710-8 cm = 1,2427 10-8 cm
4
c)
1 celda at 1 mol
6,023 1023 = 5,3921 1021 celdas/g
2 at mol 55,85 g
PROBLEMA 2: La amalgama dental es una aleacin comercial,
formada por una solucin slida sustitucional, Ag-Sn-Cu con una
riqueza en plata de 70% en masa y 18 % en masa de estao, y
presenta una estructura cbica de cara centrada. Calcular:
a) La densidad de la aleacin.
Radios atmicos (nm): Ag(0,144)
b) El factor de acomodamiento. Cu(0,128)
SOL. Sn(0,162)
a)Base: 100 g de solucin
%m n at %at Base: 100 tomos
Ag 70 70/107,87 = 0,6489 0,6489 NA 65,5852 65,5852
Sn 18 18/118,69 = 0,1517 0,1517 NA 15,3325 15,3325
Cu 12 12/63,55 = 0,1888 0,1888 NA 19,0823 19,0823
0,9894 NA 100,0000
(n t PA)i
=
NA nceldas Vc [1 + ( %exp/100 )]
Aleacin: CCaC : 4 at
a = 22 r
n celdas = 100/4 = 25

n tAg PAAg + n tSn PASn + n tCu PACu

=
NA nceldas Vc

65,5852 07,87 + 15,3325118,69 + 19,0823 63,55

=
6,023 1023 . 25 . (22 0.144 10-7)3

= 9,9347g/cm3
b)
(n t Vat)i
F.A. =
nceldas Vc [1 + ( %exp/100 )]

n tAg Vt.Ag + n tSn Vt.Sn + n tCu Vt.Cu

F.A. =
nceldas Vc

4/3 [65,5852(0.144 10-7)3 +15,3325(0.144 10-7)3 +19,0823 (0.144 10-7)3]

F.A.=
25 (22 0.144 10-7)3

F.A. = 0,7466
PROBLEMA 3: Una aleacin AB que contiene 25,72 % atmico de A
y 74,28 % atmico de B se form al disolverse intersticialmente B en
A. Calcular la densidad de la aleacin si el metal base A de radio
atmico 1,2 presenta un empaquetamiento hexagonal compacto y
una expansin volumtrica de 1,8 %.
Masas molares: A(20) , B(12,55)
SOL.
Base: 100 tomos celda HCP : 6 tomos , c2/a2=8/3
%at tomos VHCP = 242 r3= 3 2 a3 =3/2 3 a2c
A 25,72 25,72 1celda 6 part
B 74,28 74,28 x= 4,2867 25,72 part
n tA PAA + n tB PAB
=
NA nceldas Vc [1 + ( %exp/100 )]
25,72 20 + 74,28 12,55
= = 9,3842 g/cc
6,023 1023 4,2867 24 2(1,2 10-8)3 1,018
PROBLEMA 4: El bromuro sdico (NaBr), cristaliza en la misma
empaquetadura que el cloruro de sodio (cbico de cara centrada para
el in Na+ y para el in Cl-). El compuesto bromuro sdico se calienta
en vapor de sodio y solamente los lugares vacantes de Na+ se llenan
con tomos de sodio. Considerando que la constante reticular de la
celda unitaria es 5,94 , calcular:
a) La frmula del nuevo cristal, si inicialmente hay 2% de lugares
vacantes totales.
b) La densidad del cristal no estequiomtrico.
SOL. 4 aniones: 4 Na+
a) Estructura CCaC NaCl 4 cationes: 4 Br -
Iones iniciales %vacante iones vacantes llenado Na iones final
Na+ 4 2 0,08 0,08 4,00
Br - 4 2 0,08 ------------- 3,92
Frmula del nuevo cristal: Na4Br3,92 o NaBr0,98
b) 4 22,99+3,92 79,9
= = 3,2097 g/cc
6,023 1023 (5,94 10-8)3
PROBLEMA 5: El espaciamiento entre planos sucesivos de tomos
de platino paralelos a la cara de la celda unitaria es de 2,256 .
Cuando la radiacin X que emite el cobre se hace incidir sobre un
cristal de platino metlico, el ngulo mnimo de difraccin de rayos X
es de 19,98 cul es la longitud de onda (en nm) de la radiacin del
cobre?
SOL.
Aplicando la ecuacin de Bragg: n = 2dsen

2dsen 2 2,256 sen 19,98

= =
n 1

10-8 cm 1nm
= 1,5417 = 0,1542 nm
1 10-7 cm