Diodos especiales y transistores

DIODOS ESPECIALES
Diodo Varicap (Varicap , Varactor or Tuning diode)

La unin PN polarizada inversamente puede asimilarse a un condensador de placas planas (zona de transicin).Esta capacidad se llama Capacidad de Transicin (CT).

Dielctrico

CT
d
30 pF

Notar, que al aumentar la tensin inversa aumenta la zona de transicin. Un efecto parecido al de separar las placas de un condensador (CT disminuye). Tenemos pues una capacidad dependiente de la tensin inversa. Un diodo Varicap tiene calibrada y caracterizada esta capacidad. Uso: en equipos de comunicaciones (Control automtico de frecuencia en sintonizadores)

VI
10 V

DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode) Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto schottky. La zona N debe estar poco dopada. Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas). Corriente de fugas significativamente mayor. Menores tensiones de ruptura. Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V). Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en 1938 por Walter H. Schottky

DIODOS ESPECIALES
Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)

ID Zona de resistencia negativa. Efecto Tnel

VD

Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105 veces mayor). Aparece un efecto nuevo conocido como efecto tnel. (Descubierto por Leo Esaki en 1958). Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad tipo N de Ga As. El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962. Los efectos se traducen en una zona de resistencia negativa en la caracterstica directa del diodo. Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de microondas. (El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor del radar. Est presente en los radares marinos).

Diodo GUNN

ASOCIACIN DE DIODOS

Puente rectificador
Diodo de alta tensin (Diodos en serie) Monofsico +

Trifsico +

DISPLAY

APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores reflexin de espejo

Detectores de barrera

APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros Sensor de lluvia en vehculos Detectores de humo Turbidmetros Sensor de Color

TRANSISTORES (Panormica)

NPN BIPOLARES PNP

TRANSISTORES

CANAL N (JFET-N) UNIN CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO
* FET : Field Effect Transistor METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor) Base (B)

Colector (C)

N P N
C E B

Emisor (E)

Descubiertos por Shockley, Brattain y Barden en 1947 (Laboratorios Bell)

SMBOLO

COMENTARIO: Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de base hace el papel del mando de grifo (aumentar la mxima capacidad de agua - corriente- del grifo).

BASE

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN C B E ZONA DE SATURACIN: Comportamiento como interruptor cerrado. 3000 = 100 2000 20

IC [mA] IB [mA] = 30 ZONA ACTIVA: Comportamiento como Fuente de Corriente.

1000

10 0 VCE ZONA DE CORTE: Comportamiento como interruptor abierto.

ZONA DE TRANSISTOR INVERSO: Emisor y colector intercambias papeles. Podemos tener una INVERSA, que en el dispositivo ideal consideraremos cero

TRANSISTOR BIPOLAR PNP (PNP bipolar transistor) Base (B) Colector (C)
IC [mA]

P N P
C E B

Emisor (E)

IB [mA] = 3000 = 100 2000 20 30

SMBOLO
1000 10 0 VEC

COMENTARIO: Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de base hace el papel del mando de grifo (aumentar la mxima capacidad de agua - corriente- del grifo).

BASE

FOTOTRANSISTOR (Phototransistor) La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base C E El terminal de Base, puede estar presente o no. No confundir con un fotodiodo.

ASOCIACIN DE TRANSISTORES OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor OBJETIVO: Proporcionar aislamiento galvnico y proteccin elctrica. Deteccin de obstculos.

APLICACIN TPICA DE LOS OPTOACOPLADORES: "Encoder" ptico para medida de velocidad y posicionado

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)

CANAL N (JFET-N) UNIN CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE CAMPO METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR CANAL N (MOSFET-N) CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor". 20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.

JFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida) D

ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE

G S
SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA (UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

ID

UGS[V]
0 -10

-20
-30

VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

JFET DE CANAL P (Caracterstica real de salida) S

ZONA COMPORTAMIENTO FUENTE DE CORRIENTE

G
D
SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA (USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE. PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.

ID

USG[V]
0 -10 -20 -30

VSD
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

MOSFET DE CANAL N D D
COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el smbolo con un diodo, tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.

G S

G S Diodo parsito (Substrato - Drenador)

ID

UGS[V]
=+15 V =+10 V =+5 V

=0V

VDS

MOSFET DE CANAL P S S
COMENTARIO: Aunque a veces se dibuje el smbolo con un diodo, tener en cuenta que NO ES UN COMPONENTE APARTE.

G D

G D Diodo parsito (Substrato - Drenador)

ID

USG[V]
=+15 V =+10 V =+5 V =0V

VSD