Universidad Austral de Chile

Facultad de Ciencias de la Ingeniería

Instituto de Electricidad y Electrónica
Escuela de Ingeniería Civil Electrónica

CAMPOS
ELECTROMAGNÉTICOS
Alumno: Juan Vera.

Profesor: Gustavo Schleyer.

Valdivia, 05 de junio de 2017

 OBJETIVOS

 Relacionar el concepto de campos electromagnéticos en dispositivos y circuitos simples.

 Analizar el efecto en resistores, capacitores e inductores solenoidales.

 INTRODUCCIÓN

Desde la mitad del siglo XIX, la electricidad ha sido una parte esencial de nuestras vidas. La
electricidad alimenta la mayoría de los equipos que los ciudadanos utilizan habitualmente
haciéndoles la vida más sencilla e interesante y, en muchos aspectos, más segura.

Cuando hablamos de electricidad nos estamos refiriendo a lo que llamaremos campo

electromagnético de baja o muy baja frecuencia. La mayoría de esta electricidad se produce a
frecuencias de 50 Hz o Ciclos por segundo y a estos campos es a los que nos vamos a referir en
esta presentación, más aun, aplicados a circuitos y dispositivos simples.
 CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS
 Espacio en el que se dan simultáneamente un
campo eléctrico y otro magnético estrechamente
relacionados entre sí.

 Los campos electromagnéticos de baja frecuencia

son de una naturaleza tal que el campo eléctrico y
el magnético pueden existir por separado, es
decir, no están acoplados, pudiendo en una cierta
zona del espacio existir campo eléctrico y no
magnético o al revés, que es el caso más habitual.

 Los en los campos de HF, por el contrario, el

campo eléctrico y el magnético son inseparables y
no pueden existir el uno sin el otro.
 CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN
DISPOSITIVOS Y CIRCUITO SIMPLES

 Una aplicación importante del análisis del campo electromagnético es a componentes

electrónicos simples tales como resistores, capacitores e inductores.

 A frecuencias altas cada uno de éstos presenta características de los otros. Tales estructuras
pueden ser analizadas en términos de:

𝝏
1. Comportamiento estático: para el cual podemos fijar = 𝟎 en las ecuaciones de Maxwell.
𝝏𝒕
𝝏
2. Comportamiento cuasiestático: para el cual no es despreciable, pero no consideramos
𝝏𝒕
𝝏𝟐
términos del orden .
𝝏𝒕𝟐
𝝏𝟐
3. Comportamiento dinámico: para el cual ni siquiera los términos de orden son despreciables.
𝝏𝒕𝟐
 CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN DISPOSITIVOS
Y CIRCUITO SIMPLES
La mayoría de estos dispositivos tienen geometrías planas o cilíndricas, por lo que sus campos y
comportamientos son generalmente fáciles de entender. Esta comprensión puede extrapolarse a
dispositivos más complejos.

Todos los elementos físicos exhiben grados variados de resistencia, capacitancia e inductancia;
dependiendo de la frecuencia. Esto sucede debido a que:

o Esencialmente todos los materiales conductores exhiben alguna resistencia.

o Todas las corrientes generan campos magnéticos y por lo tanto contribuyen en alguna
medida de inductancia.

o Todas las diferencias de voltaje generan campos eléctricos y por lo tanto contribuyen en
alguna medida de capacitancia.
 CAMPOS ELECTROMAGNÉTICOS EN DISPOSITIVOS
Y CIRCUITO SIMPLES
Los componentes electrónicos pasivos como las R, L, y C están diseñados para exhibir sólo una
propiedad dominante en frecuencias bajas.

Los resonadores RLC y los circuitos de relajación RL y RC son los más relevantes aquí porque su
física y comportamiento se asemejan a los de los sistemas electromagnéticos comunes.
 RESISTORES

Los resistores son dispositivos pasivos, lineales, de 2 terminales y caracterizados por su resistencia R
[ohms].

