Símbolo y nomenclatura del Símbolo y nomenclatura del

transistor pnp. transistor npn.

Relación de corrientes
del transistor
•Perfil de dopado de un •Transistor p-n-p conectado
transistor con una en la configuración Base •Diagrama de Banda de
distribución abrupta de común para aplicaciones Energía bajo un régimen de
impurezas. como amplificador operación normal.
•Perfil de dopado de un transistor
con un gradiente de impurezas en la •Corriente de colector y base en
región de la Base. función de la tensión emisor-base.
 • αo:
Ganancia de
corriente de
base común

• hfe: Ganancia de corriente de base común.

•Tp: tiempo de vida de Auger
•TA: tiempo de vida de recombinación
Schockley
•Ganancia de
corriente en •La ganancia
de corriente
función de la
varía con la
corriente del •Comparación entre la
corriente del
colector colector ganancia de corriente
calculada y la ganancia de
corriente medida en
función de la corriente de
colector.

•Perfil de dopado de un
transistor n-p-n con colector de
capa epitaxial.
Distribución del campo
eléctrico en función de la
distancia para varias
densidades de corrientes
de colector.
 RESUMEN DE LAS RELACIONES MAS
IMPORTANTES DEL TRANSISTOR
•Las tensiones aplicadas controlan las
densidades de frontera a través del término:
e(qV/kT)
•Las corrientes de emisor y colector están dadas
para los gradientes de las densidades de
portadores minoritarios (Huecos) en las
fronteras de las uniones, tales como: x=0 y x=W.
•La corriente de Base es la diferencia entre las
•Polaridades •Polaridades corrientes de emisor y colector.
•VEB
normales: normales:
positiva,
VCB=constante, VEB=constante,
VCB=variable VCB=0
VEB= variable

•Ambas •Ambas
•Condiciones
uniones uniones
polarizadas con corrientes
ICO y I´CO polarizadas
directamente inversamente
Tensión de ruptura BVCBO y
corriente de saturación ICO
para la configuración de Base
Común y las características
correspondientes BVCEO y I´CO
para la configuración de
emisor común
 Es aquel que se basa en el hecho de que
un transistor TBJ se compone de dos
uniones PN, la unión base-emisor y la
unión base-colector. Por lo tanto se
pueden expresar las corrientes del
transistor como la superposición de las
corrientes en la dos uniones PN

•a-Modelo Básico.
•b-Modelo con resistencia series
adicionales y capacidad de
vaciamiento.
•c-Modelo con fuentes de corrientes
adicionales para el Efecto Early.
 Incorpora automáticamente el efecto
Early y relaciona las tensiones aplicadas
con la corriente del colector, incluida la
carga acumulada en la base

•Coeficiente de reflexión de
entrada con una carga de
salida acoplada (ZL=ZO
haciendo a2=0, donde Z0 es
la impedancia de referencia.)
•Red de dos puertos donde se
muestra la onda incidente (a1,a2)y
onda reflejada (b1,b2)usadas en la
definición de los parámetros S.
•Coeficiente de reflexión •Ganancia de •Ganancia de
de salida con una carga transmisión directa transmisión inversa
de salida acoplada con una carga de con una carga de
(ZS=Z0haciendo a1=0) salida acoplada. salida acoplada.
 •Intercalado

•De
•En Base común revestimiento

•De malla

•En Emisor común

 •Estructura
de
•Estructura de
transistores
un Transistor con
con varillas de electrodos
plomo: b-Vista reforzados
superior de un
transistor.

•Estructura de un
Transistor con varillas de
plomo: Esquema

•Estructura de transistores
con implantación de la base
Al incrementar la potencia en un transistor de
potencia se incrementa la temperatura Tj de la •Estructura de
unión. transistores
con electrodos
•El máximo de Tj está limitado por la temperatura
reforzados
para la cual la región de la Base se hace intrínseca.
•Por encima de Tj cesa la operación del transistor,
debido a que el colector se cortocircuita
efectivamente con el emisor.
•Para mejorar el funcionamiento del transistor se
debe desarrollar encapsulados que proporcionen
una adecuada disipación del calor.
•Una técnica usual para distribuir la corriente
uniformemente en Transistores de tecnología
interdigitated o overlay, es la de agregar una
resistencia de emisor distribuido RE.
• Un incremento indeseado de la corriente a través
•Distribución de
de un emisor particular será limitado por el resistor
la temperatura a
•Este tipo de resistores series se describen lo largo del
normalmente como resistores de estabilización o centro de la
resistores de carga de emisor. unión base-
emisor
 Región I : Región de corte, corriente de colector
apagado (Off), uniones de emisor y colector
polarizadas inversamente.
Región II: Región activa, emisor polarizado
directamente y el colector polarizado
inversamente.•

Región III: Región de saturación, emisor y colector

polarizados directamente.

•Regiones de •Densidades
operación y de portadores
modos de minoritarios en
conmutación de la base para
un transistor las regiones de
conmutador corte, activa y
de saturación.
IBO: Corriente de saturación inversa de la unión de emisor con el
colector en circuito abierto: eqVEB/kT<<1IC=0.
•ICO: Corriente de saturación inversa de la unión de colector con el
emisor en circuito abierto, eqVCB/kT<<1, IE=0.
•αN: Ganancia normal de corriente bajo condiciones de operación
normal, donde el emisor se polariza directamente y el colector se
polariza inversamente, La corriente de colector está dada por: IC=-
αNIE+ICO
•αI: Ganancia de corriente inversa bajo condiciones de operación
inversas. El emisor polarizado inversamente y el colector polarizado
directamente.
•La corriente de emisor está dada por: IE=αIIC+IEO.
•Para la mayoría de los transistores, es válido: αN>αI Debido a que el
área del emisor normalmente es mas pequeña que el área del
colector
•El colector debe ser mas efectivo recolectando portadores que
difunden del emisor al colector o del colector al emisor