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Región de corte:
Para un transistor de Si, VBE es inferior a 0,6 V (para Ge 0,2 V)
Ambas uniones están polarizadas inversamente
Intensidades en terminales son despreciables
Voltaje de base no permite que circule corriente por la juntura base emisor
Corriente de colector despreciable
BJT
Región de saturación:
Las dos junturas se polarizan en directo
Corriente base emisor es muy grande al igual que la corriente de colector
Entra en saturación si el voltaje de colector es inferior al de base-emisor
BJT
BJT
BJT
DISEÑO DE AMPLIFICADORES