El resistor mostrado en la figura está

compuesto por dos placas
conductoras perfectas paralelas,
entre las cuales se ha colocado un
medio de conductividad σ,
permitividad ε, permeabilidad μ y
grosor d. Las dos placas y el medio
tienen una sección transversal A[m2]
en el plano x-y. Asumamos que un
voltaje estático existe alrededor del
resistor R, y que la corriente I fluye a
través de éste.
 RESISTORES

o ഥ de cualquier placa conductora

Las condiciones de borde requieren que el campo eléctrico 𝑬
ഥ×𝒏
perfecta sea perpendicular a ésta 𝑬 ෝ=𝟎 .

o ഥ desde una placa iso-potencial a la otra

La ley de Faraday requiere que la integral de línea de 𝑬
debe igualar al voltaje v independientemente de la ruta de integración.

o Debido a que la conductividad σ [Siemens/m] es uniforme dentro de las paredes paralelas a 𝒛ො ,

ഥ = 𝒛ො 𝑬𝟎 en todos
estas restricciones son satisfechas por un campo eléctrico estático uniforme 𝑬
lados dentro del medio conductor. Por lo tanto:

d
𝑣 𝑉
 E  z dz  E0d  v
0
𝐸0 =
𝑑 𝑚
 RESISTORES

Este campo eléctrico dentro del medio conductor induce una densidad de corriente 𝑱,ҧ donde:

 A
J  E  2 
m 
La corriente total i fluyendo por el resistor es:

𝑣
i   E0 A  v A / d 𝑖= 𝐴
𝑅

La resistencia estática de un resistor simple en el plano es:

v d
R   ohms 
i A
 RESISTORES

Para obtener la potencia instantánea disipada total en un resistor, la densidad de potencia

instantánea local puede integrarse sobre el volumen del resistor, obteniendo así:

𝑊
𝑃𝑑 = 𝐸 ⋅ 𝐽
𝑚3

 Av 2 v2
 W 
2
p   E  J dv   E   E dv   E Ad 
V V d R

𝜎𝐴𝑣 2 𝑣 2
𝑃= = =𝑣 ∙𝑖 𝑊
𝑑 𝑅
 RESISTORES

Corrientes de superficie residen en las placas donde el campo eléctrico es perpendicular al

conductor perfecto. Debido a esto, surge una densidad de carga de superficie 𝝆𝒔 , que en la
cara adyacente al medio conductor de la placa positiva es:

C 
 s   E0  2 
m  𝑣 𝑉
con 𝐸0 =
𝑑 𝑚

Una densidad de carga de superficie de igual magnitud pero negativa reside en la otra placa del
resistor.

Luego, tendremos que La carga estática total almacenada es:

𝑄 = 𝜌𝑆 𝐴 [𝐶]
 RESISTORES

Las corrientes estáticas y voltajes en este resistor producirán campos fuera del resistor,
pero éstos no producirán corrientes o voltajes adicionales en los terminales.

Similarmente, 𝝁 y 𝜺 no afectan el valor estático de R. A frecuencias más altas, sin embargo,

la resistencia R varía y aparece una capacitancia y una inductancia.

Aunque esta solución estática para la carga, la corriente y el campo eléctrico dentro de la
porción conductora de la resistencia satisface las ecuaciones de Maxwell, una solución
completa también demostraría la consistencia con las ecuaciones de campo magnético y
de Maxwell fuera del dispositivo.
 EJEMPLO
 Diseñe una resistencia práctica de 100 ohmios, considerando una forma cilíndrica clásica
con longitud de resistencia igual a 4r.

