TRANSISTORES

BIPOLARES DE
UNIÓN
APELLIDOS Shockley NOMBRE William Bradford
NACIMIENTO 13-02-1910 FALLECIMIENTO 12-08-1989
ORIGEN Estados Unidos
Su descubrimiento del transistor, el
FUNDAMENTAL
transistor de unión y sus
CARACTERÍSTICA
investigaciones en semiconductores
William Bradford Shockley tuvo una infancia peculiar ya que sus padres le
educaron en casa y desde muy pequeño le inculcaron conocimientos en
matemáticas y física. Posiblemente fue esto lo que le llevó a dedicar su
vida al estudio de los fenómenos físicos.
Siendo aún muy joven, empezó a trabajar en los laboratorios Bell donde
colaboró en las tareas de difracción de electrones y en el departamento
de tubos de vacío. Tras el paso de la guerra, decidió buscar una
alternativa a los tubos de vacío; para esto se centró en la física cuántica y
en especial, comenzó su estudio de los semiconductores junto a otros
dos compañeros: John Bardeen y Walter H. Brattain.
Mediante el empleo de un rectificador de germanio el equipo inventó
el transmisor de contacto puntual. Poco después, Shockley inventó el
transistor de unión. Gracias a estos transistores y a su fiabilidad se abrió
camino hacia la miniaturización de los circuitos de radio, televisión, y de
los equipos de ordenadores. Recibió el premio Nobel de Física por sus
investigaciones de los semiconductores y el descubrimiento del efecto
transistor. El premio lo compartió con sus dos compañeros de
investigación.
Con el prestigio obtenido tras ganar el Nobel, fundó en California
un laboratorio propio de semiconductores que llevaba su nombre.
Logró reunir en torno a él a ocho de los profesionales más
cualificados, pero pronto tuvo problemas ya que Shockley no
quiso centrarse en los transistores de silicio, los cuales eran mucho
más fáciles de comerciar que los de germanio, así que sus
compañeros, al no estar de acuerdo con esta decisión, decidieron
abandonarle. Más tarde, se demostró que eran los empleados los
que tenían la razón ya que la empresa cayó en la quiebra y
Shockley tuvo que venderla.
En sus últimos años, fue un personaje bastante polémico debido a
su incursión en la política y a sus afirmaciones sobre las
diferencias intelectuales entre razas, pero Shockley siempre será
recordado como unos de los mejores físicos del sigo XX debido al
descubrimiento del efecto transistor y a sus cerca de noventa
patentes.
Fue inventado en 1948 en los laboratorios Bell
Telephone en U.S.A, por un grupo de científicos
liderados por John Bardeen, William Shockley y
Walter Brattainn, lo que les hizo ganar el premio Novel
de Física en 1956
La palabra transistor es un acrónimo de las palabras
“ transfer resistor “ ( resistencia de
transferencia), que anuncia a un componente de tres
terminales cuya resistencia entre dos de ellos
(colector y emisor) depende del nivel de corriente o
voltaje aplicado al otro (base). Aprovechando esta
propiedad los transistores se utilizan como
amplificadores, interruptores electrónicos, fuentes
de corriente controladas, osciladores, mezcladores
y en muchas otras aplicaciones.
Las ventajas del transistor: Larga vida útil, bajo
consumo de energía, bajo costo, tamaño, estructura
robusta y confiable.
Existen básicamente dos grupos de transistores: los
transistores bipolares (bipolar transistor) y los transistores
Efecto de Campo (field Effect transistor), éstos incluyen los
FET de unión (JFET) y los FET de compuerta aislada (MOSFET)
Son dispositivos semiconductores formados por una capa de
material tipo P emparedada entre dos capas tipo N los que
nos genera un transistor tipo NPN ó una capa tipo N
emparedada con dos capas tipo P, lo que nos genera un
transistor tipo PNP.
La capa central se conoce como base (B) y la de los
extremos emisor (E) y colector (C)
La base es muy estrecha y poco dopada en relación con el
emisor y el colector por lo que decimos que tiene una
concentración muy baja de potadores.
El emisor, está fuertemente dopado y la concentración de
potadores mayoritarios es mucho mayor a los de la base.
El colector es el de mayor tamaño y aunque se encuentra
fuertemente dopado de portadores mayoritarios, es menor
que la del emisor pro mayor a los de la base.
Dependiendo de los valores de Rb, los valores de Ib
pueden variar desde 0 a un valor máximo.
Cuando Ib=0, el transistor no conduce, la Ic=0 y el
voltaje Vce= máximo, éstos valores definen los el
extremo inferior de la recta de carga, llamado punto
de corte
A partir de un cierto de valor de la Ib, llega un
momento en el cual el transistor está conduciendo al
máximo y por lo tanto el Vce=0 y la Ic=máx, éstos
valores definen la parte superior de la recta de carga,
llamado punto de saturación
Determinar los puntos de corte y saturación de la
recta de carga
El objetivo de una recta de carga es permitir la representación visual
de los posibles puntos de trabajo de un transistor y la selección del
más adecuado para una aplicación específica.
Cada pareja de valores de Ic y Vce asociados a un valor de Ib es un
punto de trabajo posible
POLARIZACIÓN Y FUNCIONAMIENTO
En los amplificadores de baja señal como los utilizados
para amplificar señales provenientes de los micrófonos,
donde queremos que la señal de la salida sea una
réplica, ampliada, pero fiel, de la señal de entrada, sin
ningún tipo de distorsión, la elección del punto de
trabajo puede afectar notablemente la forma de onda
de la señal de salida