Professional Documents
Culture Documents
Is
VS1 S1 VS3 S3
+
+ Semiconvertidor de C. D. Vo
+
Vr Vo
+
+ 1 .5
Vp Vs = Vm Sin w t -
-
-
+
VL
1
0. 5
Ser
- -
ie1
-
VD4 D4 D2
VD2
0
0 30 60 90 1 20 1 50 1 80 21 0 240 270 300 330 360
+
+
-0. 5
-1
SEMICONVERTIDOR MONOFASICO
-1 . 5
a=0
a=120
Semiconvertidor de C. D. Vo Semiconvertidor de C. D. Vo
1 .5
1 .5
0. 5
Ser 1
Ser
ie1
0. 5
0
0
ie1
0 30 60 90 1 20 1 50 1 80 21 0 240 270 300 330 360
0 30 60 90 1 20 1 50 1 80 21 0 240 270 300 330 360
-0. 5
-0. 5
-1
-1
-1 . 5
-1 . 5
Vm
Vdc ( 1 + Cos a )
1 1
Vrms o d (wt ) m
2 2
V (V Sen wt ) d ( wt )
0
a
Vm a 1
Vrms Sen(2a)
2 2
Ing. Javier Rodrguez Bailey
a=0
-
VS1
-
+
Convertidor completo de C. D. Vo
S1 VS3 S3 +
1.5
Is
+
Vr Vo
+
+
Vp Vs = Vm Sin w t -
1
Ser
- +
VL
0.5
ie1
- 0
- - - 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360
VS4 S4 S2 -0.5
VS2
+
-1
-1.5
CONVERTIDOR COMPLETO
MONOFASICO
a=60 a=120
Convertidor completo de C. D. Vo Convertidor completo de C. D. Vo
1.5 1.5
1
Ser 1
Ser
0.5
ie1
0.5
ie1
0 0
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360
0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360
-0.5
-0.5
-1
-1
-1.5
-1.5
2 Vm
Vdc Cos a
a
1 1
Vrms o d (wt ) a
2
V (Vm Sen wt ) 2 d (wt )
0
Vm
Vrms
2
Ing. Javier Rodrguez Bailey
Semiconvertidor trifsico
Voltaje
SEMICONVERTIDOR TRIFASICO
S1 S3 S5
2 a=0 Vo
1.6
X
1.2
A a 0.8
+ 0.4
B b Vo
0
-0.4
-0.8
C
c - -1.2
-1.6
-2
n Y 0 60 120 180 240 300 360
D4 D6 D2
Angulo
Voltaje
a=45 Vo
Voltaje a=75 Vo
2
1.6 2
1.2 1.6
1.2
0.8
0.8
0.4 0.4
0 0
-0.4 -0.4
-0.8 -0.8
-1.2
-1.2
-1.6
-1.6 -2
-2 0 60 120 180 240 300 360
0 60 120 180 240 300 360 Angulo
Angulo
S1 S3 S5 Vo
2
X
a=0
1.6
A a +
1.2
0.8
B b Vo
0.4
0
-0.4
C -0.8
c -1.2
-
-1.6
n Y -2
D4 D6 D2 0 60 120 180 240 300 360
Angulo
Semiconvertidor trifsico
Semiconvertidor trifsico
Voltaje
Vo
2 Voltaje Vo
1.6 2
1.2 1.6
a=45 a=75
0.8 1.2
0.8
0.4 0.4
0 0
-0.4 -0.4
-0.8
-0.8 -1.2
-1.2 -1.6
-1.6 -2
-2 0 60 120 180 240 300 360
Angulo
0 60 120 180 240 300 360
Angulo
Ing. Javier Rodrguez Bailey
SEM ICONVERTIDOR TRIFASICO
1 Cosa
Vdc 3 3 Vm
2
3 1
a
Vrms 3 Vm [ a Sen(2a)]
3
4 2
3
a
Vrms 3 Vm 0.2355 cos(2a)
3
8
S1 S3 S5 Vo
Voltaje
X 2
1.6
A a +
1.2
0.8
0.4
B b Vo
0
-0.4
-0.8
C
c -1.2
-1.6
a=45
-
-2
0 60 120 180 240 300 360
n Y Angulo
a=75 S4 S6 S2
Vm
Vdc 3 3 Cos a
2 a
2 3
1 3
Vrms V d (wt ) a
2
( 3 Vm Sen wt ) 2 d ( wt )
2
o
0
3
1 3 3
Vrms 6 Vm Cos (2a )
4 8 Ing. Javier Rodrguez Bailey
A continuacin se analizara el
comportamiento de los convertidores
monofsicos desde el punto de vista
del factor de potencia y contenido de
armnicas que agregan la red de
corriente alterna.