Solución 𝑅 = 𝑑/𝜎∙𝐴
𝑑 = 4𝑟, donde r es el radio
Entonces:

𝜋𝑑 2
𝐴 = 𝜋𝑟 2 = y 𝑅 = 16 / 𝜋𝑑𝜎
16

Si 𝑅 = 100 Ω, entonces tendremos dos incógnitas, para ello suponemos que las resistencias
son más pequeñas para circuitos compactos modernos de baja potencia, por lo que
podríamos establecer 𝑑 = 1 𝑚𝑚.
 EJEMPLO
 Diseñe una resistencia práctica de 100 ohmios, considerando una forma cilíndrica clásica
con longitud de resistencia igual a 4r.

Solución
A partir de lo anterior se obtiene:

−3
𝑆
𝜎 = 16 ∙ 𝜋 ∙ 𝑑 ∙ 𝑅 = 16 ∙ 𝜋 ∙ 100 ∙ 10 ≅ 5.024 .
𝑚
Tales conductividades corresponden aproximadamente, por ejemplo, a agua muy salada o
polvo de carbono.

Sin embargo, el área superficial de la resistencia debe ser suficiente para disipar la potencia
máxima esperada.
 CAPACITORES

Los capacitores son dispositivos lineales, pasivos de dos

terminales que almacenan carga Q y están caracterizados por
su capacitancia C. Lo anterior se define mediante:

Q  Cv Coulombs 

Donde 𝒗 es el voltaje en el capacitor.

Es decir, un volt estático alrededor de un capacitor de 1 Faradio

almacena 1 Coulomb en cada terminal. Esto define a un Faradio
como a 1 Coulomb por Volt.
 CAPACITORES
La estructura resistiva mostrada en la figura se convierte en un capacitor a frecuencias bajas si la
conductividad del medio 𝝈 → 𝟎.

Aunque algunos capacitores están llenos de aire con 𝜺 ≅ 𝜺𝟎 , usualmente se usan rellenos
dieléctricos con permitividad 𝜺 > 𝜺𝟎 .

Valores típicos para la constante dieléctrica 𝜀𝑟 = 𝜀/𝜀0 usados en capacitores son ~1 − 100.
 CAPACITORES
 En todos los casos las condiciones de borde requieren que el campo eléctrico 𝑬 ഥ sea
perpendicular a las placas conductoras perfectas, es decir, debe estar en la dirección ±𝒛.

 La ley de Faraday requiere que cualquier integral de línea de 𝑬 ഥ desde una placa iso-
potencial a la otra, debe igualar al voltaje v en el capacitor.

 Estas restricciones son satisfechas por un campo eléctrico estático 𝑬 ഥ = 𝒛ො 𝑬𝟎 dentro del
medio que separa a las placas, el cual es uniforme y libre de cargas.

 Despreciaremos temporalmente los efectos de todos los campos producidos afuera del
capacitor si su separación entre placas d es pequeña en comparación con su diámetro,
una configuración común.

𝑣 𝑣
𝐸0 =
𝑑 𝑚
 CAPACITORES
 La densidad de carga superficial en la cara adyacente al medio conductor de la placa
positiva es:
𝐶
𝜎𝑠 = 𝜀𝐸0
𝑚2

 El total de carga estática Q en la placa positiva con área A es:

Q  A s  A E0  A v / d  Cv C 

 Por lo tanto, para un capacitor de placas paralelas:

C   A / d  Faradios 
 CAPACITORES
 La densidad de energía eléctrica instantánea entre las placas del capacitor está dada por
el teorema de Poynting:
𝜀 ∙ 𝐸ത 2 𝐽
𝑊𝑒 =
2 𝑚3

 En electromagnetismo, el teorema de Poynting, expresa la ley de conservación de la

energía. Establece que la disminución de energía electromagnética en una región se debe
a la disipación de potencia en forma de calor (por efecto Joule) y al flujo hacia el exterior.

