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http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.pdf
MECANISMO DE CONDUCCIÓN DE UN
SEMICONDUCTOR
• Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia
de potencial o corriente eléctrica, se producen dos flujos
contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres
que saltan a la “banda de conducción” y otro por el movimiento de
los huecos que quedan en la “banda de valencia” cuando los
electrones saltan a la banda de conducción.
• La adición de
impurezas
pentavalentes como el
antimonio, arsénico, o
fósforo, aportan
electrones libres,
aumentando
considerablemente la
conductividad del
semiconductor http://hyperphysics.phy-
intrínseco. El fósforo se astr.gsu.edu/hbasees/solids/dope.htm
l#c3
puede añadir por
difusión del gas fosfina
(PH3).
Semiconductor Tipo P
• La adición de impurezas
trivalentes tales como
boro, aluminio, o galio a
un semiconductor
http://hyperphysics.phy- intrínseco, crean unas
astr.gsu.edu/hbasees/solids/dope.
html#c3 deficiencias de electrones
de valencia, llamadas
"huecos". Lo normal es
usar el gas diborano
B2H6, para difundir el
boro en el material de
silicio.
Bandas en Semiconductores
Dopados