UNIDAD 1:

FUNDAMENTOS DE LA ELECTRÓNICA ANALÓGICA Y

DISPOSITVOS ELECTRÓNICOS

CURSO:
ELECTRÓNICA ANALÓGICA Y DIGITAL

Ing. Mercedes Zambrano

Ing. Osniel Pozo Mederos
 LOGRO DE LA SESIÓN

Al final de la sesión el alumno reconoce

el funcionamiento del MOSFET , diseño
de circuitos con MOSFET y sus
aplicaciones.

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El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, en tanto que el transistor JFET es un
dispositivo controlado por voltaje.
Transistor de efecto de campo de unión (JFET)
IDSS es la corriente de drenaje máxima para un JFET y está definida por la condición
VGS =0 V y VDS > |Vp|.
El nivel de VGS que produce ID =0 mA está definido por VGS =Vp, con Vp convirtiéndose en
un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje positivo para JFET de canal p.
 Resistor controlado por voltaje
La ecuación es una buena primera aproximación al nivel de
resistencia en función del voltaje aplicado VGS:
donde ro es la resistencia con VGS =0 V y rd es la resistencia a un nivel
particular de VGS.

Ejercicio
Para un JFET de canal n con ro =10 k (VGS =0 V, Vp = - 6 V). Cuál sería el valor de la resistencia para VGS = -3V.
Símbolos
 CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA

Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la corriente de control de entrada IB están relacionadas
por beta, la cual se considera constante para el análisis que se va a realizar. En forma de ecuación,

Desafortunadamente, esta relación lineal no existe entre las cantidades de salida y entrada de
un JFET. La ecuación de Shockley define la relación entre ID y VGS
Aplicación de la ecuación de Shockley
 Ejercicio
Para las características de drenaje de la figura, determine ID para VGS = -1 V
Solución
RELACIONES IMPORTANTES
 MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico
No hay una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de un MOSFET.

La capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable de la muy

deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.
 Ejercicio

Calcule, para un MOSFET tipo empobrecimiento de canal n con IDSS =10 mA y Vp = - 4 V, el valor
de ID si VGS= 1V.
Solución
Símbolos
 MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO

La construcción de un MOSFET tipo enriquecimiento es muy parecida a la del MOSFET tipo

empobrecimiento excepto porque no hay un canal entre el drenaje y la fuente.
Si VGS se ajusta a 0 V y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo de la figura
anterior, la ausencia de un canal n (con su generoso número de portadores libres) producirá
una corriente de efectivamente 0 A; muy diferente del MOSFET tipo empobrecimiento y el
JFET, donde ID =IDSS.

Tanto VDS como VGS se ajustaron a un determinado voltaje

positivo de más de 0 V, para establecer el drenaje y la
compuerta a un potencial positivo con respecto a la
fuente.
Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un MOSFET
tipo enriquecimiento es de 0 mA.
Para niveles de VGS >VT, la corriente de drenaje está relacionada con el voltaje de la compuerta
a la fuente aplicado por la siguiente relación no lineal:

El término k es una constante que es una función de la construcción del dispositivo. El valor de k se
determina a partir de la siguiente ecuación, donde ID(encenido) y VGS(encendido) son los valores de cada uno en un
punto particular de las características del dispositivo.
Símbolos
Polarización en los FET
Solución