 La energía eléctrica total 𝑤𝑒 almacenada en un capacitor es la integral 𝑊𝑒 sobre el

volumen Ad del dieléctrico:

we    E
V
 2

2 dv=  Ad E
2
2 =  Av 2 2d = Cv 2 2  J  1
𝑤𝑒 = ∙ 𝐶 ∙ 𝑣 2 𝐽
2
 CAPACITORES
 La expresión correspondiente para el promedio en el tiempo de la energía almacenada en
un capacitor en estado sinusoidal estacionario es:

𝐶∙ 𝑣 2
𝑤𝑒 = [𝐽]
4

OTRAS GEOMETRÍAS DE CAPACITOR

 Podemos analizar otras geometrías de capacitor,
tales como el capacitor cilíndrico.

 El radio interno es a, el radio externo es b, y la

longitud D; su interior tiene permitividad 𝜺.
 OTRAS GEOMETRÍAS DE CAPACITOR
 El campo eléctrico debe tener divergencia y rotacional cero en la región libre de carga
entre los dos cilindros, y debe ser perpendicular a los cilindros internos y externos en sus
paredes conductoras perfectas.

 Un campo eléctrico puramente radial estará dado por:

𝐸0
ത
𝐸(𝑟) = 𝑟Ƹ
𝑟

 El potencial eléctrico 𝜱 𝒓 es la integral del campo eléctrico, así

que la diferencia de potencial v entre el conductor externo e interno
es:

b  
b
E0
v   a  b   dr  E0 ln r a  E0 ln   V
b

r a 𝑏
a 𝑣 = 𝐸0 ln 𝑉
𝑎
 OTRAS GEOMETRÍAS DE CAPACITOR
 Este voltaje en el capacitor produce una densidad de superficie de carga 𝝆𝒔 en los
conductores internos y externos, equivalente a:

𝜀𝐸0 𝐶
𝜌𝑠 = 𝜀𝐸 =
𝑟 𝑚2

 Si 𝜱𝒂 > 𝜱𝒃 , entonces el cilindro interno está positivamente cargado, el cilindro externo

está negativamente cargado, y 𝑬𝟎 es positivo. La carga total Q en el cilindro interno es:

2𝜋𝜀𝑣𝐷
Q   s 2 aD   E0 2 D   v 2 D ln  b a    Cv C  𝑄=
𝑏
ln
𝑎

 Por lo tanto, la capacitancia de este capacitor cilíndrico puede calcularse mediante:

 2 D  
𝑄 =𝐶∙𝑣 𝐶 C F
ln  b a 
 EJEMPLO
Se mantiene una diferencia de potencial constante de 12 [v] en un condensador de placas
paralelas de 0.25 [𝜇𝐹] y con aire entre las placas. ¿ Cuanta carga adicional fluye hacia las placas
cuando se introduce un material con 𝜀𝑟 = 3.1 que llena el espacio entre las placas?.

Solución
𝑄1 = 𝐶0 ∙ 𝑣 = 0.25 𝜇𝐹 𝑥 12 = 3 𝜇𝐶 → 𝑖𝑛𝑖𝑐𝑖𝑎𝑙

Luego considerando que la constante dieléctrica del material es de 3.1, tendremos:

𝐴 ∙ 𝜀𝑜 ∙ 𝑣
𝑄 =𝐶∙𝑣 𝐶 𝐶𝑂 ∙ 𝑣 =
𝑑

𝐴∙𝜀∙𝑣 𝐴 ∙ 𝜀𝑟 ∙ 𝜀𝑜 ∙ 𝑣
𝑄= 𝐶 𝐶∙𝑣 =
𝑑 𝑑
 EJEMPLO
Se mantiene una diferencia de potencial constante de 12 [v] en un condensador de placas
paralelas de 0.25 [𝜇𝐹] y con aire entre las placas. ¿ Cuanta carga adicional fluye hacia las placas
cuando se introduce un material con 𝜀𝑟 = 3.1 que llena el espacio entre las placas?.

