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El transistor de unin bipolar (del inglesBipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
los transistores pueden parecer simples. Sin embargo, su desarrollo requiri muchos
aos de investigacin. Antes de los transistores, muchos elementos electrnicos
usaban los dispositivos conocidos como vlvulas, y otros tenan conmutadores
mecnicos para realizar sus tareas. Todo esto cambi en 1958, donde unos ingenieros
pusieron dos transistores en un cristal de silicona creando el primer circuito integrado,
que ms tarde condujo al microprocesador.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO:
Las funciones que puede tener un transistor son variadas, ya que puede
amplificar, conmutar, rectificar y hacer de oscilador.
El funcionamiento es el sgt :El emisor enva electrones y el colector los recibe, y
la base simplemente modula el paso de dicho electrones. Si aplicamos una
corriente elctrica entre el emisor y la base, variar la que va desde el emisor y el
colector. Esta es una de las bases de amplificacin del transistor.
ESTRUCTURAS Y SIMBOLOGAS:
Los transistores de unin bipolares (BJTs) son dispositivos de estado slido
formados por tres capas (o zonas) dopadas alternativamente, donde la capa
intermedia es muy estrecha en comparacin con la longi tud de difusin de los
portadores minoritarios correspondientes a esa capa. Dependiendo de que la
capa intermedia sea tipo n o tipo p el transistor ser pnp o npn, respectivamente.
En las figuras 1.1 y 1.2 se muestran las estructuras bsicas de ambos tipos de
transistores as como los smbolos correspondientes.
Figura 1.1 Transistor npn. (a) Estructura bsica. (b) Smbolo.
Figura 1.4 Regiones de funcionamiento de los BJT. (a) Transistor npn;(b) Transistor pnp.
FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO:
Dentro de este apartado se va a realizar una descripcin cualitativa del funcionamiento d
los transistores bipolares. Este estudio debe servir para entender el comportamiento d
los BJTs y las diferentes corrientes que se generan ante las diferentes situaciones d
polarizacin (directa e inversa) de las dos uniones: base-emisor y base-colector.
Figura 1.6 Transistor pnp en equilibrio trmico. (a) Diagrama de bandas de energa; (b)
densidad de cargas; (c) campo elctrico.
POLARIZACIN DEL BJT:
De acuerdo a su polarizacin el diodo tiene distinto comportamiento de acuerdo a sus
uniones .
Unin BE
Unin CE
e) Para dar una idea del grado de las aproximaciones expuestas en el prrafo anterior, se
definen dos parmetros: factor de transporte de base (T) y eficiencia de inyeccin de
emisor () que vienen dados por:
Finalmente indicar que en la regin activa las corrientes de emisor, base y colector
(definidas de acuerdo con el criterio adoptado siempre son positivas (IE>0, IC>0, IB>0),
ya que tanto las corrientes de emisor como la de colector son la suma de dos
componentes, y nicamente en la corriente de base aparece un trmino que resta (IB3);
pero su valor es muy pequeo frente a la suma de los otros dos, ya que se trata de una
corriente inversa de saturacin (unin B-C en inverso).
REGIN ACTIVA INVERSA:
Esta regin de funcionamiento se caracteriza por tener la unin B-E en inverso y la B-C en
directo. Se trata, por tanto, de un modo de funcionamiento similar al de la regin activa
directa. De hecho si el transistor fuera totalmente simtrico (zonas de colector y emisor
iguales en dimensiones y nivel de dopado) el comportamiento en las regiones activas
directa e inversa sera exactamente el mismo. Las diferentes componentes de corriente
para este modo de funcionamiento se muestran en la figura 1.8.
IEp = corriente de emisor debida a los
huecos inyectados desde el colector
(que atraviesan la unin B-C, zona de
base y unin B-E).
IEn = corriente de emisor debida a la
corriente inversa de saturacin
(electrones generados trmicamente).
ICn =corriente de colector debida a los
huecos que se inyectan (difusin)
desde la base, a travs de la unin B-C
polarizada en directo.
ICp =corriente de colector debida a los
huecos que se inyectan (difusin)
desde el propio colector, a travs de la Figura 1.8 Componentes de corriente y flujo de portadores e
unin B-C polarizada en directo un transistor pnp funcionando con la unin B-E en inverso y
IB1 = corriente de base debida a la unin B-C en directo (regin activa inversa).
corriente inversa de saturacin
(electrones generados trmicamente).
IB2 = corriente de base debida a los
electrones que entran en la base para
reemplazar los electrones que se
recombinan con los huecos inyectados
desde el colector.
