TRANSITOR

BIPOLAR
 HISTORIA:
 Una vez que se acabó la segunda Guerra Mundial se inició
en los Bell Laboratories, en Estados Unidos, un programa
de investigación básica sobre teoría de sólidos. Uno de los
resultados de este esfuerzo fue el transistor.
 Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o
tríodo, el transistor bipolar fue inventado en Diciembre de
1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain, y William
Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el
Premio Novel de Física en 1956.
 Sus inventores, lo llamaron así por la propiedad que tiene
de cambiar la resistencia al paso de la corriente eléctrica
entre el emisor y el colector.
 El transistor bipolar tiene tres partes, como el triodo.
Una que emite portadores (emisor), otra que los recibe o
recolecta (colector) y la tercera, que esta intercalada entre
las dos primeras, modula el paso de dichos portadores
(base).Su funcionamiento es análogo al del tríodo:

 En los transistores bipolares, una pequeña señal eléctrica

aplicada entre la base y emisor modula la corriente que
circula entre emisor y colector. La señal base-emisor puede
ser muy pequeña en comparación con la emisor-colector. La
corriente emisor-colector es aproximadamente de la misma
forma que la base-emisor pero amplificada en un factor de
amplificación "Beta".
 El transistor se utiliza, por tanto, como amplificador.
Además, como todo amplificador puede oscilar, puede usarse
como oscilador y también como rectificador y como
conmutador on-off.
 El transistor también funciona, por tanto, como un
interruptor electrónico, siendo esta propiedad aplicada en la
electrónica en el diseño de algunos tipos de memorias y de
otros circuitos como controladores de motores de DC y de
pasos.
•Los transistores tienen una característica muy interesante
que es la capacidad que tienen éstos de entregar una
intensidad de corriente constante a una resistencia,
independientemente del valor de ésta, es decir que las
variaciones de corriente obtenidas por la acción de la base,
producirán en la resistencia una variación de la tensión, la
cual será, según la ley de Ohm: V = I x R. Entonces V
dependerá del valor de la corriente de base y de la
resistencia en el colector, siendo V mayor cuando mayor es
R, estando fijado el límite por el valor de la tensión externa
aplicada al circuito.
 TIPOS DE TRANSITORES:
Los dos tipos mas comunes de transistores son el PNP y el NPN
también llamados transistores Bipolares, estos son dispositivos
controlados por corriente, estos se forman por una capa de
material tipo P emparedada entre dos capas de material tipo N, o
una de tipo N emparedada entre dos de tipo P.

EL TRANSISTOR PNP

El emisor esta fuertemente dopado, y la concentración de

portadores mayoritarios disponibles supera ampliamente los de la
base, mientras que el colector es bastante amplio y dotado con una
alta concentración de portadores minoritarios en relación a la base y
pocos mayoritarios respecto al emisor.

EL TRANSISTOR NPN
En el caso de un NPN, la base no posee la suficiente
cantidad de huecos para combinarse con todos los electrones que
puede suministrar el emisor, por lo que la mayoría de electrones
atraviesan la base en dirección al colector.
 A continuación se
muestra en la grafica las
representaciones típicas de
transistores bipolares tipo NPN
y PNP (izquierda), La estructura
de capas de una configuración
NPN (medio), Como se
distribuyen las terminales en un
transistor bipolar (derecha), el
circuito equivalente resultante y
la curva característica de estos
transistores de Corriente del
colector contra voltaje
 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR NPN

En el circuito que se muestra a continuación la batería Vbb

polariza directamente la juntura P-N de la base y el emisor del circuito
de entrada. La batería Vcc, la cual tiene un voltaje mas alto que la
batería Vbb, se conecta en el circuito de salida desde el colector hasta
el emisor. Debido a esto el colector es mas positivo con respecto al
emisor que la base lo es con respecto al mismo. Por tanto, la base es
negativa con respecto al colector. La juntura P-N de la base y el
colector esta polarizada inversamente
 Con la juntura P-N de la base y el emisor polarizado
directamente, los electrones libres en el emisor se mueven hacia la
juntura. La mismo tiempo los huecos dentro de la base se mueven
hacia la juntura como se muestra en la figura. En el área cercana
de esta ultima se recombinan algunos huecos y electrones por tal
motivo se produce una corriente en el circuito externo de la base y
el emisor. La región de la base es muy estrecha. Por consiguiente ,
la mayor parte de los electrones que se mueven hacia la juntura de
la base y el emisor la atraviesan hasta llegar al colector. Ahí estos
electrones son atraídos por la Terminal positiva de la batería Vcc.