𝐶𝑂 ∙ 𝑑 = 𝐴 ∙ 𝜀𝑜

𝐶 = 𝜀𝑟 ∙ 𝐶𝑜 𝐶 = 0.78 𝜇𝐹
𝐶 ∙ 𝑑 = 𝐴 ∙ 𝜀𝑟 ∙ 𝜀𝑜

Por lo tanto:
𝑄2 = 𝐶 ∙ 𝑣 = 9.3 𝜇𝐶

De este modo, la carga adicional es:

𝑸𝟐 − 𝑸𝟏 = 𝟔. 𝟑 𝝁𝑪
 INDUCTORES SOLENOIDALES
 Todas las corrientes en los dispositivos producen campos magnéticos que almacenan
energía magnética y por lo tanto contribuyen a la inductancia en un grado que depende de
la frecuencia.

 Los inductores son dispositivos pasivos de dos terminales diseñados específicamente para
almacenar energía magnética.

 Una geometría sencilla se muestra en la

figura, en la cual la corriente 𝑖 (𝑡) fluye en un
lazo a través de dos placas paralelas
perfectamente conductivas de ancho 𝑊 y
longitud 𝐷, separadas 𝑑 y cortocircuitadas en
un extremo.
 INDUCTORES SOLENOIDALES
 Podemos calcular la intensidad de campo magnético en el solenoide de placas paralelas
mediante la ley de Ampere:

ഥ ∙ 𝑑𝑠ҧ = 𝑖 𝑡 = 𝐻0 ∙ 𝑊
ර𝐻

 ഥ entre las placas es:

Tendremos entonces, que 𝐻

𝑖 𝑡 𝐴
ഥ=𝐻
𝐻 ഥ0 ෝ𝑦 = 𝑦ො
𝑊 𝑚

 ഥ ≅ 𝟎 en otro lado.
y𝑯
 INDUCTORES SOLENOIDALES
El voltaje 𝒗(𝒕) a través de los terminales del inductor puede calcularse con la ayuda de la forma
integral de la ley de Faraday, obteniéndose finalmente:

𝜇 ∙ 𝐴 𝑑𝑖(𝑡) 𝑑𝑖(𝑡)
𝑣 𝑡 = =𝐿 [𝑉]
𝑊 𝑑𝑡 𝑑𝑡

Donde L es la inductancia. Por lo tanto, para un inductor de una vuelta, considerando 𝑨 = 𝑫 ∙

𝒅, tendremos:

𝜇∙𝐴
𝐿1 = [𝐻]
𝑊

Debido a que asumimos que campos magnéticos en el borde pueden ser despreciados, grandes
inductores de una vuelta requieren estructuras muy grandes.
 INDUCTORES SOLENOIDALES
 El enfoque estándar para incrementar la inductancia L en un volumen limitado es usar
vueltas múltiples, tal como se aprecia en la figura [(a) solenoide, (b) toroide].

 La bobina de N vueltas de la figura, duplica el flujo de corriente en las geometrías vistas en

las diapositivas anteriores, pero con N veces la intensidad 𝑯 ഥ por la misma corriente de
terminal 𝒊(𝒕), y por lo tanto el campo magnético 𝑯𝟎 y el flujo 𝝍𝒎 también son N veces más
intensos que antes.
 INDUCTORES SOLENOIDALES
Al mismo tiempo, el voltaje inducido en cada vuelta es proporcional al flujo 𝝍𝒎 a través de
ésta, que ahora es N veces mayor que para una bobina de una vuelta.

𝑁𝑖𝜇𝐴
𝜓𝑚 =
𝑊

El voltaje total a través del inductor es la suma de los voltajes a través de las N vueltas.

Por lo tanto, el voltaje total a través de un inductor de N vueltas es 𝑵𝟐 veces el valor

correspondiente a una vuelta, y la inductancia 𝑳𝑵 de una bobina de N vueltas es también 𝑵𝟐
veces mayor que 𝑳𝟏 para una bobina de una vuelta.