IB3 = corriente de base debida a los
electrones que se inyectan (difusin)
desde la propia base.
Como se puede comprobar, en este caso, es el colector el que inyecta portadores y el emisor
el que los recolecta (al contrario de lo que ocurra en la regin activa directa).
Las corrientes de emisor, colector y base vienen dadas por:
Donde:
Al igual que en la regin activa directa, en la activa inversa tambin se puede definir los
parmetros: factor de transporte de base y eficiencia de inyeccin de emisor, que en este
caso definiremos por las letras TR y R, respectivamente.
Es evidente que si no existe recombinacin en la base (IB20) entonces TR1. Y tambin R
1 si ICn0.Otro parmetro que se define en la regin activa es el alfa de corriente continua
(RC) que representa, aproximadamente, el cociente entre la corriente de emisor y colector
(RC<1):
Y como en la regin activa inversa se cumple que IEn<< IEp , entonces la ecuacin <1.21>
se puede escribir :
Tanto la corriente de emisor como la de colector pueden tomar valores que pueden ser
positivos o negativos.
Esto es, si IEp1 + IEn > IEp2, entonces IE es positiva, en caso contrario ser negativa. Algo
similar se puede decir de la corriente de colector: si ICp1>ICp2 + ICn, entonces IC es positiva
en caso contrario ser negativa.
Las posibles combinaciones de signos que se pueden dar entre IE e IC son tres: IE >0 e IC >0,
IE <0 e IC <0, IE >0 e IC <0. Esta ltima conclusin se puede demostrar fcilmente a partir de
las ecuaciones <1.24> a <1.29>; en efecto, se puede escribir: IE = ICp1 - ICp2 +IEn +IB2 +IB3
.ICp1 - ICp2 +IEn e IC = ICp1 - ICp2 -ICn.
Es evidente que la nica situacin que no puede darse es IE < 0 e IC >0, ya que ello supondr
que ICp1 - ICp2 +IEn <0 e ICp1 - ICp2 -ICn >0 y esto no es posible.
La corriente de base siempre es positiva. Es evidente que en saturacin, los cocientes
IC/IE e IC/IB nada tienen que ver con las relaciones establecidas para el caso de que el
transistor est funcionando en la regin activa (esto es, en saturacin: DC IC/IE y dc
IC/IB, siendo DC y DC los parmetros definidos para el caso de que el transistor est
funcionando en la regin activa). Es ms, dado que la corriente de colector en saturacin
(ecuacin <1.24>) siempre es inferior a la de la regin activa y la corriente de base
siempre es superior en saturacin (ecuacin <1.25>) que en activa
Se puede decir que en saturacin se cumple la desigualdad DC >IC/IB (evidentemente,
en el caso de funcionamiento en el lmite entre activa y saturacin se cumple tambin
DC =IC/IB).
Algo similar se puede decir si se compara son la regin activa inversa. En saturacin RC -
IE/ Ic y RC-IE/ IB, ya que estos dos parmetros se definen exclusivamente para la regin
activa inversa. Ahora la corriente de colector en saturacin (ecuacin <1.24>) siempre es
mayor que la regin activa inversa, y las corrientes de base es inferior en saturacin
(ecuacin <1.25>) que en activa inversa. Se puede decir que en saturacin se cumple la
desigualdad RC> -IE/ IB
REGIN DE CORTE:
La regin de corte se caracteriza porque las dos uniones estn polarizadas en inverso. Por
tanto, las componentes de corriente son las que se muestran en la figura 1.10 y todas
ellas representan corrientes inversas de saturacin, y sus valores sern muy pequeos. En
este modo de funcionamiento las corrientes de emisor y base (definidas con el criterio de
la figura 1.3) son negativas y la de colector es positiva. En efecto, de la figura 1.10 se
deduce que:
Para finalizar, indicar que definiendo las corrientes de emisor, base y colector, los signos de
estas corrientes en funcin de la regin de funcionamiento, junto con los valores de las
tensiones en las tres uniones.
APLICACIONES:
Una de las aplicaciones ms importantes de los transistores en electrnica analgica es la
de amplificacin de seales elctricas de amplitud variable, tanto de voltaje como de
corriente. Dependiendo de la funcin que se pretenda realizar, los circuitos amplificadore
TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR:
La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo
mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia est en que
mientras en el primero es necesario que haya algn tipo de control mecnico, en el BJT la
seal de control es electrnica. En la Figura 3 se muestra la aplicacin al encendido de
una bombilla.