Al mismo tiempo se
mueven electrones desde la
Terminal negativa de la batería Vcc
hasta el emisor.
La corriente en el circuito
de salida externo del colector y el
emisor es mucho mayor que la
corriente en el circuito de entrada.
El circuito actúa como un
amplificador.
 + Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios

> El ancho de la región de > El fuljo de portadores

agotamiento se reduce, debido a la mayoritarios es cero, por lo
polarización aplicada, se produce un que solo se presenta un flujo
denso flujo de portadores de portadores minoritarios
mayoritarios.
 Ie Ic

Ib
VEE
Vcc

Los portadores mayoritarios, en su mayoría se difundirán a

través de la unión polarizada inversamente, dentro del material
tipo P conectado a la Terminal del colector. La causa de la
relativa facilidad con la que estos portadores cruzan a la unión
polarizada inversamente puede comprenderse si concideramos
que al polarizar un diodo en forma inversa los portadores
mayoritarios inyectados aparecerán como portadores
minoritarios al interior del material tipo n (inyección de
portadores minoritarios al interior del material de la región
base de tipo n).
Y es por eso que la corriente de emisor será siempre un
múltiplo de la de base. Ejemplo: Supongamos que dicha
corriente de colector (Ic) es 100 veces la corriente de
emisor (Ie), entonces si
Ib = 5 mA; Ie = 500 mA. Si ahora Ib = 2 mA; Ie = 200 mA.
Donde se puede apreciar que una pequeña variación en la
corriente de base (3 mA), produce una gran variación en la
de emisor (300 mA). Dicho factor de amplificación es
denominado generalmente con la letra griega  (Beta).

CURVA CARACTERISTICA DEL TRANSISTOR

El estudio y análisis de los transistores se realiza mediante
el empleo de las "curvas características" del mismo, con las
cuales se puede caracterizar completamente el
comportamiento o funcionamiento eléctrico del transistor,
siendo ésta expresada en relaciones gráficas de las
corrientes Ib, Ic e Ie, en función de las tensiones externas y
para las distintas configuraciones: Emisor Común (EC), Base
Común (BC) y Colector Común (CC).
Las curvas características mas
importantes son las
característica de entrada y la de
salida. En las de entrada, se
expresan las gráficas de la
relación entre la corriente de
base (Ib) y la tensión base-
emisor (Vbe) para la tensión
colector-emisor (Vce)
constante. A partir de ellas
podemos calcular la corriente
que circula por la base cuando
se aplica una tensión externa
entre ésta y el emisor.
Curva característica del transistor
 Regiones operativas del transistor

Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando,
no hay caída de voltaje). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie
= I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector
o el emisor o en ambos. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)
Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de
saturación ni en la región de corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganacia de
corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región
es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador
 Prueba de Transistores:
Los transistores pueden probarse con un Óhmetro. El Óhmetro
deberá estar ajustado a una escala de Óhm baja o media, se conecta entre
la base y el emisor y se anota la lectura de la resistencia. Después se
invierten las terminales del Óhmetro en la base y el emisor. Si la
resistencia entre la base y el emisor es significativamente mayor en una
dirección que la otra, puede afirmarse que la sección de diodo base emisor
del transistor esta en buen estado. Para probar la sección del diodo base
colector, se sigue el mismo procedimiento con el Óhmetro conectado a la
base y el colector. Como prueba final el Óhmetro se conecta entre el
emisor y el colector. Si cualquiera de estas pruebas muestra continuidad
directa probablemente el transistor tiene un corto

∞ 0 ∞ 0

B B E
E