Donde 𝑨 es el área de la sección

di  t  di  t  𝜇𝐴
v  t   LN  N L1
2
𝐿𝑁 = 𝑁 2
[𝐻] transversal de bobinado y 𝑾 es
dt dt 𝑊 la longitud de la bobina.
 INDUCTORES SOLENOIDALES
 La ecuación anterior también se aplica a bobinas cilíndricas, la cual es la forma más común
de inductor.

𝐷𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑊 → 𝑙

𝑁2 ∙ 𝜇 ∙ 𝐴
𝐿= 𝐻
𝑙

𝑁 = 𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑝𝑖𝑟𝑎𝑠.
𝐴 = á𝑟𝑒𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑠𝑝𝑖𝑟𝑎.
𝑙 = 𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑.
𝜇 = 𝑝𝑒𝑟𝑚𝑒𝑎𝑏𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑛𝑢𝑐𝑙𝑒𝑜.
 INDUCTORES SOLENOIDALES
 La energía almacenada en una bobina esta dada por:

1
𝑤𝑚 = ∙ 𝐿 ∙ 𝑖 2 [𝐽]
2

 Las expresiones anteriores también pueden simplificarse mediante la definición del enlace
de flujo magnético 𝜦 como el flujo magnético 𝜓𝑚 enlazado por N vueltas de la corriente i,
donde:
𝑁2 ∙ 𝜇 ∙ 𝐴
Λ = 𝜓𝑚 ∙ 𝑁 = ∙𝑖 Λ=𝐿∙𝑖
𝑙

 Esta ecuación 𝜦 = 𝑳𝒊 es el dual de la expresión 𝑸 = 𝑪𝒗 para capacitores.

di d 
 Además, el voltaje v a través de N vueltas de una bobina es: vL 
dt dt
 EJEMPLO
Calcular la energía almacenada en el condensador y en la bobina de la figura en régimen de
continua.

Solución:

1 1 2
𝑤𝑐 = 𝐶𝑣𝑐 2 [𝐽] 𝑤𝐿 = 𝐿𝑖𝑐 [𝐽]
2 2

Siendo 𝒗𝒄 la tensión en el condensador e 𝒊𝑳 la corriente

en la bobina.

Para calcular 𝑣𝑐 e 𝑖𝐿 sustituimos el condensador y la

bobina por su equivalente en DC.
 EJEMPLO
Queda un divisor de tensión:

12 ∙ 5
𝑣𝑐 = = 10 [𝑉]
5+1

Según la ley de ohm:

𝑣𝑐
𝑖𝐿 = = 2 [𝐴]
5

Las energías resultan:

1 1
𝑤𝑐 = 𝐶𝑣𝑐 = ∙ 1 ∙ 102 = 50 [𝐽]
2
2 2

1 2 1
𝑤𝐿 = 𝐿𝑖𝑐 = ∙ 2 ∙ 22 = 4 [𝐽]
2 2
 CONCLUSIONES
Una propiedad que distingue las diferentes formas de la energía electromagnética es la frecuencia
(Los Rayos X, la luz visible, las microondas, las ondas radiofónicas).

Los campos de frecuencias de 50 o 60 Hz, tienen una energía muy pequeña, no produce efectos
ionizantes y, normalmente, no tiene ningún efecto térmico, es decir, no propagan energía
electromagnética por el aire, sino que existen en las zonas próximas a donde discurre la corriente
eléctrica (por ejemplo las líneas de alta tensión o un electrodoméstico) y se atenúan muy
rápidamente con la distancia.

Los teléfonos móviles funcionan emitiendo campos eléctrico y magnético de alta frecuencia
similares a aquellos usados para la radio y transmisiones de la televisión.
 REFERENCIA

o [1] David H. Staelin, “Electromagnetics and Applications”, course notes, Massachusetts Institute
of Technology, 2011. [capítulo 3].

o [2] Personales.unican.es/peredaj/pdf_Apuntes_AC/Presentacion-Condensadores-y-Bobinas.pdf.