1 2 1 2
ao
2 0 f(t) d(wt ) an f(t) Cos(nwt ) d(wt)
0
1 2
bn 0 f(t) Sen (nwt ) d(wt )
1
ao 2
d(wt ) 2 2
1 1 1
a n Cos (nwt ) d(wt ) n Sen(nwt ) n Sen n( ) sen(n)
1 1
Usando Sen A SenB 2 Cos 2 (A B) Sen 2 (A B)
a n n cos 2 ( 2) Sen 2 n Cosn( 2 )Sen 2
2 n n 2 n
f(t)
n 1, 3, 5...
4 Sen n
n 2 Cosn( 2 ) Cos nwt Senn( 2 ) Sen nwt
f(t) 4 n
n Sen 2 Cos n(wt 2 )
n 1, 3, 5...
Ing. Javier Rodrguez Bailey
Convertidor completo
monofsico
-
- Se analizara el convertidor
VS1 S1 VS3 S3
+
+ completo monofsico de la
Is +
Vr Vo figura con una carga formada
+
+
Vp Vs = Vm Sin w t -
de un motor de C. D.
Debido a la inductancia grande la corriente por la carga
ser continua y constante. Los tiristores al dispararse con
un atraso de ngulo a controlaran el voltaje promedio
aplicado a la carga.
2Vm Vm Vdc E
Vdc Cosa Vrms I dc I rms Ia
2 R
f . p. 0.9003 Cosa
4Ia
is
n 1,3... n
Sen(nwt na)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Alfa 0 15 30 45 60 75 90
Ing. Javier Rodrguez Bailey
Armnicas de convertidor
completo
Para el convertidor monofsico se
tendrn los siguientes valores:
Fdist = =.9003
Fdesp = Cos a
F. P. = 0.9003 Cos a
I1 = 90.03% I7=12.86%
I3= 30.01% I9=10.0%
I5= 18% THD= 48.34%
-
-
En el semiconvertidor mostrado
VS1 +
Is
S1 VS3 S3 +
en la figura la carga ser una
+
Vr Vo
resistencia (R), una inductancia
+
+
Vs = Vm Sin w t -
- +
muy grande (L) y una fuente de
VL
-
D4
-
D2
- directa (E), que podra
VD4 VD2 +
VE
- -
representar la armadura de un
+
motor de C. D.
Vm Vm a 0.5Sen(2a )
Vdc 1 Cosa Vrms
2
2 1 Cosa
4I a n( a ) na
f . p. is
n 1,3.. n
Sen Sen ( nwt )
( a ) 2 2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 30 60 90 120 150 180
Alfa
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 30 60 90 120 150 180
Alfa
100%
50%
0%
Alfa 0 30 60 90 120 150 180
Ing. Javier Rodrguez Bailey
Como mejorar el factor de
potencia en convertidores de C.
A. a C. D
Para poder mejorar el factor de
-
-
potencia se usara un
VS1 +
Is
S1 VS3 S3 + semiconvertidor con tiristores con
+
+ Vs = Vm Sin w t
Vp - DM
- + apagarse (se puede usar GTO) y se
- VL necesita agregar un diodo (DM)
- -
VD4 D4
VD2
D2
+ para permitir que la corriente de la
VE
- - carga pueda seguir circulando
+
Vm Vm 0.5Sen(2 )
Vdc 1 Cos Vrms
2
2 1 Cos i 4Ia Sen n Sen(nwt n )
f . p. s
n 1,3... n
( ) 2 2
2Vm Vm Sen
Vdc Sen Vrms
2 2
2 2 4I a n
f .p. Sen is Sen Sen nwt
2 n 1, 3.. n 2
Ing. Javier Rodrguez Bailey
Vcd y f.p de control de ngulo simtrico
Control de ngulo simtrico
VCDnormalizado Fdesp Fdist=F.P.
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 30 60 90 Beta 120 150 180
100.00%
50.00%
0.00%
0 30 60 90 Beta120 150 180
Ing. Javier Rodrguez Bailey
Ondas de modulacin de ancho de pulso uniforme
p
Vm
V dc
Cos a
m 1,2,...
m Cos(a m m )
p
1 1 1
V rms Vm 2
m 2
m 1,2,...
Sen (2a m )
2
Sen (2a m 2 )
m
2I a p
is
n 1,3,...
Cn Sen nwt donde Cn
n m1,2
Cos(na m ) Cos n a m n m
150.00%
100.00%
50.00%
0.00%
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Indice de m odulacin
p
Vm
V dc
Cos a
m 1,2,...
m Cos(a m m )
p
1 1 1
V rms Vm 2
m 1,2,...
m 2 Sen (2a m )
2
Sen (2a m 2 )
m
p
2I a
is
n 1,3,...
Cn Sen nwt donde Cn
n
Cos(na
m 1,2
m ) Cos n a m n m
250%
200%
150%
100%
50%
0%
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Indice de modulacin